Wynik wyszukiwania
Zapytanie: HORI Y
Liczba odnalezionych rekordów: 3



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/3
Nr opisu: 0000095200   
Direct measurement of donor-like interface state density and energy distribution at insulator/AlGaN interface in metal/Al2O3/AlGaN/GaN by photocapacitance method.
[Aut.]: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, Y. Hori, T. Hashizume.
-Appl. Phys. Lett. 2013 vol. 103 iss. 23, s. 021603-1 - 021603-4, bibliogr. 20 poz.. Impact Factor 3.515. Punktacja MNiSW 40.000

2/3
Nr opisu: 0000093841
Wyznaczanie energetycznego rozkładu gęstości powierzchniowych na granicy fazowej Al2O3/GaN i Al2O3/AlGaN.
[Aut.]: Maciej* Matys, Rafał* Ucka, Bogusława Adamowicz, Y. Hori, T. Hashizume.
W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 194 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM

Al2O3 ; GaN ; AlGaN ; pasywacja ; fotopojemność ; stan powierzchniowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik

Al2O3 ; GaN ; AlGaN ; passivation ; photocapacitance ; surface condition ; metal-insulator-semiconductor structure

3/3
Nr opisu: 0000071702
Capacitance-voltage characteristics of Al2O3/AlGaN/GaN structures and state density distribution at Al2O3/AlGaN interface.
[Aut.]: C. Mizue, Y. Hori, Marcin** Miczek, T. Hashizume.
-Jpn. J. Appl. Phys. 2011 vol. 50 iss. 2, art. no. 021001, bibliogr. 33 poz.. Impact Factor 1.024

stosując format:
Nowe wyszukiwanie