Wynik wyszukiwania
Zapytanie: RADIATION DEFECT
Liczba odnalezionych rekordów: 1



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/1
Nr opisu: 0000082601
Tytuł oryginału: Modelowanie wpływu stanów powierzchniowych na zjawiska rekombinacyjne w GaN.
Autorzy: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz.
Źródło: W: Dziesiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011, s. 167
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Słowa kluczowe polskie: azotek galu ; fotoluminescencja ; rekombinacja powierzchniowa ; metoda elementów skończonych ; defekt radiacyjny
Słowa kluczowe angielskie: gallium nitride ; photoluminescence ; surface recombination ; finite element method ; radiation defect
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.


stosując format:
Nowe wyszukiwanie