Wynik wyszukiwania
Zapytanie: IMPLANTACJA JONÓW
Liczba odnalezionych rekordów: 2



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/2
Nr opisu: 0000113757
Tytuł oryginału: Influence of nitrogen implantation on electrical properties of Al/SiO2/4H-SiC MOS structure.
Autorzy: K. Król, M. Sochacki, M. Turek, J. Zuk, M. Przewlocki, T. Gutt, P. Borowicz, M. Guziewicz, Jacek Szuber, Monika Kwoka, Piotr* Kościelniak, J. Szmidt.
Źródło: W: Silicon carbide and related materials 2012. Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation. Ed. by Alexander A. Lebedev, Sergey Yu. Davydov, Pavel A. Ivanov and Mikhail E. Levinshtein. Durnten-Zurich : Trans Tech Publications, 2013, s. 733-736, bibliogr. 6 poz.
ISBN: 978-3-03785-624-6978-3-03785-624-6
Seria: (Materials Science Forum ; vol. 740/742 0255-5476)
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,4
Bazy indeksujące publikację: Scopus; Web of Science
DOI:
Słowa kluczowe polskie: implantacja jonów ; węglik krzemu ; utlenianie termiczne
Słowa kluczowe angielskie: ion implantation ; silicon carbide ; thermal oxidation ; ion implantation damage
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.


2/2
Nr opisu: 0000082758
Tytuł oryginału: Redukcja stanów pułapkowych w strukturze MOS 4H-SiC(0001) pod wpływem implantacji azotu - wpływ profilu implantacji.
Autorzy: K. Król, M. Sochacki, W. Strupiński, M. Turek, J. Żuk, P. Borowicz, H. Przewłocki, Monika Kwoka, Piotr* Kościelniak, Jacek Szuber, J. Szmidt.
Źródło: W: Technologia elektronowa. ELTE '2013. XI Konferencja naukowa, Ryn, 10-20 kwietnia 2013. [Dokument elektroniczny]. Warszawa : Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej, 2013, dysk optyczny (CD-ROM) s. 155-156, bibliogr. 3 poz.
ISBN: 978-83-64102-00-4
Organizator: Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,1
Słowa kluczowe polskie: stan pułapkowy ; implantacja jonów ; struktura MOS
Słowa kluczowe angielskie: trapping state ; ion implantation ; MOS structure
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.


stosując format:
Nowe wyszukiwanie