Wynik wyszukiwania
Zapytanie: BERGIGNAT E
Liczba odnalezionych rekordów: 3



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/3
Nr opisu: 0000025453   
XPS analysis of surface chemistry of near surface region of epiready GaAs(1 0 0) surface treated with (NH4)2Sx solution.
[Aut.]: Sebastian* Arabasz, E. Bergignat, G. Hollinger, Jacek Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 iss. 21, s. 7659-7663, bibliogr. 32 poz.
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005. Impact Factor 1.436

GaAs ; pasywacja ; XPS ; siarkowanie

GaAs ; passivation ; XPS ; sulfidation

2/3
Nr opisu: 0000025543   
XPS study of surface chemistry of epiready GaAs(1 0 0) surface after (NH4)2Sx passivation.
[Aut.]: Sebastian* Arabasz, E. Bergignat, G. Hollinger, Jacek Szuber.
-Vacuum 2006 vol. 80 iss. 8, s. 888-893, bibliogr. 36 poz.. Impact Factor 0.834

GaAs ; siarkowanie ; pasywacja ; XPS ; półprzewodnik

GaAs ; sulfidation ; passivation ; XPS ; semiconductor

3/3
Nr opisu: 0000026061
Sulfide passivation of GaAs surface.
[Aut.]: Jacek Szuber, G. Hollinger, E. Bergignat.
W: Surface and thin film structures 1997. Proceedings of the 5th seminar, Ustroń, Poland, September 23-26, 1997. Ed. by J. Szuber. Warszawa : Institute of Electron Technology, 1998, s. 328-337, bibliogr. 58 poz. (Electron Technology ; vol. 31, no. 3/4 0070-9816)

stosując format:
Nowe wyszukiwanie