Wynik wyszukiwania
Zapytanie: SPEKTROSKOPIA PRODUKTÓW PRZEJŚCIOWYCH
Liczba odnalezionych rekordów: 1



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/1
Nr opisu: 0000025451
Tytuł oryginału: Charge transient spectroscopy measurements of GaAs metal-insulator-semiconductor structures
Autorzy: Stanisław** Kochowski, Michał* Szydłowski, I. Thurzo, D. Zahn.
Źródło: -Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 iss. 21, s. 2631-2635, bibliogr. 32 poz.
Uwagi: Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005
Impact Factor: 1.436
p-ISSN: 0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie: arsenek galu ; struktura metal-izolator-półprzewodnik ; spektroskopia produktów przejściowych ; właściwości elektryczne ; miernictwo elektryczne
Słowa kluczowe angielskie: gallium arsenide ; metal-insulator-semiconductor structure ; charge transient spectroscopy ; electrical properties ; electrical measurement
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.
Dostęp on-line:


stosując format:
Nowe wyszukiwanie