Wynik wyszukiwania
Zapytanie: GRUZZA B
Liczba odnalezionych rekordów: 5



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/5
Nr opisu: 0000025312   
Room temperature photoluminescence studies of nitrided InP(100) surfaces.
[Aut.]: Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, M. Petit, B. Gruzza, C. Robert-Goumet, T. Piwnowski, M. Bugajski, H. Hasegawa.
-Mater. Sci. Eng., C Mater. Biol. Appl. 2006 vol. 26 nr 2/3, s. 378-382, bibliogr. 28 poz.. Impact Factor 1.325

InP ; powierzchnia ; pasywacja ; azotowanie ; stan powierzchniowy ; fotoluminescencja ; model zjawisk nierównowagowych

InP ; surface ; passivation ; nitridation ; surface states ; photoluminescence ; model of non-equilibrium phenomena

2/5
Nr opisu: 0000025436   
XPS, electric and photoluminescence-based analysis of the GaAs (1 0 0) nitridation.
[Aut.]: Z. Benamara, N. Mecirdi, B. Bouiadjra, L. Bideux, B. Gruzza, C. Robert, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz.
-Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 iss. 22, s. 7890-7894, bibliogr. 14 poz.. Impact Factor 1.436

azotowanie ; XPS ; pomiar wielkości elektrycznych ; fotoluminescencja

nitridation ; XPS ; electrical measurement ; photoluminescence

3/5
Nr opisu: 0000021694   
Nitridation of InP(100) surface studied by synchrotron radiation.
[Aut.]: M. Petit, D. Baca, Sebastian* Arabasz, L. Bideux, N. Tsud, D. Fabik, B. Gruzza, V. Chab, V. Matolin, K. Prince.
-Surf. Sci. 2005 vol. 583 iss. 2/3, s. 205-212, bibliogr. 18 poz.. Impact Factor 1.780

azotowanie ; promieniowanie synchrotronowe ; XPS ; fosforek indu

nitridation ; synchrotron radiation ; XPS ; indium phosphide

4/5
Nr opisu: 0000021693   
Passivation of InP(100) substrates: first stages of nitridation by thin InN surface overlayers studied by electron spectroscopies.
[Aut.]: M. Petit, C. Robert-Goumet, L. Bideux, B. Gruzza, V. Matolin, Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, D. Wawer, M. Bugajski.
-Surf. Interface Anal. 2005 vol. 37 iss. 7, s. 615-620, bibliogr. 20 poz.. Impact Factor 0.918

InN ; fosforek indu ; azotowanie ; AES ; XPS ; fotoluminescencja ; spektroskopia elektronowa

InN ; indium phosphide ; nitridation ; AES ; XPS ; photoluminescence ; electron spectroscopy

5/5
Nr opisu: 0000123735   
Rigorous analysis of the electronic properties of InP interfaces for gas sensing.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, C. Brun, B. Gruzza, H. Hasegawa.
-Thin Solid Films 2003 vol. 436 iss. 1, s. 101-106, bibliogr. 24 poz.
Referat wygłoszony na: 3rd International Seminar on Semiconductor Gas Sensors. SGS'2002, Ustroń, Poland, 19-22 September 2002. Impact Factor 1.598

InP ; interfejs ; właściwości elektroniczne ; stan powierzchniowy ; poziom Fermiego ; wykrywanie gazu

InP ; interface ; electronic properties ; surface states ; Fermi level ; gas sensing

stosując format:
Nowe wyszukiwanie