Wynik wyszukiwania
Zapytanie: GENCHEV G
Liczba odnalezionych rekordów: 3



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/3
Nr opisu: 0000124870   
Detection of intra-band gap defects states in spin-coated sol-gel SnOx nanolayers by photoelectron spectroscopies.
[Aut.]: Lucyna Grządziel, Maciej Krzywiecki, A. Szwajca, A. Sarfraz, G. Genchev, A. Erbe.
-J. Phys., D Appl. Phys. 2018 vol. 51 iss. 31, art. no. 315301 s. 1-9, bibliogr. 46 poz.. Impact Factor 2.373. Punktacja MNiSW 35.000

tlenek cyny ; stan wady ; spektroskopia fotoemisyjna

tin oxide ; defect states ; photoemission spectroscopy ; band gap states ; oxygen vacancies

2/3
Nr opisu: 0000114419   
Effect of order and disorder on degradation processes of copper phthalocyanine nanolayers.
[Aut.]: Lucyna Grządziel, Maciej Krzywiecki, G. Genchev, A. Erbe.
-Synth. Met. 2017 vol. 223, s. 199-204, bibliogr. 42 poz.. Impact Factor 2.526. Punktacja MNiSW 30.000

nanoelektronika ; organiczna warstwa cienka ; ftalocyjanina ; proces degradacji ; morfologia ; spektroskopia Ramana

nanoelectronics ; organic thin film ; phthalocyanine ; degradation process ; morphology ; Raman spectroscopy

3/3
Nr opisu: 0000104603
Defect states in tin oxide - a subtle way for tuning the oxide's sensing properties.
[Aut.]: Maciej Krzywiecki, Monika Kwoka, A. Sarfraz, G. Genchev, A. Erbe.
W: IX International Workshop on Semiconductor Gas Sensors. SGS 2015, Zakopane, Poland, 13-16 December 2015. Programme, abstracts, info. [B.m.] : [b.w.], 2015, s. 41

stosując format:
Nowe wyszukiwanie