Wynik wyszukiwania
Zapytanie: STEROWNIK BRAMKOWY
Liczba odnalezionych rekordów: 6



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/6
Nr opisu: 0000123685
Tytuł oryginału: Problem zwarć skrośnych w scalonych sterownikach bramkowych pracujących z częstotliwością 30 MHz
Tytuł w wersji angielskiej: The problem of short circuits in integrated gate drivers operating at 30 MHz
Autorzy: Piotr Legutko.
Źródło: -Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 6, s. 74-77, bibliogr. 10 poz.
Punktacja MNiSW: 14.000
p-ISSN: 0033-2097
e-ISSN: 2449-9544
DOI:
Słowa kluczowe polskie: sterownik bramkowy ; drajwer niskostratny ; tranzystor MOSFET ; wysoka częstotliwość ; zwarcie skrośne ; straty mocy
Słowa kluczowe angielskie: MOSFET driver ; low-losses driver ; MOSFET transistor ; high frequency ; short circuit ; power losses
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.
Lokalizacja Źródła: PŚl. sygn. P.677
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_PUBLISHED open-access-licence: OTHER open-access-release-time: AT_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


2/6
Nr opisu: 0000124793
Tytuł oryginału: Problematyka określenia sprawności niskostratnych drajwerów pracujących z częstotliwością 30 MHz
Tytuł w wersji angielskiej: The problem of determining the efficiency of low-loss drivers operating at 30 MHz
Autorzy: Piotr Legutko, Marcin Kasprzak, Kamil Kierepka.
Źródło: -Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 8, s. 120-123, bibliogr. 13 poz.
Punktacja MNiSW: 14.000
p-ISSN: 0033-2097
e-ISSN: 2449-9544
DOI:
Słowa kluczowe polskie: sterownik bramkowy ; drajwer niskostratny ; sprawność ; tranzystor MOSFET ; wysoka częstotliwość
Słowa kluczowe angielskie: driver ; MOSFET transistor ; low-losses driver ; high-frequency ; efficiency
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.
Lokalizacja Źródła: PŚl. sygn. P.677
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_PUBLISHED open-access-licence: OTHER open-access-release-time: AT_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


3/6
Nr opisu: 0000118716
Tytuł oryginału: Analiza wysokoczęstotliwościowych drajwerów tranzystorów MOSFET mocy stosowanych w falownikach rezonansowych. Rozprawa doktorska.
Autorzy: Piotr Legutko.
Miejsce i rok obrony: Gliwice, 2017
Opis fizyczny: , 145 k., 114 poz.
Uczelnia i wydział: Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny.
Promotor: dr hab. inż. Marcin Kasprzak, dr inż. Mariusz Stępień
Słowa kluczowe polskie: tranzystor MOSFET ; elektronika przemysłowa ; wysoka częstotliwość ; falownik rezonansowy ; straty mocy ; sterownik bramkowy
Słowa kluczowe angielskie: MOSFET transistor ; industrial electornics ; high frequency ; resonant inverter ; power losses ; gate driver
Typ publikacji: D
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.
Lokalizacja Źródła: PŚl. sygn. R-5390+CD


4/6
Nr opisu: 0000105709
Tytuł oryginału: Wysokoczęstotliwościowe drajwery dedykowane do tranzystorów MOSFET serii DE.
Tytuł w wersji angielskiej: High frequency drivers for DE series MOSFET transistors
Autorzy: Piotr Legutko, Marcin Kasprzak.
Źródło: W: Seminarium Młodych Naukowców Wydziału Elektrycznego Politechniki Śląskiej. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016, s. 81-83, bibliogr. 3 poz.
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,1
Słowa kluczowe polskie: sterownik bramkowy ; MOSFET ; transformator
Słowa kluczowe angielskie: gate driver ; MOSFET ; transformer
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.


5/6
Nr opisu: 0000107444
Tytuł oryginału: Wysokoczęstotliwościowe drajwery dedykowane do tranzystorów MOSFET serii DE - rozwiązania i perspektywa rozwoju.
Autorzy: Piotr Legutko.
Źródło: W: Energoelektronika w nauce i dydaktyce. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016, s. 135-140, bibliogr. 9 poz.
ISBN: 978-83-911058-2-5
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,3
Słowa kluczowe polskie: sterownik bramkowy ; MOSFET ; tranzystor ; drajwer
Słowa kluczowe angielskie: gate driver ; MOSFET ; transistor ; driver
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.


6/6
Nr opisu: 0000094734
Tytuł oryginału: Nowe niskostratne drajwery transystorów MOSFET mocy
Tytuł w wersji angielskiej: The new low-losses power MOSFET drivers
Autorzy: Piotr Legutko.
Źródło: -Pr. Nauk. PŚl., Elektr. 2013 R. 59 z. 2/3, s. 67-77, bibliogr. 10 poz.
Punktacja MNiSW: 6.000
p-ISSN: 1897-8827
Słowa kluczowe polskie: sterownik bramkowy ; analiza ; moc czynna ; straty mocy ; tranzystor MOSFET ; tranzystor mocy
Słowa kluczowe angielskie: gate driver ; analysis ; active power ; power losses ; MOSFET transistor ; power transistor
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.
Lokalizacja Źródła: PŚl. sygn. P.3348
Informacje o dostępie open-access: open-access-licence: OTHER
Dostęp on-line:


stosując format:
Nowe wyszukiwanie