Wynik wyszukiwania
Zapytanie: AKAZAWA M
Liczba odnalezionych rekordów: 3



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/3
Nr opisu: 0000112646   
On the origin of interface states at oxide/III-nitride heterojunction interfaces.
[Aut.]: M. Matys, B. Adamowicz, Alina Domanowska, Anna Michalewicz, R. Stoklas, M. Akazawa, Z. Yatabe, T. Hashizume.
-J. Appl. Phys. 2016 vol. 120 iss. 22, art. no. 225305 s. 1-12, bibliogr. 42 poz.. Impact Factor 2.068. Punktacja MNiSW 35.000

2/3
Nr opisu: 0000063355   
Surface passivation of III-V semiconductors for future CMOS devices - past research, present status and key issues for future.
[Aut.]: H. Hasegawa, M. Akazawa, Alina Domanowska, Bogusława Adamowicz.
-Appl. Surf. Sci. 2010 vol. 256 iss. 19, s. 5698-5707, bibliogr. 65 poz.. Impact Factor 1.795

półprzewodnik grupy III-V ; pasywacja powierzchni ; MISFET ; dielektryk o wysokiej przenikalności elektrycznej ; arsenek galu ; GaAs ; fotoluminescencja

III-V semiconductor ; surface passivation ; MISFET ; high-k dielectric ; gallium arsenide ; GaAs ; photoluminescence

3/3
Nr opisu: 0000056638   
Capacitance-voltage and photoluminescence study of high-k/GaAs interfaces controlled by Si interface control layer.
[Aut.]: M. Akazawa, Alina Domanowska, Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
-J. Vac. Sci. Technol., B. 2009 vol. 27 iss. 4, s. 2028-2035. Impact Factor 1.460

stosując format:
Nowe wyszukiwanie