Wynik wyszukiwania
Zapytanie: STANY MIĘDZYPOWIERZCHNI
Liczba odnalezionych rekordów: 3



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/3
Nr opisu: 0000116389
Tytuł oryginału: Influence of oxygen-plasma treatment on AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with HfO2 by atomic layer deposition: leakage current and density of states reduction
Autorzy: R. Stoklas, D. Gregusova, M. Blaho, K. Frohlich, J. Novak, Maciej* Matys, Z. Yatabe, P. Kordos, T. Hashizume.
¬ródło: -Semicond. Sci. Technol. 2017 vol. 32 iss. 4, art. no. 045018, bibliogr. 29 poz.
Impact Factor: 2.280
Punktacja MNiSW: 30.000
p-ISSN: 0268-1242
e-ISSN: 1361-6641
DOI:
Słowa kluczowe polskie: AlGaN/GaN ; stany międzypowierzchni ; dielektryk HfO2 ; XPS ; ALD
Słowa kluczowe angielskie: AlGaN/GaN ; interface states ; HfO2 dielectric ; XPS ; ALD ; oxygen-plasma treatment
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


2/3
Nr opisu: 0000089615
Tytuł oryginału: Analysis of MIS equivalent electrical circuit of Au/Pd/Ti-SiO2-GaAs structure based on DLTS measurements
Autorzy: Stanisław** Kochowski, Łukasz Drewniak, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz.
¬ródło: -Mater. Sci. Pol. 2013 vol. 31 no. 3, s. 446-453, bibliogr. 30 poz.
Impact Factor: 0.327
Punktacja MNiSW: 15.000
p-ISSN: 2083-1331
e-ISSN: 2083-134X
DOI:
Słowa kluczowe polskie: struktura MIS ; głęboki poziom ; stany międzypowierzchni ; spektroskopia admitancyjna ; DLTS
Słowa kluczowe angielskie: MIS structure ; deep level ; interface states ; admittance spectroscopy ; DLTS
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


3/3
Nr opisu: 0000089617
Tytuł oryginału: The analysis of filling pulse parameters influence on ICTS data of GaAs MIS structures.
Autorzy: Łukasz Drewniak, Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz.
¬ródło: W: Electron Technology Conference 2013, Ryn, Poland, 16-20 April 2013. Eds: Paweł Szczepański, Ryszard Kisiel, Ryszard S. Romaniuk. Bellingham : SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2013, art. 890209 s. 1-8, bibliogr. 16 poz.
ISBN: 978-0-8194-9521-1
Organizator: Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw University of Technology (Poland)
Seria: (Proceedings of SPIE ; vol. 8902 0277-786X)
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,5
Bazy indeksuj±ce publikację: Web of Science; Scopus
DOI:
Słowa kluczowe polskie: struktura GaAs MIS ; ICTS ; stany międzypowierzchni
Słowa kluczowe angielskie: GaAs MIS structure ; ICTS ; interface states
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie