Wynik wyszukiwania
Zapytanie: N-GAAS
Liczba odnalezionych rekordów: 1



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/1
Nr opisu: 0000085135
Tytuł oryginału: Ohmic contacts for room-temperature AlGaAs/GaAs quantum cascade lasers (QCL)
Tytuł w wersji polskiej: Kontakty omowe dla pracujących w temperaturze pokojowej AlGaAs/GaAs kwantowych laserów kaskadowych
Autorzy: A. Barańska, A. Szerling, P. Karbownik, K. Hejduk, M. Bugajski, A. Łaszcz, K. Gołaszewska-Malec, Wojciech Filipowski.
Źródło: -Opt. Appl. 2013 vol. 43 no. 1, s. 5-15, bibliogr. 10 poz.
Impact Factor: 0.643
Punktacja MNiSW: 15.000
p-ISSN: 0078-5466
e-ISSN: 1899-7015
DOI:
Słowa kluczowe polskie: kontakt omowy ; n-GaAs ; CTLM ; EDXS ; TEM
Słowa kluczowe angielskie: ohmic contact ; n-GaAs ; CTLM ; EDXS ; TEM
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.
Lokalizacja Źródła: PŚl. sygn. P.3422
Informacje o dostępie open-access: open-access-licence: OTHER
Dostęp on-line:


stosując format:
Nowe wyszukiwanie