Wynik wyszukiwania
Zapytanie: ICTS
Liczba odnalezionych rekordów: 1



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/1
Nr opisu: 0000089617
Tytuł oryginału: The analysis of filling pulse parameters influence on ICTS data of GaAs MIS structures.
Autorzy: Łukasz Drewniak, Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz.
Źródło: W: Electron Technology Conference 2013, Ryn, Poland, 16-20 April 2013. Eds: Paweł Szczepański, Ryszard Kisiel, Ryszard S. Romaniuk. Bellingham : SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2013, art. 890209 s. 1-8, bibliogr. 16 poz.
ISBN: 978-0-8194-9521-1
Organizator: Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw University of Technology (Poland)
Seria: (Proceedings of SPIE ; vol. 8902 0277-786X)
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,5
Bazy indeksujące publikację: Web of Science; Scopus
DOI:
Słowa kluczowe polskie: struktura GaAs MIS ; ICTS ; stany międzypowierzchni
Słowa kluczowe angielskie: GaAs MIS structure ; ICTS ; interface states
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.


stosując format:
Nowe wyszukiwanie