Wynik wyszukiwania
Zapytanie: WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR
Liczba odnalezionych rekordów: 7



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/7
Nr opisu: 0000109160
Tytuł oryginału: Zastosowanie nanostrktur półprzewodników szerokoprzerwowych w układach do pomiaru i detekcji wybranych gazów. Rozprawa doktorska.
Autorzy: Marcin Procek.
Miejsce i rok obrony: Gliwice, 2016
Opis fizyczny: , 171 k., bibliogr. 226 poz.
Uczelnia i wydział: Politechnika ¦l±ska. Wydział Elektryczny.
Promotor: prof. dr hab. inż. Tadeusz Pustelny, dr inż. Erwin Maciak
Słowa kluczowe polskie: sensor gazu ; nanostruktura ; półprzewodnik szerokoprzerwowy ; tlenek cynku ; ditlenek tytanu ; NO2 ; prekoncentrator gazu ; detekcja materiałów wybuchowych
Słowa kluczowe angielskie: gas sensor ; nanostructure ; wide bandgap semiconductor ; zinc oxide ; titanium dioxide ; NO2 ; gas preconcentration ; explosive materials detection
Typ publikacji: D
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. R-5307 + DVD


2/7
Nr opisu: 0000095366
Tytuł oryginału: Studies of changes in electrical resistance of zinc oxide nanostructures under the influence of variable gaseous environments
Autorzy: Marcin Procek, Tadeusz Pustelny, Agnieszka Stolarczyk, Erwin Maciak.
¬ródło: -Bull. Pol. Acad. Sci., Tech. Sci. 2014 vol. 62 no. 4, s. 365-646, biblioogr. 27 poz.
Impact Factor: 0.914
Punktacja MNiSW: 25.000
p-ISSN: 0239-7528
e-ISSN: 2300-1917
DOI:
Słowa kluczowe polskie: tlenek cynku ; ZnO ; nanostruktura ; czujnik gazu ; półprzewodnik ; wła¶ciwo¶ci elektryczne ; półprzewodnik szerokoprzerwowy ; nanostruktura kwiatopodobna
Słowa kluczowe angielskie: zinc oxide ; ZnO ; nanostructure ; gas sensor ; semiconductor ; electric properties ; wide bandgap semiconductor ; flower-like nanostructure
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.1277
Informacje o dostępie open-access: open-access-licence: CC-BY-NC-ND
Dostęp on-line:


3/7
Nr opisu: 0000093659
Tytuł oryginału: ZnO - wide bandgap semiconductor and possibilities of its application in optical waveguide structures
Autorzy: Przemysław Struk, Tadeusz Pustelny, K. Gołaszewska, M. Borysiewicz, E. Kamińska, T. Wojciechowski, A. Piotrowska.
¬ródło: -Metrol. Meas. Syst. 2014 vol. 21 nr 3, s. 401-412, bibliogr. 26 poz.
Impact Factor: 0.925
Punktacja MNiSW: 20.000
p-ISSN: 0860-8229
e-ISSN: 2300-1941
DOI:
Słowa kluczowe polskie: półprzewodnik szerokoprzerwowy ; ZnO ; optyka zintegrowana ; falowód planarny
Słowa kluczowe angielskie: wide bandgap semiconductor ; ZnO ; integrated optics ; planar waveguide
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.4407
Informacje o dostępie open-access: open-access-licence: CC-BY-NC-ND
Dostęp on-line:


4/7
Nr opisu: 0000073612
Tytuł oryginału: Analizy modelowe oraz badania eksperymentalne wybranych struktur fotonicznych na bazie półprzewodników szerokoprzerwowych. Rozprawa doktorska.
Autorzy: Przemysław Struk.
Miejsce i rok obrony: Gliwice, 2012
Opis fizyczny: , 216 k., bibliogr. 109 poz.
Uczelnia i wydział: Politechnika ¦l±ska. Wydział Elektryczny.
Promotor: prof. dr hab. inż. Tadeusz Pustelny
Słowa kluczowe polskie: struktura fotoniczna ; półprzewodnik szerokoprzerwowy ; struktura sensorowa
Słowa kluczowe angielskie: photonic structure ; wide bandgap semiconductor ; sensor structure
Typ publikacji: D
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. Cz.Ab. R-4880 + CD


5/7
Nr opisu: 0000084466
Tytuł oryginału: Determination of the deep donor-like interface state density distribution in metal/Al2O3/n-GaN structures from the photocapacitance-light intensity measurement
Autorzy: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
¬ródło: -Appl. Phys. Lett. 2012 vol. 101 iss. 23, s. 231608-1 - 231608-4, bibliogr. 18 poz.
Impact Factor: 3.794
Punktacja MNiSW: 40.000
p-ISSN: 0003-6951
e-ISSN: 1077-3118
DOI:
Słowa kluczowe polskie: zwi±zki aluminium ; zwi±zki galu ; półprzewodnik grupy III-V ; struktura MIS ; fotopojemno¶ć ; pasmo walencyjne ; półprzewodnik szerokoprzerwowy
Słowa kluczowe angielskie: aluminium compounds ; gallium compounds ; III-V semiconductor ; MIS structure ; photocapacitance ; valence band ; wide bandgap semiconductor
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


6/7
Nr opisu: 0000083622
Tytuł oryginału: Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych (INTechFun).
Autorzy: A. Piotrowska, P. Mihalovits, E. Kamińska, M. Borysiewicz, M. Guziewicz, M. Ekielski, M. Juchniewicz, K. Korwin-Mikke, A. Taube, R. Kruszka, I. Pasternak, Z. Adamus, K. Gołaszewska, A. Barcz, A. Czerwiński, T. Gutt, H. Przewłocki, G. Zaremba, P. Bogusławski, O. Volnianska, Z. Żytkiewicz, E. Dynowska, M. Sawicki, W. Nakwaski, A. Brozi, Tadeusz Pustelny, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, J. Szmidt, M. Sochacki, M. Borecki.
¬ródło: W: Dziesi±ta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011, s. 129-130
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Słowa kluczowe polskie: nanoelektronika ; fotonika ; spintronika ; półprzewodnik szerokoprzerwowy ; tlenek cienkowarstwowy
Słowa kluczowe angielskie: nanoelectronics ; photonics ; spintronics ; wide bandgap semiconductor ; thin-film oxide
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


7/7
Nr opisu: 0000082623
Tytuł oryginału: Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych (InTechFun).
Autorzy: A. Piotrowska, P. Mihalovits, E. Kamińska, M. Borysiewicz, M. Guziewicz, M. Ekielski, M. Juchniewicz, K. Korwin-Mikke, A. Taube, R. Kruszka, I. Pasternak, Z. Adamus, K. Gołaszewska, A. Barcz, A. Czerwiński, M. Wzorek, T. Gutt, H. Przewłocki, G. Zaremba, P. Bogusławski, O. Volnianska, Z. Żytkiewicz, E. Dynowska, M. Sawicki, W. Nakwaski, A. Brozi, Tadeusz Pustelny, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, J. Szmidt, M. Sochacki, M. Borecki.
¬ródło: W: Dziewi±ta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 30.05-02.06.2010]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2010, s. 29-30
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Słowa kluczowe polskie: nanoelektronika ; fotonika ; spintronika ; technika laserowa ; półprzewodnik szerokoprzerwowy ; tlenek cienkowarstwowy
Słowa kluczowe angielskie: nanoelectronics ; photonics ; spintronics ; laser technique ; wide bandgap semiconductor ; thin-film oxide
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie