Wynik wyszukiwania
Zapytanie: SURFACE RECOMBINATION
Liczba odnalezionych rekordów: 4



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/4
Nr opisu: 0000082601
Tytuł oryginału: Modelowanie wpływu stanów powierzchniowych na zjawiska rekombinacyjne w GaN.
Autorzy: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: W: Dziesi±ta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011, s. 167
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Słowa kluczowe polskie: azotek galu ; fotoluminescencja ; rekombinacja powierzchniowa ; metoda elementów skończonych ; defekt radiacyjny
Słowa kluczowe angielskie: gallium nitride ; photoluminescence ; surface recombination ; finite element method ; radiation defect
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


2/4
Nr opisu: 0000028360
Tytuł oryginału: The influence of light intensity on surface recombination in GaS single crystals
Autorzy: Maria** Szałajko, Marian** Nowak.
¬ródło: -Appl. Surf. Sci. 2007 vol. 253 nr 7, s. 3636-3641, bibliogr. 15 poz.
Impact Factor: 1.406
p-ISSN: 0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie: siarczek galu ; fotoprzewodnictwo ; rekombinacja powierzchniowa
Słowa kluczowe angielskie: gallium sulphide ; photoconductivity ; surface recombination
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


3/4
Nr opisu: 0000029174
Tytuł oryginału: Dynamics and control of recombination process at semiconductor surfaces, interfaces and nano-structures
Autorzy: H. Hasegawa, T. Sato, S. Kasai, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
¬ródło: -Sol. Energy 2006 vol. 80 iss. 6, s. 629-644, bibliogr.
Impact Factor: 1.431
p-ISSN: 0038-092X
DOI:
Słowa kluczowe polskie: stan powierzchniowy ; rekombinacja powierzchniowa ; spektroskopia tunelowa ; nanostruktura
Słowa kluczowe angielskie: surface states ; surface recombination ; tunnelling spectroscopy ; nanostructure ; Fermi level pinning ; capacitance voltage method
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


4/4
Nr opisu: 0000007661
Tytuł oryginału: Characterisation of the electronic status of III-V-based surfaces and interfaces for nanoelectronics applications.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
¬ródło: W: 27-th International Conference and Exhibition IMAPS - Poland 2003, Podlesice, Gliwice, 16-19 September, 2003. Proceedings. Eds: M. Drelichowska [i in.]. [Kraków] : [International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter], 2003, s. 11-20, bibliogr. 32 poz.
Organizator: International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter [i in.]
Słowa kluczowe polskie: stan powierzchniowy ; rekombinacja powierzchniowa ; poziom Fermiego ; pasywacja ; fotoluminescencja ; fotonapięcie powierzchniowe ; algorytm genetyczny
Słowa kluczowe angielskie: surface states ; surface recombination ; Fermi level ; passivation ; photoluminescence ; surface photovoltage ; genetic algorithm
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. Cz.01 78241


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie