Wynik wyszukiwania
Zapytanie: CHEMICAL IN-DEPTH PROFILES
Liczba odnalezionych rekordów: 1



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/1
Nr opisu: 0000039315
Tytuł oryginału: Capacitance-voltage and Auger chemical profile studies on AIGaN/GaN structures passivated by SiO2/Si3N4 and SiNx/Si3N4 bilayers
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, T. Hashizume, Andrzej** Klimasek, P. Bobek, J. Żywicki.
¬ródło: -Opt. Appl. 2007 vol. 37 no. 4, s. 327-334, bibliogr. 25 poz.
Impact Factor: 0.284
p-ISSN: 0078-5466
e-ISSN: 1899-7015
Słowa kluczowe polskie: azotek galu ; HEMT ; bramka izolowana ; pasywacja ; C-V ; spektroskopia elektronów Augera
Słowa kluczowe angielskie: gallium nitride ; HEMT ; insulated gate ; passivation ; C-V ; Auger electron spectroscopy ; chemical in-depth profiles
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3422
Dostęp on-line:


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie