Wynik wyszukiwania
Zapytanie: STAN PUŁAPKOWY
Liczba odnalezionych rekordów: 1



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/1
Nr opisu: 0000082758
Tytuł oryginału: Redukcja stanów pułapkowych w strukturze MOS 4H-SiC(0001) pod wpływem implantacji azotu - wpływ profilu implantacji.
Autorzy: K. Król, M. Sochacki, W. Strupiński, M. Turek, J. Żuk, P. Borowicz, H. Przewłocki, Monika Kwoka, Piotr* Kościelniak, Jacek Szuber, J. Szmidt.
Źródło: W: Technologia elektronowa. ELTE '2013. XI Konferencja naukowa, Ryn, 10-20 kwietnia 2013. [Dokument elektroniczny]. Warszawa : Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej, 2013, dysk optyczny (CD-ROM) s. 155-156, bibliogr. 3 poz.
ISBN: 978-83-64102-00-4
Organizator: Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,1
Słowa kluczowe polskie: stan pułapkowy ; implantacja jonów ; struktura MOS
Słowa kluczowe angielskie: trapping state ; ion implantation ; MOS structure
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.


stosując format:
Nowe wyszukiwanie