Wynik wyszukiwania
Zapytanie: ARSENEK GALU
Liczba odnalezionych rekordów: 7



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/7
Nr opisu: 0000063355
Tytuł oryginału: Surface passivation of III-V semiconductors for future CMOS devices - past research, present status and key issues for future
Autorzy: H. Hasegawa, M. Akazawa, Alina Domanowska, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: -Appl. Surf. Sci. 2010 vol. 256 iss. 19, s. 5698-5707, bibliogr. 65 poz.
Impact Factor: 1.795
p-ISSN: 0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie: półprzewodnik grupy III-V ; pasywacja powierzchni ; MISFET ; dielektryk o wysokiej przenikalno¶ci elektrycznej ; arsenek galu ; GaAs ; fotoluminescencja
Słowa kluczowe angielskie: III-V semiconductor ; surface passivation ; MISFET ; high-k dielectric ; gallium arsenide ; GaAs ; photoluminescence
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


2/7
Nr opisu: 0000025451
Tytuł oryginału: Charge transient spectroscopy measurements of GaAs metal-insulator-semiconductor structures
Autorzy: Stanisław** Kochowski, Michał* Szydłowski, I. Thurzo, D. Zahn.
¬ródło: -Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 iss. 21, s. 2631-2635, bibliogr. 32 poz.
Uwagi: Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005
Impact Factor: 1.436
p-ISSN: 0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie: arsenek galu ; struktura metal-izolator-półprzewodnik ; spektroskopia produktów przej¶ciowych ; wła¶ciwo¶ci elektryczne ; miernictwo elektryczne
Słowa kluczowe angielskie: gallium arsenide ; metal-insulator-semiconductor structure ; charge transient spectroscopy ; electrical properties ; electrical measurement
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


3/7
Nr opisu: 0000021188
Tytuł oryginału: Micro-Raman spectroscopy of disordered and ordered sulfur phases on a passivated GaAs surface
Autorzy: Tomasz Błachowicz, G. Salvan, D. Zahn, Jacek Szuber.
¬ródło: -Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 nr 21, s. 7642-7646, bibliogr. 18 poz.
Uwagi: Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005
Impact Factor: 1.436
p-ISSN: 0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie: arsenek galu ; pasywacja siarki ; spektroskopia Ramana ; morfologia powierzchni ; (NH4)2Sx ; S2Cl2
Słowa kluczowe angielskie: gallium arsenide ; sulfur passivation ; Raman spectroscopy ; surface morphology ; (NH4)2Sx ; S2Cl2
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


4/7
Nr opisu: 0000018246
Tytuł oryginału: Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces
Autorzy: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume, H. Hasegawa.
¬ródło: -Opt. Appl. 2005 vol. 35 no. 3, s. 355-361, bibliogr. 28 poz.
Impact Factor: 0.459
p-ISSN: 0078-5466
e-ISSN: 1899-7015
Słowa kluczowe polskie: arsenek galu ; azotek galu ; stan powierzchniowy ; fotoluminescencja ; fotonapięcie powierzchniowe
Słowa kluczowe angielskie: gallium arsenide ; gallium nitride ; surface states ; photoluminescence ; surface photovoltage
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3422
Dostęp on-line:


5/7
Nr opisu: 0000011168
Tytuł oryginału: Characterization of the interface and the bulk phenomena in metal-SiO2-(n) GaAs structure by analysis of the equivalent circuit parameters at different temperatures
Autorzy: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
¬ródło: -Thin Solid Films 2004 vol. 467 iss. 1/2, s. 190-196, bibliogr. 42 poz.
Impact Factor: 1.647
p-ISSN: 0040-6090
e-ISSN: 1879-2731
DOI:
Słowa kluczowe polskie: element stałofazowy ; wła¶ciwo¶ci elektryczne ; miernictwo elektryczne ; arsenek galu
Słowa kluczowe angielskie: constant phase element ; electrical properties ; electrical measurement ; gallium arsenide ; metal-insulator-semiconductor structure
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


6/7
Nr opisu: 0000011325
Tytuł oryginału: Studies of GaAs metal-insulator-semiconductor strucutres by the admittance spectroscopy method
Autorzy: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, M. Szydlowski.
¬ródło: -Appl. Surf. Sci. 2004 vol. 235 iss. 3, s. 389-394, bibliogr. 28 poz.
Impact Factor: 1.497
p-ISSN: 0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie: element stałofazowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik ; wła¶ciwo¶ci elektryczne ; pomiary elektryczne ; arsenek galu
Słowa kluczowe angielskie: constant phase element ; metal-insulator-semiconductor structure ; electrical properties ; electrical measurements ; gallium arsenide
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


7/7
Nr opisu: 0000008347
Tytuł oryginału: Two constant phase element behaviour of the admittance characteristics of GaAs metal-insulator-semiconductor structure with deep traps
Autorzy: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
¬ródło: -Thin Solid Films 2003 vol. 444 iss. 1/2, s. 208-214, bibliogr. 34 poz.
Impact Factor: 1.598
p-ISSN: 0040-6090
e-ISSN: 1879-2731
Słowa kluczowe polskie: element stałofazowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik ; wła¶ciwo¶ci elektryczne ; arsenek galu
Słowa kluczowe angielskie: constant phase element ; metal-insulator-semiconductor structure ; electrical properties ; gallium arsenide
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie