Wynik wyszukiwania
Zapytanie: HEINZE A
Liczba odnalezionych rekordów: 6



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/6
Nr opisu: 0000052949   
Patent. Polska, nr 159 570. Sposób wytwarzania emalii elektroizolacyjnych stosowanych jako powłoki ochronne rezystorów warstwowych stałych na bazie dianowych żywic epoksydowych. Int. Cl. C08G 59/42, C09D 5/25.
Politechnika Śląska, PolskaCentrum Naukowo-Produkcyjne Mikroelektroniki Hybrydowej i Rezystorów, PolskaKrakowskie Zakłady Elektroniczne, Polska
Twórcy: Zygmunt** Specjał, Wiesław** Szeja, M. Gajewski, A. Heinze, L. Kucharczyk, Andrzej** Koszorek, Tadeusz Bieg, B. Kawalec, F. Paluch, Zbigniew** Pruszowski.
Zgłosz. nr 277 197 z 13.01.1989. Opubl. 31.12.1992, 4 s.

2/6
Nr opisu: 0000052849   
Patent. Polska, nr 155 103. Sposób wytwarzania lakierów elektroizolacyjnych na bazie dianowych żywic epoksydowych stosowanych jako powłoki ochronne rezystorów warstwowych stałych. Int.Cl. C09D 5/25, C08L 63/02.
Politechnika Śląska, PolskaCentrum Naukowo-Produkcyjne Mikroelektroniki Hybrydowej i Rezystorów "Unitra-Telpod", Polska
Twórcy: Zygmunt** Specjał, Wiesław** Szeja, Zbigniew** Pruszowski, Andrzej** Koszorek, Tadeusz Bieg, A. Rojek, A. Heinze, W. Kucharczyk, M. Gajewski, B. Kawalec.
Zgłosz. nr P 267 557 z 01.09.1987. Opubl. 28.02.1992, 4 s.

3/6
Nr opisu: 0000053944   
Patent. Polska, nr 153 114. Lakier elektroizolacyjny na powłoki zabezpieczające rezystory warstwowe stałe. Int. Cl. C09D 5/25, HO1B 3/40.
Politechnika Śląska, PolskaCentrum Naukowo-Produkcyjne Mikroelektroniki Hybrydowej i Rezystorów "Unitra-Telpod", Polska
Twórcy: Zygmunt** Specjał, Wiesław** Szeja, Zbigniew** Pruszowski, Andrzej** Koszorek, Tadeusz Bieg, Bogdan** Kawalec, A. Rojek, A. Heinze, W. Kucharczyk, M. Gajewski.
Zgłosz. nr 270 263 z 21.01.1988. Opubl. 30.08.1991, 3 s.

4/6
Nr opisu: 0000061704   
Patent. Polska, nr 149 195. Sposób wytwarzania rezystorów z warstwą metaliczną Ni-P. Int. Cl. H01C 17/06, C23C 18/00, C03C 15/00.
Politechnika Śląska, PolskaCentrum Naukowo-Produkcyjne Mikroelektroniki Hybrydowej i Rezystorów "UNITRA - TELPOD", Polska
Twórcy: Zbigniew** Pruszowski, A. Rojek, A. Heinze, W. Kucharczyk, M. Gajewski, Zbigniew* Miłek, Jacek Szuber.
Zgłosz. nr P 261 386 z 11.09.1986. Opubl. 30.04.1990, 4 s.

5/6
Nr opisu: 0000064285
Badania nad wytwarzaniem rezystorów warstwowych metalizowanych chemicznie.
[Aut.]: A. Heinze, W. Kucharczyk, Zbigniew** Pruszowski.
-Elektronika 1988 R. 29 nr 8/9, s. 12-16, bibliogr. 22 poz.

6/6
Nr opisu: 0000064808
High-ohmic resistors manufactured by the chemical metallization.
[Aut.]: W. Kucharczyk, A. Heinze, M. Gajewski, Zbigniew** Pruszowski.
W: Proceedings of the 11th Conference of the International Society for Hybrid Microelectronics - Poland Chapter, Koszalin - Kołobrzeg, 3-5 September 1987. Wrocław : Politechnika Wrocławska, 1988, s. 29-32 (Prace Naukowe Instytutu Technologii Elektronowej Politechniki Wrocławskiej ; nr 36 Seria: Konferencje ; nr 9 0370-0887)

stosując format:
Nowe wyszukiwanie