Wynik wyszukiwania
Zapytanie: HASHIZUME T
Liczba odnalezionych rekordów: 24



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/24
Nr opisu: 0000127652   
Enhancement of channel electric field in AlGaN/GaN multi-nanochannel high electron mobility transistors.
[Aut.]: M. Matys, K. Nishiguchi, Bogusława Adamowicz, J. Kuzmik, T. Hashizume.
-J. Appl. Phys. 2018 vol. 124 iss. 22, art. no. 224502 s. 1-8, bibliogr. 32 poz.. Impact Factor 2.328. Punktacja MNiSW 35.000

2/24
Nr opisu: 0000120835   
Disorder induced gap states as a cause of threshold voltage instabilities in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors.
[Aut.]: M. Matys, S. Kaneki, K. Nishiguchi, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
-J. Appl. Phys. 2017 vol. 122 iss. 22, art. no. 224504 s. 1-8, bibliogr. 31 poz.. Impact Factor 2.176. Punktacja MNiSW 35.000

3/24
Nr opisu: 0000116389
Influence of oxygen-plasma treatment on AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with HfO2 by atomic layer deposition: leakage current and density of states reduction.
[Aut.]: R. Stoklas, D. Gregusova, M. Blaho, K. Frohlich, J. Novak, Maciej* Matys, Z. Yatabe, P. Kordos, T. Hashizume.
-Semicond. Sci. Technol. 2017 vol. 32 iss. 4, art. no. 045018, bibliogr. 29 poz.. Impact Factor 2.280. Punktacja MNiSW 30.000

AlGaN/GaN ; stany międzypowierzchni ; dielektryk HfO2 ; XPS ; ALD

AlGaN/GaN ; interface states ; HfO2 dielectric ; XPS ; ALD ; oxygen-plasma treatment

4/24
Nr opisu: 0000112646   
On the origin of interface states at oxide/III-nitride heterojunction interfaces.
[Aut.]: M. Matys, B. Adamowicz, Alina Domanowska, Anna Michalewicz, R. Stoklas, M. Akazawa, Z. Yatabe, T. Hashizume.
-J. Appl. Phys. 2016 vol. 120 iss. 22, art. no. 225305 s. 1-12, bibliogr. 42 poz.. Impact Factor 2.068. Punktacja MNiSW 35.000

5/24
Nr opisu: 0000095200   
Direct measurement of donor-like interface state density and energy distribution at insulator/AlGaN interface in metal/Al2O3/AlGaN/GaN by photocapacitance method.
[Aut.]: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, Y. Hori, T. Hashizume.
-Appl. Phys. Lett. 2013 vol. 103 iss. 23, s. 021603-1 - 021603-4, bibliogr. 20 poz.. Impact Factor 3.515. Punktacja MNiSW 40.000

6/24
Nr opisu: 0000093841
Wyznaczanie energetycznego rozkładu gęstości powierzchniowych na granicy fazowej Al2O3/GaN i Al2O3/AlGaN.
[Aut.]: Maciej* Matys, Rafał* Ucka, Bogusława Adamowicz, Y. Hori, T. Hashizume.
W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 194 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM

Al2O3 ; GaN ; AlGaN ; pasywacja ; fotopojemność ; stan powierzchniowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik

Al2O3 ; GaN ; AlGaN ; passivation ; photocapacitance ; surface condition ; metal-insulator-semiconductor structure

7/24
Nr opisu: 0000085582   
A novel method for the determination of the full energetic distribution of interface state density in metal/insulator/GaN structures from capacitance-voltage and photocapacitance-light intensity measurements.
[Aut.]: Maciej* Matys, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
W: 31st International Conference on the Physics of Semiconductors. ICPS 2012, Zurich, Switzerland, July 29th to August 3rd 2012 [online]. [B.m.] : [b.w.], 2012, (plik html) s. 1, bibliogr. 5 poz.
Dostępny w Internecie: http://sciconf.org/icps2012/ip/topic/2/session/29/paper/5?layout=screen [dostęp 15 czerwca 2013]

8/24
Nr opisu: 0000084466   
Determination of the deep donor-like interface state density distribution in metal/Al2O3/n-GaN structures from the photocapacitance-light intensity measurement.
[Aut.]: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
-Appl. Phys. Lett. 2012 vol. 101 iss. 23, s. 231608-1 - 231608-4, bibliogr. 18 poz.. Impact Factor 3.794. Punktacja MNiSW 40.000

związki aluminium ; związki galu ; półprzewodnik grupy III-V ; struktura MIS ; fotopojemność ; pasmo walencyjne ; półprzewodnik szerokoprzerwowy

aluminium compounds ; gallium compounds ; III-V semiconductor ; MIS structure ; photocapacitance ; valence band ; wide bandgap semiconductor

9/24
Nr opisu: 0000083702
Impact of interface states and bulk carrier lifetime on photocapacitance of metal/insulator/GaN structure.
[Aut.]: Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
W: Extended abstracts of the 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo, 2010. Tokyo : Publication Office Business Center for Academic Society Japan, 2010, s. 1231-1232

10/24
Nr opisu: 0000071702
Capacitance-voltage characteristics of Al2O3/AlGaN/GaN structures and state density distribution at Al2O3/AlGaN interface.
[Aut.]: C. Mizue, Y. Hori, Marcin** Miczek, T. Hashizume.
-Jpn. J. Appl. Phys. 2011 vol. 50 iss. 2, art. no. 021001, bibliogr. 33 poz.. Impact Factor 1.024

11/24
Nr opisu: 0000071687   
Impact of interface states and bulk carrier lifetime on photocapacitance of metal/insulator/GaN structure for ultraviolet light detection.
[Aut.]: Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
-Jpn. J. Appl. Phys. 2011 vol. 50, art. no. 04DF08, bibliogr. 23 poz.. Impact Factor 1.024

12/24
Nr opisu: 0000123619   
The impact of bulk defects, surface states, and excitons on yellow and ultraviolet photoluminescence in GaN.
[Aut.]: Maciej* Matys, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, Z. Żytkiewicz, E. Kamińska, A. Piotrowska, T. Hashizume.
-Acta Phys. Pol. A 2011 vol. 120 no. 6A, s. A-73-A-75, bibliogr. 16 poz.
Referat wygłoszony na: Proceedings of the E-MRS Fall Meeting. Symposium H: Novel materials for electronics, optoelectronics, photovoltaics and energy saving applications, Warsaw, Poland, September 19-23, 2011. Impact Factor 0.444. Punktacja MNiSW 15.000

13/24
Nr opisu: 0000071269   
The influence of interface states and bulk carrier lifetime on the minority carrier behavior in an illuminated metal/insulator/GaN structure.
[Aut.]: Marcin** Miczek, P. Bidziński, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
-Solid State Commun. 2011 vol. 151 iss. 11, s. 830-833, bibliogr. 37 poz.. Impact Factor 1.649

azotek galu ; struktura MIS ; fotodetektor typu "solar blind"

gallium nitride ; MIS structure ; "solar blind" photodetector

14/24
Nr opisu: 0000081093   
Analiza numeryczna zjawisk fotoelektronowych w detektorach promieniowania UV typu MIS na bazie n-GaN.
[Aut.]: Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
W: IV Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2010, Poznań, 28.06-02.07 2010. Program i streszczenia. Wydział Fizyki Technicznej Politechniki Poznańskiej [et al.].. Poznań : [b.w.], 2010, s. 235, bibliogr. 4 poz.

GaN ; struktura MIS ; COMSOL

GaN ; MIS structure ; COMSOL

15/24
Nr opisu: 0000063105   
Modeling of metal/insulator/GaN ultraviolet photodetector by finite element method.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, Piotr* Bidziński, T. Hashizume.
W: 18th International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications. MIKON-2010, Vilnius, Lithuania, June 14-16, 2010. Conference proceedings. Picataway : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2010, s. 1-3, bibliogr. 7 poz.

GaN ; metal/izolator/półprzewodnik ; fotodekoder UV ; modelowanie komputerowe ; metoda elementów skończonych ; COMSOL

GaN ; MIS ; UV photodecoder ; computer modelling ; finite element method ; COMSOL

16/24
Nr opisu: 0000057117
Simulations of capacitance-voltage-temperature behavior of metal/insulator/AlGaN and metal/insulator/AlGaN/GaN structures.
[Aut.]: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
-Jpn. J. Appl. Phys. 2009 vol. 48 iss. 4, art. no. 04C092. Impact Factor 1.138

17/24
Nr opisu: 0000056784
UV-induced variation of interface potential in AlOx/n-GaN structure.
[Aut.]: C. Mizue, Marcin** Miczek, J. Kotani, T. Hashizume.
-Jpn. J. Appl. Phys. 2009 vol. 48 iss. 2, art. no. 020201. Impact Factor 1.138

18/24
Nr opisu: 0000073357
Własności optyczne, chemiczne, elektronowe i morfologiczne struktur AlGaN/GaN.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, D. Pundyk, Mirosława Kępińska, Piotr* Bobek, Andrzej** Klimasek, T. Hashizume.
W: III Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2009, Warszawa, 22-26 czerwca 2009 r. Streszczenia. Red. J. Kaniewski. Warszawa : Instytut Technologii Elektronowej, 2009, s. 62, bibliogr. 2 poz.

heterozłącze ; własności optyczne ; własności chemiczne ; własności elektronowe ; AlGaN/GaN

heterojunction ; optical properties ; chemical properties ; electron properties ; AlGaN/GaN

19/24
Nr opisu: 0000048349   
Effects of interface states and temperature on the C-V behavior of metal/insulator/AIGaN/GaN heterostructure capacitors.
[Aut.]: Marcin** Miczek, C. Mizue, T. Hashizume, Bogusława Adamowicz.
-J. Appl. Phys. 2008 vol. 103 iss. 10, art. no. 104510 s. 1-11, bibliogr. 55 poz.. Impact Factor 2.201

20/24
Nr opisu: 0000050894
Temperature-dependent interface-state response in an Al2O3/n-GaN structure.
[Aut.]: K. Ooyama, H. Kato, Marcin** Miczek, T. Hashizume.
-Jpn. J. Appl. Phys. 2008 vol. 47 iss. 7, s. 5426-5428. Impact Factor 1.309

21/24
Nr opisu: 0000039315   
Capacitance-voltage and Auger chemical profile studies on AIGaN/GaN structures passivated by SiO2/Si3N4 and SiNx/Si3N4 bilayers.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, T. Hashizume, Andrzej** Klimasek, P. Bobek, J. Żywicki.
-Opt. Appl. 2007 vol. 37 no. 4, s. 327-334, bibliogr. 25 poz.. Impact Factor 0.284

azotek galu ; HEMT ; bramka izolowana ; pasywacja ; C-V ; spektroskopia elektronów Augera

gallium nitride ; HEMT ; insulated gate ; passivation ; C-V ; Auger electron spectroscopy ; chemical in-depth profiles

22/24
Nr opisu: 0000030524
C-V characterization of GaN-based MIS structures at high temperatures.
[Aut.]: H. Kato, Marcin** Miczek, T. Hashizume.
-IEICE Tech. Rep. 2006 vol. 105 no. 521, ED2005-201, MW2005-155, s. 13-16

23/24
Nr opisu: 0000029174   
Dynamics and control of recombination process at semiconductor surfaces, interfaces and nano-structures.
[Aut.]: H. Hasegawa, T. Sato, S. Kasai, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
-Sol. Energy 2006 vol. 80 iss. 6, s. 629-644, bibliogr.. Impact Factor 1.431

stan powierzchniowy ; rekombinacja powierzchniowa ; spektroskopia tunelowa ; nanostruktura

surface states ; surface recombination ; tunnelling spectroscopy ; nanostructure ; Fermi level pinning ; capacitance voltage method

24/24
Nr opisu: 0000018246   
Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces.
[Aut.]: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume, H. Hasegawa.
-Opt. Appl. 2005 vol. 35 no. 3, s. 355-361, bibliogr. 28 poz.. Impact Factor 0.459

arsenek galu ; azotek galu ; stan powierzchniowy ; fotoluminescencja ; fotonapięcie powierzchniowe

gallium arsenide ; gallium nitride ; surface states ; photoluminescence ; surface photovoltage

stosując format:
Nowe wyszukiwanie