Wynik wyszukiwania
Zapytanie: THERMAL OXIDATION
Liczba odnalezionych rekordów: 1



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/1
Nr opisu: 0000113757
Tytuł oryginału: Influence of nitrogen implantation on electrical properties of Al/SiO2/4H-SiC MOS structure.
Autorzy: K. Król, M. Sochacki, M. Turek, J. Zuk, M. Przewlocki, T. Gutt, P. Borowicz, M. Guziewicz, Jacek Szuber, Monika Kwoka, Piotr* Kościelniak, J. Szmidt.
Źródło: W: Silicon carbide and related materials 2012. Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation. Ed. by Alexander A. Lebedev, Sergey Yu. Davydov, Pavel A. Ivanov and Mikhail E. Levinshtein. Durnten-Zurich : Trans Tech Publications, 2013, s. 733-736, bibliogr. 6 poz.
ISBN: 978-3-03785-624-6978-3-03785-624-6
Seria: (Materials Science Forum ; vol. 740/742 0255-5476)
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,4
Bazy indeksujące publikację: Scopus; Web of Science
DOI:
Słowa kluczowe polskie: implantacja jonów ; węglik krzemu ; utlenianie termiczne
Słowa kluczowe angielskie: ion implantation ; silicon carbide ; thermal oxidation ; ion implantation damage
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.


stosując format:
Nowe wyszukiwanie