Wynik wyszukiwania
Zapytanie: FIELD-EFFECT TRANSISTOR MOS
Liczba odnalezionych rekordów: 2



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/2
Nr opisu: 0000049454
Tytuł oryginału: Wielowejściowy tranzystor polowy MOS o bramkach swobodnych.
Twórcy: Lesław** Topór-Kamiński.
Źródło: Patent. Polska, nr 200 087. Int. Cl. H01L 29/772. Politechnika Śląska, Polska
Zgłosz. nr 347 756 z 26.05.2001. Opubl. 31.12.2008, 4 s.
Słowa kluczowe polskie: tranzystor polowy MOS ; MOSFET ; tranzystor polowy metal- tlenek-półprzewodnik ; bramka swobodna
Słowa kluczowe angielskie: field-effect transistor MOS ; MOSFET ; Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor ; free gate
Typ publikacji: OP
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.
Lokalizacja Źródła: PŚl. N/Pt
Dostęp on-line:


2/2
Nr opisu: 0000025311
Tytuł oryginału: Elektroniczne przyrządy półprzewodnikowe. Zasady działania diod i tranzystorów - rozwiązywanie zadań.
Autorzy: Krzysztof Waczyński, Edyta Wróbel.
Adres wydawniczy: Gliwice : Wydaw. Politechniki Śląskiej, 2007
Opis fizyczny: , 251 s., bibliogr. 22 poz.
Uwagi: Skrypt nr 2396
Słowa kluczowe polskie: półprzewodnik ; nośnik ładunku ; dioda półprzewodnikowa ; tranzystor bipolarny ; tranzystor polowy MOS ; konduktywność elektryczna
Słowa kluczowe angielskie: semiconductor ; charge carrier ; semiconductor diode ; bipolar transistor ; field-effect transistor MOS ; electrical conductivity
Typ publikacji: P
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.
Lokalizacja Źródła: PŚl.


stosując format:
Nowe wyszukiwanie