Wynik wyszukiwania
Zapytanie: FOTONAPIĘCIE POWIERZCHNIOWE
Liczba odnalezionych rekordów: 12



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/12
Nr opisu: 0000093864
Tytuł oryginału: Optymalizacja konstrukcji i warunków pracy demonstratora sensora gazów toksycznych opartego na zjawisku fotonapięcia powierzchniowego.
Autorzy: Aleksander* Miera, Jacek Szuber, P. Tomkiewicz, A. Piotrowska, M. Borysiewicz, E. Kamińska, Maciej Setkiewicz.
¬ródło: W: Trzynasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 09-13.06.2014]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2014, s. 105-106 + tekst na CD-ROM, bibliogr. 2 poz.
ISBN: 978-83-934712-1-8
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,5
Słowa kluczowe polskie: fotonapięcie powierzchniowe ; sensor gazów ; gaz toksyczny
Słowa kluczowe angielskie: surface photovoltage ; gas sensor ; toxic gas
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


2/12
Nr opisu: 0000093843
Tytuł oryginału: Demonstrator sensora gazów toksycznych oparty na zjawisku fotonapięcia powierzchniowego.
Autorzy: P. Tomkiewicz, Jacek Szuber, Aleksander* Miera, M. Borysiewicz, E. Kamińska, A. Piotrowska, Maciej Setkiewicz.
¬ródło: W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 199 + tekst na CD-ROM
ISBN: 978-83-934712-6-3
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,5
Słowa kluczowe polskie: sensor gazu ; fotonapięcie powierzchniowe ; gaz toksyczny
Słowa kluczowe angielskie: gas sensor ; surface photovoltage ; toxic gas
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


3/12
Nr opisu: 0000093838
Tytuł oryginału: Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/GaN i AlGaN/GaN.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Alina Domanowska, Z. Żytkiewicz, M. Sobańska, A. Taube, R. Kruszka.
¬ródło: W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 184 + tekst na CD-ROM
ISBN: 978-83-934712-6-3
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Liczba arkuszy wydawniczych: 1
Słowa kluczowe polskie: fotodetektor ultrafioletu ; GaN ; AlGaN/GaN ; stan powierzchniowy ; fotonapięcie powierzchniowe ; fotopojemno¶ć ; pasywacja ; struktura metal-izolator-półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie: UV photodetector ; GaN ; AlGaN/GaN ; surface condition ; surface photovoltage ; photocapacitance ; passivation ; metal-insulator-semiconductor structure
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


4/12
Nr opisu: 0000088327
Tytuł oryginału: Two-dimensional modeling of surface photovoltage in metal/insulator/n-GaN structure with cylindrical symmetry
Autorzy: Maciej* Matys, P. PowroĽnik, D. Kupka, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: -Opt. Appl. 2013 vol. 43 no. 1, s. 47-52, bibliogr. 7 poz.
Impact Factor: 0.643
Punktacja MNiSW: 15.000
p-ISSN: 0078-5466
e-ISSN: 1899-7015
DOI:
Słowa kluczowe polskie: fotonapięcie powierzchniowe ; azotek galu ; metal/izolator/GaN ; struktura MIS ; detektor ultrafioletu
Słowa kluczowe angielskie: surface photovoltage ; gallium nitride ; metal/insulator/GaN ; MIS structure ; UV detector
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3422
Dostęp on-line:


5/12
Nr opisu: 0000071978
Tytuł oryginału: Modelowanie dwuwymiarowe fotonapięcia powierzchniowego w strukturach metal/izolator/GaN o symetrii cylindrycznej.
Autorzy: Maciej* Matys, P. PowroĽnik, D. Kupka, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: W: Powierzchnia i struktury cienkowarstwowe. XII Seminarium. SemPiSC, Szklarska Poręba, 9-12 maja 2012. Ksi±żka streszczeń. [B.m.] : [b.w.], 2012, s. 1-2, bibliogr. 3 poz.
Organizator: Polskie Towarszystwo Próżniowe, Sekcja Cienkich Warstw, Sekcja Nauki o Powierzchni [i in.]
Słowa kluczowe polskie: fotonapięcie powierzchniowe ; metal/izolator/GaN ; symetria cylindryczna
Słowa kluczowe angielskie: surface photovoltage ; metal/insulator/GaN ; cylindrical symmetry
Typ publikacji: K
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


6/12
Nr opisu: 0000082739
Tytuł oryginału: Modelowanie fotodetektora ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/GaN i AlGaN/GaN.
Autorzy: Marcin** Miczek, Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: W: Jedenasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 11-14.06.2012]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2012, s. 157
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Słowa kluczowe polskie: detektor ultrafioletu ; napięcie powierzchniowe ; AlGaN/GaN ; defekt objęto¶ciowy ; fotonapięcie powierzchniowe ; metal/izolator/półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie: UV detector ; surface tension ; AlGaN/GaN ; volume defect ; surface photovoltage ; MIS
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


7/12
Nr opisu: 0000080343
Tytuł oryginału: Surface photovoltage and Auger electron spectromicroscopy studies of HfO2/SiO2/4H-SiC and HfO2/Al2O3/4H-SiC structures
Autorzy: Alina Domanowska, Marcin** Miczek, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, J. Żywicki, A. Taube, K. Korwin-Mikke, S. Gierałtowska, M. Sochacki.
¬ródło: -Appl. Surf. Sci. 2012 vol. 258 iss. 21, s. 8354-8359, bibliogr. 43 poz.
Impact Factor: 2.112
Punktacja MNiSW: 30.000
p-ISSN: 0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie: węglik krzemu ; pasywacja powierzchni ; fotonapięcie powierzchniowe ; spektroskopia elektronów Augera
Słowa kluczowe angielskie: silicon carbide ; surface passivation ; surface photovoltage ; Auger electron spectroscopy ; chemical in-depth profiling ; interface charge
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


8/12
Nr opisu: 0000082582
Tytuł oryginału: Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Maciej* Matys.
¬ródło: W: Dziesi±ta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011, s. 137
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Słowa kluczowe polskie: GaN ; fotonapięcie powierzchniowe ; rekombinacja ; detektor ultrafioletu ; metoda elementów skończonych
Słowa kluczowe angielskie: GaN ; surface photovoltage ; recombination ; UV detector ; finite element method
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


9/12
Nr opisu: 0000084444
Tytuł oryginału: Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Maciej* Matys.
¬ródło: -Elektronika 2011 R. 52 nr 9, s. 43-45, bibliogr. 6 poz.
Punktacja MNiSW: 6.000
p-ISSN: 0033-2089
Słowa kluczowe polskie: GaN ; fotonapięcie powierzchniowe ; rekombinacja ; detektor ultrafioletu ; metoda elementów skończonych ; MES
Słowa kluczowe angielskie: GaN ; surface photovoltage ; recombination ; UV detector ; finite element method ; FEM
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.2411


10/12
Nr opisu: 0000056791
Tytuł oryginału: Surface electronic properties of sulfur-treated GaAs determined by surface photovoltage measurement and its computer simulation
Autorzy: Paweł* Tomkiewicz, Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, J. Mizsei, D. Zahn, H. Hasegawa, Jacek Szuber.
¬ródło: -Surf. Sci. 2009 vol. 603 iss. 3, s. 498-502, bibliogr. 39 poz.
Impact Factor: 1.798
p-ISSN: 0039-6028
e-ISSN: 1879-2758
Słowa kluczowe polskie: Gats ; pasywacja ; chlorek siarki ; powierzchnia rozdziału faz ; poziom Fermiego ; fotonapięcie powierzchniowe ; potencjał styku ; sonda Kelvina
Słowa kluczowe angielskie: Gats ; passivation ; sulphur chloride ; interface ; Fermi level ; surface photovoltage ; contact potential ; Kelvin probe
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


11/12
Nr opisu: 0000018246
Tytuł oryginału: Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces
Autorzy: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume, H. Hasegawa.
¬ródło: -Opt. Appl. 2005 vol. 35 no. 3, s. 355-361, bibliogr. 28 poz.
Impact Factor: 0.459
p-ISSN: 0078-5466
e-ISSN: 1899-7015
Słowa kluczowe polskie: arsenek galu ; azotek galu ; stan powierzchniowy ; fotoluminescencja ; fotonapięcie powierzchniowe
Słowa kluczowe angielskie: gallium arsenide ; gallium nitride ; surface states ; photoluminescence ; surface photovoltage
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3422
Dostęp on-line:


12/12
Nr opisu: 0000007661
Tytuł oryginału: Characterisation of the electronic status of III-V-based surfaces and interfaces for nanoelectronics applications.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
¬ródło: W: 27-th International Conference and Exhibition IMAPS - Poland 2003, Podlesice, Gliwice, 16-19 September, 2003. Proceedings. Eds: M. Drelichowska [i in.]. [Kraków] : [International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter], 2003, s. 11-20, bibliogr. 32 poz.
Organizator: International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter [i in.]
Słowa kluczowe polskie: stan powierzchniowy ; rekombinacja powierzchniowa ; poziom Fermiego ; pasywacja ; fotoluminescencja ; fotonapięcie powierzchniowe ; algorytm genetyczny
Słowa kluczowe angielskie: surface states ; surface recombination ; Fermi level ; passivation ; photoluminescence ; surface photovoltage ; genetic algorithm
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. Cz.01 78241


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie