Wynik wyszukiwania
Zapytanie: DETEKTOR ULTRAFIOLETU
Liczba odnalezionych rekordów: 4



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/4
Nr opisu: 0000088327
Tytuł oryginału: Two-dimensional modeling of surface photovoltage in metal/insulator/n-GaN structure with cylindrical symmetry
Autorzy: Maciej* Matys, P. PowroĽnik, D. Kupka, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: -Opt. Appl. 2013 vol. 43 no. 1, s. 47-52, bibliogr. 7 poz.
Impact Factor: 0.643
Punktacja MNiSW: 15.000
p-ISSN: 0078-5466
e-ISSN: 1899-7015
DOI:
Słowa kluczowe polskie: fotonapięcie powierzchniowe ; azotek galu ; metal/izolator/GaN ; struktura MIS ; detektor ultrafioletu
Słowa kluczowe angielskie: surface photovoltage ; gallium nitride ; metal/insulator/GaN ; MIS structure ; UV detector
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3422
Dostęp on-line:


2/4
Nr opisu: 0000082739
Tytuł oryginału: Modelowanie fotodetektora ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/GaN i AlGaN/GaN.
Autorzy: Marcin** Miczek, Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: W: Jedenasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 11-14.06.2012]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2012, s. 157
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Słowa kluczowe polskie: detektor ultrafioletu ; napięcie powierzchniowe ; AlGaN/GaN ; defekt objęto¶ciowy ; fotonapięcie powierzchniowe ; metal/izolator/półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie: UV detector ; surface tension ; AlGaN/GaN ; volume defect ; surface photovoltage ; MIS
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


3/4
Nr opisu: 0000082582
Tytuł oryginału: Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Maciej* Matys.
¬ródło: W: Dziesi±ta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011, s. 137
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Słowa kluczowe polskie: GaN ; fotonapięcie powierzchniowe ; rekombinacja ; detektor ultrafioletu ; metoda elementów skończonych
Słowa kluczowe angielskie: GaN ; surface photovoltage ; recombination ; UV detector ; finite element method
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


4/4
Nr opisu: 0000084444
Tytuł oryginału: Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Maciej* Matys.
¬ródło: -Elektronika 2011 R. 52 nr 9, s. 43-45, bibliogr. 6 poz.
Punktacja MNiSW: 6.000
p-ISSN: 0033-2089
Słowa kluczowe polskie: GaN ; fotonapięcie powierzchniowe ; rekombinacja ; detektor ultrafioletu ; metoda elementów skończonych ; MES
Słowa kluczowe angielskie: GaN ; surface photovoltage ; recombination ; UV detector ; finite element method ; FEM
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.2411


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie