Wynik wyszukiwania
Zapytanie: GAN
Liczba odnalezionych rekordów: 12



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/12
Nr opisu: 0000132122
Tytuł oryginału: Analiza i badania wysokoczęstotliwo¶ciowych falowników klasy DE z tranzystorami MOSFET na bazie SiC i GaN. Rozprawa doktorska.
Autorzy: Krzysztof* Przybyła.
Miejsce i rok obrony: Gliwice, 2019
Opis fizyczny: , 143 k., bibliogr. 118 poz.
Uczelnia i wydział: Politechnika ¦l±ska. Wydział Elektryczny.
Promotor: dr hab. inż. Marcin Kasprzak, dr inż. Marcin Zygmanowski
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy DE ; wysoka częstotliwo¶ć ; tranzystor MOSFET ; SiC ; GaN
Słowa kluczowe angielskie: class DE inverter ; high frequency ; MOSFET transistor ; SiC ; GaN
Typ publikacji: D
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦ sygn. R-5607+CD
Dostęp BCP¦:


2/12
Nr opisu: 0000133268
Tytuł oryginału: Feasibility of hgh frequency zero-voltage switching boost converters achieving high power density using wide-bandgap devices.
Autorzy: Piotr Zimoch, Kamil Kierepka, Marcin Kasprzak.
¬ródło: W: 2019 International Conference on Electrical Drives & Power Electronics (EDPE). 9th Joint Slovakian-Croatian Conference, 24-26 September 2019, Novy Smokovec, The High Tatras, Slovak Republic. Conference proceedings. Piscataway : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2019, s. 24-29, bibliogr. 12 poz.
ISBN: 978-1-7281-0390-7978-1-7281-0389-1
Organizator: Faculty of Electrical Engineering and Informatics. Technical University of Kosice. Slovakia [et al.]
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,5
DOI:
Słowa kluczowe polskie: GaN ; gęsto¶ć mocy ; przekształtnik DC/DC typu boost ; przeł±czenie miękkie
Słowa kluczowe angielskie: GaN ; power density ; DC/DC boost converter ; zero voltage switching
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


3/12
Nr opisu: 0000122770
Tytuł oryginału: Possible application of SiC and GaN MOSFET transistors in class de inverter
Tytuł w wersji polskiej: Możliwo¶ci zastosowania tranzystorów MOSFET na bazie SiC oraz GaN w falowniku klasy DE
Autorzy: Krzysztof* Przybyła.
¬ródło: -Pr. Nauk. P¦l., Elektr. 2016 R. 62 z. 3/4, s. 23-33, bibliogr. 25 poz.
Punktacja MNiSW: 6.000
p-ISSN: 1897-8827
Słowa kluczowe polskie: MOSFET ; SiC ; GaN ; falownik klasy DE
Słowa kluczowe angielskie: MOSFET ; SiC ; GaN ; class DE inverter
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3348
Dostęp on-line:


4/12
Nr opisu: 0000107443
Tytuł oryginału: Wła¶ciwo¶ci tranzystorów MOSFET na bazie SiC i GaN.
Autorzy: Krzysztof* Przybyła.
¬ródło: W: Energoelektronika w nauce i dydaktyce. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika ¦l±ska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki ¦l±skiej, 2016, s. 129-134, bibliogr. 16 poz.
ISBN: 978-83-911058-2-5
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,3
Słowa kluczowe polskie: tranzystor MOSFET ; węglik krzemu ; azotek galu ; SiC ; GaN
Słowa kluczowe angielskie: MOSFET transistor ; silicon carbide ; gallium nitride ; SiC ; GaN
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


5/12
Nr opisu: 0000093838
Tytuł oryginału: Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/GaN i AlGaN/GaN.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Alina Domanowska, Z. Żytkiewicz, M. Sobańska, A. Taube, R. Kruszka.
¬ródło: W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 184 + tekst na CD-ROM
ISBN: 978-83-934712-6-3
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Liczba arkuszy wydawniczych: 1
Słowa kluczowe polskie: fotodetektor ultrafioletu ; GaN ; AlGaN/GaN ; stan powierzchniowy ; fotonapięcie powierzchniowe ; fotopojemno¶ć ; pasywacja ; struktura metal-izolator-półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie: UV photodetector ; GaN ; AlGaN/GaN ; surface condition ; surface photovoltage ; photocapacitance ; passivation ; metal-insulator-semiconductor structure
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


6/12
Nr opisu: 0000093844
Tytuł oryginału: Wykorzystanie nanodrutów GaN na podłożach Si w strukturach sensorów chemicznych.
Autorzy: K. Kłosek, M. Sobańska, Z. Żytkiewicz, A. Wierzbicka, A. Reszka, R. Kruszka, K. Gołaszewska, Maciej Setkiewicz, Tadeusz Pustelny.
¬ródło: W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 201-203 + tekst na CD-ROM
ISBN: 978-83-934712-6-3
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,51
Słowa kluczowe polskie: GaN ; sensor chemiczny ; nanodruty ; epitaksja z wi±zek molekularnych
Słowa kluczowe angielskie: GaN ; chemical sensor ; nanowires ; molecular beam epitaxy
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


7/12
Nr opisu: 0000093841
Tytuł oryginału: Wyznaczanie energetycznego rozkładu gęsto¶ci powierzchniowych na granicy fazowej Al2O3/GaN i Al2O3/AlGaN.
Autorzy: Maciej* Matys, Rafał* Ucka, Bogusława Adamowicz, Y. Hori, T. Hashizume.
¬ródło: W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 194 + tekst na CD-ROM
ISBN: 978-83-934712-6-3
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Liczba arkuszy wydawniczych: 1
Słowa kluczowe polskie: Al2O3 ; GaN ; AlGaN ; pasywacja ; fotopojemno¶ć ; stan powierzchniowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie: Al2O3 ; GaN ; AlGaN ; passivation ; photocapacitance ; surface condition ; metal-insulator-semiconductor structure
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


8/12
Nr opisu: 0000082582
Tytuł oryginału: Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Maciej* Matys.
¬ródło: W: Dziesi±ta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011, s. 137
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Słowa kluczowe polskie: GaN ; fotonapięcie powierzchniowe ; rekombinacja ; detektor ultrafioletu ; metoda elementów skończonych
Słowa kluczowe angielskie: GaN ; surface photovoltage ; recombination ; UV detector ; finite element method
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


9/12
Nr opisu: 0000084444
Tytuł oryginału: Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Maciej* Matys.
¬ródło: -Elektronika 2011 R. 52 nr 9, s. 43-45, bibliogr. 6 poz.
Punktacja MNiSW: 6.000
p-ISSN: 0033-2089
Słowa kluczowe polskie: GaN ; fotonapięcie powierzchniowe ; rekombinacja ; detektor ultrafioletu ; metoda elementów skończonych ; MES
Słowa kluczowe angielskie: GaN ; surface photovoltage ; recombination ; UV detector ; finite element method ; FEM
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.2411


10/12
Nr opisu: 0000081093
Tytuł oryginału: Analiza numeryczna zjawisk fotoelektronowych w detektorach promieniowania UV typu MIS na bazie n-GaN.
Autorzy: Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
¬ródło: W: IV Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2010, Poznań, 28.06-02.07 2010. Program i streszczenia. Wydział Fizyki Technicznej Politechniki Poznańskiej [et al.].. Poznań : [b.w.], 2010, s. 235, bibliogr. 4 poz.
Słowa kluczowe polskie: GaN ; struktura MIS ; COMSOL
Słowa kluczowe angielskie: GaN ; MIS structure ; COMSOL
Typ publikacji: K
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


11/12
Nr opisu: 0000063105
Tytuł oryginału: Modeling of metal/insulator/GaN ultraviolet photodetector by finite element method.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, Piotr* Bidziński, T. Hashizume.
¬ródło: W: 18th International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications. MIKON-2010, Vilnius, Lithuania, June 14-16, 2010. Conference proceedings. Picataway : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2010, s. 1-3, bibliogr. 7 poz.
Słowa kluczowe polskie: GaN ; metal/izolator/półprzewodnik ; fotodekoder UV ; modelowanie komputerowe ; metoda elementów skończonych ; COMSOL
Słowa kluczowe angielskie: GaN ; MIS ; UV photodecoder ; computer modelling ; finite element method ; COMSOL
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


12/12
Nr opisu: 0000041375
Tytuł oryginału: Response to oxygen and chemical properties of SnO2 thin-film gas sensors.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Weronika Izydorczyk, Jacek Izydorczyk, Andrzej** Klimasek, Wiesław Jakubik, J. Żywicki.
¬ródło: W: Proceedings of the 9th Electron Technology Conference. ELTE 2007, Cracow, 4-7 September 2007. Ed. by B. Dziurdzia, T. Pisarkiewicz. [B.m.] : Elsevier, 2008, s. 966-970, bibliogr. 16 poz.
Seria: (Vacuum ; vol. 82, iss. 10 0042-207X)
Słowa kluczowe polskie: GaN ; technika wzrostu MOVPE ; podłoża proszkowe nanokrystaliczne
Słowa kluczowe angielskie: GaN ; MOVPE growth technique ; nanocrystalline powder substrates
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie