Wynik wyszukiwania
Zapytanie: SULFIDATION
Liczba odnalezionych rekordów: 3



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/3
Nr opisu: 0000023850
Tytuł oryginału: Wpływ składu chemicznego atmosfery korozyjnej na odporno¶ć stopów na osnowie fazy Fe3Al.
Tytuł w wersji angielskiej: Influence of chemical composition of the corrosion atmosphere on hot-corrosion resistance of Fe3Al alloys
Autorzy: Barbara** Dytkowicz, Adam** Hernas.
¬ródło: W: XXXIV Szkoła Inżynierii Materiałowej, Kraków - Krynica, 26-29 IX 2006. Akademia Górniczo-Hutnicza im. St. Staszica w Krakowie. Wydział Inżynierii Metali i Informatyki Przemysłowej. [Kraków] : [Edukacja], [2006], s. 305-310, bibliogr. 9 poz.
Słowa kluczowe polskie: faza międzymetaliczna Fe-Al ; utlenianie ; korozja wysokotemperaturowa ; siarkowanie ; chlorowanie
Słowa kluczowe angielskie: Fe-Al intermetallics ; oxidation ; high-temperature corrosion ; sulfidation ; chlorination
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. Cz.01 116661


2/3
Nr opisu: 0000025453
Tytuł oryginału: XPS analysis of surface chemistry of near surface region of epiready GaAs(1 0 0) surface treated with (NH4)2Sx solution
Autorzy: Sebastian* Arabasz, E. Bergignat, G. Hollinger, Jacek Szuber.
¬ródło: -Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 iss. 21, s. 7659-7663, bibliogr. 32 poz.
Uwagi: Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005
Impact Factor: 1.436
p-ISSN: 0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie: GaAs ; pasywacja ; XPS ; siarkowanie
Słowa kluczowe angielskie: GaAs ; passivation ; XPS ; sulfidation
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


3/3
Nr opisu: 0000025543
Tytuł oryginału: XPS study of surface chemistry of epiready GaAs(1 0 0) surface after (NH4)2Sx passivation
Autorzy: Sebastian* Arabasz, E. Bergignat, G. Hollinger, Jacek Szuber.
¬ródło: -Vacuum 2006 vol. 80 iss. 8, s. 888-893, bibliogr. 36 poz.
Impact Factor: 0.834
p-ISSN: 0042-207X
e-ISSN: 1879-2715
DOI:
Słowa kluczowe polskie: GaAs ; siarkowanie ; pasywacja ; XPS ; półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie: GaAs ; sulfidation ; passivation ; XPS ; semiconductor
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie