Wynik wyszukiwania
Zapytanie: STRUKTURA GAAS MIS
Liczba odnalezionych rekordów: 2



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/2
Nr opisu: 0000089617
Tytuł oryginału: The analysis of filling pulse parameters influence on ICTS data of GaAs MIS structures.
Autorzy: Łukasz Drewniak, Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz.
Źródło: W: Electron Technology Conference 2013, Ryn, Poland, 16-20 April 2013. Eds: Paweł Szczepański, Ryszard Kisiel, Ryszard S. Romaniuk. Bellingham : SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2013, art. 890209 s. 1-8, bibliogr. 16 poz.
ISBN: 978-0-8194-9521-1
Organizator: Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw University of Technology (Poland)
Seria: (Proceedings of SPIE ; vol. 8902 0277-786X)
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,5
Bazy indeksujące publikację: Web of Science; Scopus
DOI:
Słowa kluczowe polskie: struktura GaAs MIS ; ICTS ; stany międzypowierzchni
Słowa kluczowe angielskie: GaAs MIS structure ; ICTS ; interface states
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.


2/2
Nr opisu: 0000010584
Tytuł oryginału: Analiza elektrycznych własności struktur MIS na bazie GaAs oraz Si w oparciu o metodę spektroskopii impedancyjnej
Tytuł w wersji angielskiej: An analysis of electrical properties of GaAs and Si MIS structures using impedance spectroscopy method
Autorzy: Stanisław** Kochowski, M. Szydłowski.
Źródło: -Zesz. Nauk. PŚl., Mat. 2004 z. 91, s. 199-212, bibliogr. 16 poz.
p-ISSN: 0072-470X
Słowa kluczowe polskie: spektroskopia impedancyjna ; struktura GaAs MIS ; własności elektryczne
Słowa kluczowe angielskie: impedance spectroscopy ; GaAs MIS structure ; electric properties
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.
Lokalizacja Źródła: PŚl. sygn. P.3360


stosując format:
Nowe wyszukiwanie