Wynik wyszukiwania
Zapytanie: SEMICONDUCTOR
Liczba odnalezionych rekordów: 39



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/39
Nr opisu: 0000122386
Tytuł oryginału: Anisotropic-cyclicgraphene: a new two-dimensional semiconducting carbon allotrope
Autorzy: M. MaĽdziarz, A. Mrozek, Wacław Ku¶, T. Burczyński.
¬ródło: -Materials 2018 vol. 11 iss. 3, art. no. 432 s. 1-12, bibliogr. 55 poz.
Impact Factor: 2.467
Punktacja MNiSW: 35.000
p-ISSN: 1996-1944
DOI:
Słowa kluczowe polskie: węgiel ; grafen ; graphyne ; obliczenia ab initio ; półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie: carbon ; graphene ; graphyne ; ab initio calculations ; semiconductor
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_PUBLISHED open-access-licence: CC-BY open-access-release-time: AFTER_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


2/39
Nr opisu: 0000118845
Tytuł oryginału: ZnO semiconductor for applications in optoelectronics sensors structures.
Autorzy: Przemysław Struk, Tadeusz Pustelny.
¬ródło: W: 12th Conference on Integrated Optics: Sensors, Sensing Structures, and Methods, Szczyrk-Gliwice, 28 February - 3 March 2017. Eds.: Przemyslaw Struk, Tadeusz Pustelny. Bellingham : SPIE, 2017, art. no. 104550K, bibliogr. 19 poz.
ISBN: 97815106139119781510613928
Seria: (Proceedings of SPIE ; vol. 10455 0277-786X)
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,5
Bazy indeksuj±ce publikację: Scopus; Web of Science
DOI:
Słowa kluczowe polskie: zintegrowane struktury optyczne ; jednomodowy falowód polimerowy ; tlenek cynku ; półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie: integrated optics structures ; single mode polymer waveguide ; zinc oxide ; semiconductor
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


3/39
Nr opisu: 0000107689
Tytuł oryginału: Determination of electrical conductivity type of SbSI nanowires
Autorzy: Krystian Mistewicz, Marian** Nowak, Anna Starczewska, Marcin Jesionek, Tomasz Rzychoń, R. Wrzalik, A. Guiseppi-Elie.
¬ródło: -Mater. Lett. 2016 vol. 182, s. 78-80, bibliogr. 10 poz.
Impact Factor: 2.572
Punktacja MNiSW: 35.000
p-ISSN: 0167-577X
e-ISSN: 1873-4979
DOI:
Słowa kluczowe polskie: jodosiarczek antymonu ; SbSI ; nanodruty ; przewodno¶ć elektryczna ; czujnik gazowy ; półprzewodnik ; ferroelektryk
Słowa kluczowe angielskie: antimony sulfoiodide ; SbSI ; nanowires ; electrical conductivity ; gas sensor ; semiconductor ; ferroelectrics
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


4/39
Nr opisu: 0000110590
Tytuł oryginału: Influence of external gaseous environments on the electrical properties of ZnO nanostructures obtained by a hydrothermal method
Autorzy: Marcin Procek, Tadeusz Pustelny, Agnieszka Stolarczyk.
¬ródło: -Nanomaterials 2016 vol. 6 iss. 12, s. 1-17, bibliogr. 54 poz.
Impact Factor: 3.553
Punktacja MNiSW: 35.000
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,8
p-ISSN: 2079-4991
DOI:
Słowa kluczowe polskie: nanostruktura tlenku cynku ; elektryczny czujnik gazu ; rezystywno¶ć nanostruktury ZnO ; wykrywanie dwutlenku azotu ; wzbudzanie ultrafioletowe ; półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie: zinc oxide nanostructure ; electrical gas sensor ; electrical resistivity of ZnO nanostructure ; nitrogen dioxide detection ; ultraviolet excitation ; semiconductor
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Informacje o dostępie open-access: open-access-licence: CC-BY
Dostęp on-line:


5/39
Nr opisu: 0000115986
Tytuł oryginału: Sonochemical growth of nanomaterials.
Autorzy: Marian** Nowak, Piotr Szperlich, Marcin Jesionek, Anna Starczewska, Krystian Mistewicz, B. Totoń.
¬ródło: W: 1st International Conference InterNanoPoland 2016. International Conference Center, Katowice, 14-15 June, 2016. Abstracts book. Ed. Agnieszka Piekara, Karol Lemański. Katowice : The Foundation of Nanoscience and Nanotechnology Support Nanonet, 2016, s. 27, bibliogr. 3 poz.
ISBN: 978-83-944591-0-9
Organizator: The Foundation of Nanoscience and Nanotechnology Support NANONET
Słowa kluczowe polskie: sonochemia ; nanodruty ; kryształ fotoniczny ; ferroelektryk ; półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie: sonochemistry ; nanowires ; photonic crystal ; ferroelectrics ; semiconductor
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


6/39
Nr opisu: 0000107707
Tytuł oryginału: Sonochemical growth of nanomaterials in carbon nanotube.
Autorzy: Marcin Jesionek, Marian** Nowak, Krystian Mistewicz, D. Stróż, Iwona Bednarczyk, A. Guiseppi-Elie, R. Paszkiewicz.
¬ródło: W: ULTRASONICS 2016. II International Conference on Ultrasonic-based Applications: from analysis to synthesis, 6th - 8th June 2016, Caparica, Portugal. Proceedings Book. Caparica : ProteoMass, 2016, s. 181-182
ISBN: 978-989-99361-9-5
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,1
Słowa kluczowe polskie: nanorurki węglowe ; jodosiarczek antymonu ; sonochemia ; hermetyzacja ; półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie: carbon nanotubes ; antimony sulfoiodide ; sonochemistry ; encapsulation ; semiconductor
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


7/39
Nr opisu: 0000104967
Tytuł oryginału: Synthesis of kesterite nanopowders with bandgap tuning ligands
Autorzy: S. Podsiadło, M. Bialoglowski, M. Fadaghi, G. Matyszczak, K. Kardas, P. Dłużewski, Przemysław Data, Mieczysław Łapkowski.
¬ródło: -Cryst. Res. Technol. 2015 vol. 50 iss. 9/10, s. 743-746, bibliogr. 16 poz.
Impact Factor: 0.908
Punktacja MNiSW: 20.000
p-ISSN: 0232-1300
e-ISSN: 1521-4079
DOI:
Słowa kluczowe polskie: fotowoltaika ; półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie: photovoltaics ; semiconductor ; kesterite
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


8/39
Nr opisu: 0000099759
Tytuł oryginału: Analysis of implementation opportunities for selected conventional counter-based circuits in selected FPGA structures in terms of time performance.
Autorzy: Jarosław Wrotniak, Krzysztof* Pucher, Dariusz Polok.
¬ródło: W: International Conference on Applied and Theoretical Electricity (ICATE), Craiova, 23-25 Oct. 2014. Piscataway : IEEE, 2014, s. 1-7, bibliogr. 13 poz.
ISBN: 978-1-4799-4160-5978-1-4799-4161-2
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,5
Bazy indeksuj±ce publikację: Web of Science; Scopus
DOI:
Słowa kluczowe polskie: FPGA ; układ logiczny ; półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie: Field Programmable Gate Array ; logic array ; semiconductor
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


9/39
Nr opisu: 0000092753
Tytuł oryginału: Doping behaviour of electrochemically generated model bithiophene meta-substituted star shaped oligomer
Autorzy: Przemysław Ledwoń, Roman Turczyn, K. Idzik, R. Beckert, J. Frydel, Mieczysław Łapkowski, Wojciech Domagała.
¬ródło: -Mater. Chem. Phys. 2014 vol. 147 iss. 1/2, s. 254-260, bibliogr. 57 poz.
Impact Factor: 2.259
Punktacja MNiSW: 35.000
p-ISSN: 0254-0584
DOI:
Słowa kluczowe polskie: materiały optyczne ; półprzewodnik ; warstwa cienka ; technika elektrochemiczna ; rezonans elektronowy
Słowa kluczowe angielskie: optical materials ; semiconductor ; thin film ; electrochemical technique ; electron resonance
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


10/39
Nr opisu: 0000096041
Tytuł oryginału: Energy level alignment at the Si(111)/RCA-SiO2/copper(II) phthalocyanine ultra-thin film interface
Autorzy: Maciej Krzywiecki, Lucyna Grz±dziel.
¬ródło: -Appl. Surf. Sci. 2014 vol. 311, s. 740-748, bibliogr. 46 poz.
Impact Factor: 2.711
Punktacja MNiSW: 35.000
p-ISSN: 0169-4332
e-ISSN: 1873-5584
DOI:
Słowa kluczowe polskie: interfejs ; struktura elektronowa ; półprzewodnik ; powłoka cienka ; spektroskopia fotoelektronowa ; zwi±zki organiczne
Słowa kluczowe angielskie: interface ; electronic structure ; semiconductor ; thin film ; photoelectron spectroscopy ; organic compounds
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


11/39
Nr opisu: 0000092464
Tytuł oryginału: Fabrication and characterization of SbSI gel for humidity sensors
Autorzy: Marian** Nowak, Andrzej Nowrot, Piotr Szperlich, Marcin Jesionek, Mirosława Kępińska, Anna Starczewska, Krystian Mistewicz, D. Stróż, Janusz Szala, Tomasz Rzychoń, E. Talik, R. Wrzalik.
¬ródło: -Sens. Actuators, A Phys. 2014 vol. 210, s. 119-130, bibliogr. 77 poz.
Impact Factor: 1.903
Punktacja MNiSW: 35.000
p-ISSN: 0924-4247
e-ISSN: 1873-3069
DOI:
Słowa kluczowe polskie: jodosiarczek antymonu ; nanodruty ; półprzewodnik ; ferroelektryk ; sonochemia
Słowa kluczowe angielskie: antimony sulfoiodide ; nanowires ; semiconductor ; ferroelectrics ; sonochemistry
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


12/39
Nr opisu: 0000092706
Tytuł oryginału: Quantum efficiency coefficient for photogeneration of carriers in SbSI nanowires
Autorzy: Marian** Nowak, Ł. Bober, B. Borkowski, Mirosława Kępińska, Piotr Szperlich, D. Stróż, Maria Sozańska.
¬ródło: -Opt. Mater. 2014 vol. 35 iss. 12, s. 2208-2216, bibliogr. 48 poz.
Impact Factor: 1.981
Punktacja MNiSW: 35.000
p-ISSN: 0925-3467
e-ISSN: 1873-1252
DOI:
Słowa kluczowe polskie: jodosiarczek antymonu ; nanodruty ; półprzewodnik ; fotoprzewodnictwo
Słowa kluczowe angielskie: antimony sulfoiodide ; nanowires ; semiconductor ; photoconductivity
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


13/39
Nr opisu: 0000095366
Tytuł oryginału: Studies of changes in electrical resistance of zinc oxide nanostructures under the influence of variable gaseous environments
Autorzy: Marcin Procek, Tadeusz Pustelny, Agnieszka Stolarczyk, Erwin Maciak.
¬ródło: -Bull. Pol. Acad. Sci., Tech. Sci. 2014 vol. 62 no. 4, s. 365-646, biblioogr. 27 poz.
Impact Factor: 0.914
Punktacja MNiSW: 25.000
p-ISSN: 0239-7528
e-ISSN: 2300-1917
DOI:
Słowa kluczowe polskie: tlenek cynku ; ZnO ; nanostruktura ; czujnik gazu ; półprzewodnik ; wła¶ciwo¶ci elektryczne ; półprzewodnik szerokoprzerwowy ; nanostruktura kwiatopodobna
Słowa kluczowe angielskie: zinc oxide ; ZnO ; nanostructure ; gas sensor ; semiconductor ; electric properties ; wide bandgap semiconductor ; flower-like nanostructure
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.1277
Informacje o dostępie open-access: open-access-licence: CC-BY-NC-ND
Dostęp on-line:


14/39
Nr opisu: 0000079690
Tytuł oryginału: Optical identification of crystal defects in CCD matrix
Tytuł w wersji polskiej: Identyfikacja defektów struktury krystalicznej w matrycy CCD
Autorzy: Adam Popowicz.
¬ródło: -Prz. Elektrot. 2013 R. 89 nr 3a, s. 79-82, bibliogr. 22 poz.
Punktacja MNiSW: 14.000
p-ISSN: 0033-2097
Słowa kluczowe polskie: matryca CCD ; defekt ; półprzewodnik ; pr±d ciemny
Słowa kluczowe angielskie: CCD matrix ; defect ; semiconductor ; dark current
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.677
Informacje o dostępie open-access: open-access-licence: OTHER
Dostęp on-line:


15/39
Nr opisu: 0000087248
Tytuł oryginału: Optical properties of semiconductors.
Autorzy: Marian** Nowak.
¬ródło: W: Silicon based thin film solar cells. Ed. R. Murri. [B.m.] : Bentham Science Publishers, 2013, s. 177-242, bibliogr. 87 poz.
ISBN: 978-1-60805-456-5978-1-60805-518-0
Liczba arkuszy wydawniczych: 3
Bazy indeksuj±ce publikację: Web of Science
DOI:
Słowa kluczowe polskie: półprzewodnik ; transmitancja ; współczynnik odbicia ; wydajno¶ć kwantowa ; fotogeneracja ; własno¶ci optyczne ; struktura wielowarstwowa ; krzem amorficzny ; współczynnik załamania ¶wiatła ; współczynnik absorpcji ; rozkład przestrzenny ; natężenie promieniowania ; rekombinacja ; fotoprzewodnictwo ; niejednorodno¶ć optyczna
Słowa kluczowe angielskie: semiconductor ; transmittance ; reflectance ; quantum efficiency ; photogeneration ; optical properties ; multilayer structure ; amorphous silicon ; refractive index ; absorption coefficient ; spatial distribution ; radiation intensity ; recombination ; photoconductivity ; optical inhomogeneity
Typ publikacji: U
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


16/39
Nr opisu: 0000094446
Tytuł oryginału: Quantum efficiency coefficient for photogeneration of carriers in SbSI nanowires
Autorzy: Marian** Nowak, Ł. Bober, B. Borkowski, Mirosława Kępińska, Piotr Szperlich, D. Stróż, Maria Sozańska.
¬ródło: -Opt. Mater. 2013 vol. 35 iss. 12, s. 2208-2216, bibliogr. 48 poz.
Impact Factor: 2.075
Punktacja MNiSW: 35.000
p-ISSN: 0925-3467
e-ISSN: 1873-1252
DOI:
Słowa kluczowe polskie: jodosiarczek antymonu ; nanodruty ; półprzewodnik ; fotoprzewodnictwo
Słowa kluczowe angielskie: antimony sulfoiodide ; nanowires ; semiconductor ; photoconductivity
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


17/39
Nr opisu: 0000095306
Tytuł oryginału: Temperature dependence of energy band gap and spontaneous polarization of SbSI nanowires
Autorzy: Marian** Nowak, Piotr Szperlich.
¬ródło: -Opt. Mater. 2013 vol. 3\56 iss. 6, s. 1200-1206, bibliogr. 71 poz.
Impact Factor: 2.075
Punktacja MNiSW: 35.000
p-ISSN: 0925-3467
e-ISSN: 1873-1252
DOI:
Słowa kluczowe polskie: jodosiarczek antymonu ; nanodruty ; ferroelektryk ; półprzewodnik ; optyczna przerwa energetyczna
Słowa kluczowe angielskie: antimony sulfoiodide ; nanowires ; ferroelectrics ; semiconductor ; optical energy gap
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


18/39
Nr opisu: 0000076718
Tytuł oryginału: Optical properties of SbSI heterostructures.
Autorzy: Bartłomiej Toroń, Marian** Nowak, Andrzej Grabowski, Mirosława Kępińska, Janusz Szala, Tomasz Rzychoń.
¬ródło: W: Photonic fiber and crystal devices. Advances in materials and innovations in device applications VI, San Diego, California, United States, 12-13 August, 2012. Eds: Shizhuo Yin, Ruyan Guo. Bellingham : SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2012, paper no. 8497-58 s. 1-8, bibliogr. 27 poz.
Seria: (Proceedings of SPIE ; vol. 8497 0277-786X)
DOI:
Słowa kluczowe polskie: antymon ; kryształ ; dioda ; promieniowanie laserowe ; własno¶ci optyczne ; półprzewodnik ; heterozł±cze
Słowa kluczowe angielskie: antimony ; crystal ; diode ; laser irradiation ; optical properties ; semiconductor ; heterojunction
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


19/39
Nr opisu: 0000071272
Tytuł oryginału: Sonochemical growth of antimony selenoiodide in multiwalled carbon nanotube
Autorzy: Marcin Jesionek, Marian** Nowak, Piotr Szperlich, D. Stróż, Janusz Szala, K. Jesionek, Tomasz Rzychoń.
¬ródło: -Ultrason. Sonochem. 2012 vol. 19 iss. 1, s. 179-185, bibliogr. 39 poz.
Impact Factor: 3.516
Punktacja MNiSW: 45.000
p-ISSN: 1350-4177
e-ISSN: 1873-2828
DOI:
Słowa kluczowe polskie: nanorurki węglowe ; sonochemia ; hermetyzacja ; półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie: carbon nanotubes ; sonochemistry ; encapsulation ; semiconductor
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


20/39
Nr opisu: 0000107673
Tytuł oryginału: Sposób wyznaczania energii aktywacji procesu rekombinacji no¶ników ładunku w półprzewodnikach zwłaszcza dla monokrystalicznego siarczku galu.
Twórcy: Marian** Nowak, Maria** Szałajko.
¬ródło: Patent. Polska, nr 213 015. Int. Cl. G01N 21/00. Politechnika ¦l±ska, Polska
Zgłosz. nr 379 556 z 27.04.2006. Opubl. 31.12.2012, s. 1-4
Słowa kluczowe polskie: siarczek galu ; półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie: gallium sulphide ; semiconductor
Typ publikacji: OP
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. N/Pt
Dostęp on-line:


21/39
Nr opisu: 0000071917
Tytuł oryginału: Wpływ stanów powierzchniowych na półprzewodnikowe struktury sensorowe.
Autorzy: Bogusława Adamowicz.
¬ródło: W: Powierzchnia i struktury cienkowarstwowe. XII Seminarium. SemPiSC, Szklarska Poręba, 9-12 maja 2012. Ksi±żka streszczeń. [B.m.] : [b.w.], 2012, s. 1-2, bibliogr. 5 poz.
Organizator: Polskie Towarszystwo Próżniowe, Sekcja Cienkich Warstw, Sekcja Nauki o Powierzchni [i in.]
Słowa kluczowe polskie: struktura sensorowa ; półprzewodnik ; wła¶ciwo¶ci elektronowe ; czujnik gazowy
Słowa kluczowe angielskie: sensor structure ; semiconductor ; electronic properties ; gas sensor
Typ publikacji: K
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


22/39
Nr opisu: 0000062792
Tytuł oryginału: Analytical model of semiconductor sensor layers in SAW gas sensors
Autorzy: T. Hejczyk, Marian** Urbańczyk, Wiesław Jakubik.
¬ródło: -Acta Phys. Pol. A 2010 vol. 118 no. 6, s. 1148-1152, bibliogr. 16 poz.
Impact Factor: 0.467
p-ISSN: 0587-4246
e-ISSN: 1898-794X
Słowa kluczowe polskie: półprzewodnik ; materiały piezoelektryczne ; prędko¶ć ; piezoelektryczno¶ć ; elektroakustyka
Słowa kluczowe angielskie: semiconductor ; piezoelectric materials ; speed ; piezoelectricity ; electro-acoustics
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.2936
Dostęp on-line:


23/39
Nr opisu: 0000059508
Tytuł oryginału: Domieszkowanie dyfuzyjne krzemu ze szkliw o podwyższonej zawarto¶ci koncentracji domieszki
Autorzy: Edyta Wróbel, Krzysztof Waczyński, Wojciech Filipowski.
¬ródło: -Elektronika 2010 R. 51 nr 9, s. 111-113, bibliogr. 15 poz.
p-ISSN: 0033-2089
Słowa kluczowe polskie: domieszkowanie dyfuzyjne ; metoda spin-on ; półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie: diffusion doping ; spin-on method ; semiconductor
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.2411
Dostęp on-line:


24/39
Nr opisu: 0000082621
Tytuł oryginału: Domieszkowanie dyfuzyjne krzemu ze szkliw o podwyższonej zawarto¶ci koncentracji domieszki.
Autorzy: Edyta Wróbel, Krzysztof Waczyński, Wojciech Filipowski.
¬ródło: W: Dziewi±ta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 30.05-02.06.2010]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2010, s. 26
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Słowa kluczowe polskie: domieszkowanie dyfuzyjne ; metoda spin-on ; półprzewodnik ; warstwa dyfuzyjna
Słowa kluczowe angielskie: diffusion doping ; spin-on method ; semiconductor ; diffusion layer
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


25/39
Nr opisu: 0000062794
Tytuł oryginału: Numerical results of modeling semiconductor sensor layers in SAW gas sensors
Autorzy: T. Hejczyk, Marian** Urbańczyk, Wiesław Jakubik.
¬ródło: -Acta Phys. Pol. A 2010 vol. 118 no. 6, s. 1158-1160, bibliogr. 9 poz.
Impact Factor: 0.467
p-ISSN: 0587-4246
e-ISSN: 1898-794X
Słowa kluczowe polskie: półprzewodnik ; materiały piezoelektryczne ; przewodnictwo elektryczne ; dyfuzja
Słowa kluczowe angielskie: semiconductor ; piezoelectric materials ; electric conductivity ; diffusion
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.2936
Dostęp on-line:


26/39
Nr opisu: 0000062799
Tytuł oryginału: Researches on the spectral transmittance of zinc oxide ZnO semiconductor layers
Autorzy: Przemysław Struk, Tadeusz Pustelny, Zbigniew Opilski.
¬ródło: -Acta Phys. Pol. A 2010 vol. 118 no. 6, s. 1239-1241, bibliogr. 8 poz.
Impact Factor: 0.467
p-ISSN: 0587-4246
e-ISSN: 1898-794X
Słowa kluczowe polskie: tlenek cynku ; półprzewodnik ; włókno kwarcowe ; technika ¶wiatłowodowa ; optoelektronika ; fotonika
Słowa kluczowe angielskie: zinc oxide ; semiconductor ; quartz fiber ; fibre optics ; optoelectronics ; photonics
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.2936
Dostęp on-line:


27/39
Nr opisu: 0000062793
Tytuł oryginału: Semiconductor sensor layer in SAW gas sensors configuration
Autorzy: T. Hejczyk, Marian** Urbańczyk, Wiesław Jakubik.
¬ródło: -Acta Phys. Pol. A 2010 vol. 118 no. 6, s. 1153-1157, bibliogr. 11 poz.
Impact Factor: 0.467
p-ISSN: 0587-4246
e-ISSN: 1898-794X
Słowa kluczowe polskie: półprzewodnik ; Fala Rayleigha ; piezoelektryczno¶ć ; fala seismiczna
Słowa kluczowe angielskie: semiconductor ; Rayleigh wave ; piezoelectricity ; seismic wave
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.2936
Dostęp on-line:


28/39
Nr opisu: 0000058646
Tytuł oryginału: Sonochemical preparation of antimony subiodide
Autorzy: Marian** Nowak, Piotr Szperlich, E. Talik, Janusz Szala, Tomasz Rzychoń, D. Stróż, Andrzej Nowrot, Barbara Solecka.
¬ródło: -Ultrason. Sonochem. 2010 vol. 17 iss. 1, s. 219-227, bibliogr. 76 poz.
Impact Factor: 3.203
p-ISSN: 1350-4177
e-ISSN: 1873-2828
DOI:
Słowa kluczowe polskie: sonochemia ; półprzewodnik ; nanocz±stki
Słowa kluczowe angielskie: sonochemistry ; semiconductor ; nanoparticles
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


29/39
Nr opisu: 0000062800
Tytuł oryginału: Zinc oxide semiconductor for photonics structures applications
Autorzy: Przemysław Struk, Tadeusz Pustelny, Barbara** Pustelny, K. Gołaszewska, E. Kamińska, A. Piotrowska, M. Borysiewicz, M. Ekielski.
¬ródło: -Acta Phys. Pol. A 2010 vol. 118 no. 6, s. 1242-1245, bibliogr. 17 poz.
Impact Factor: 0.467
p-ISSN: 0587-4246
e-ISSN: 1898-794X
Słowa kluczowe polskie: tlenek cynku ; półprzewodnik ; sprzęgacz kierunkowy ; fotonika ; falowód
Słowa kluczowe angielskie: zinc oxide ; semiconductor ; directional coupler ; photonics ; waveguide
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.2936
Dostęp on-line:


30/39
Nr opisu: 0000049927
Tytuł oryginału: Ferroelectric properties of ultrasonochemically preapred SbSI ethanogel
Autorzy: Piotr Szperlich, Marian** Nowak, Łukasz* Bober, Janusz Szala, D. Stróż.
¬ródło: -Ultrason. Sonochem. 2009 vol. 16 iss. 3, s. 398-401, bibliogr. 33 poz.
Impact Factor: 2.993
p-ISSN: 1350-4177
e-ISSN: 1873-2828
DOI:
Słowa kluczowe polskie: sonochemia ; nanodruty ; ferroelektryk ; jodosiarczek antymonu ; półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie: sonochemistry ; nanowires ; ferroelectric ; antimony sulfoiodide ; semiconductor
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


31/39
Nr opisu: 0000056886
Tytuł oryginału: Sonochemical growth of antimony sulfoiodide in multiwalled carbon nanotube
Autorzy: Marian** Nowak, Marcin Jesionek, Piotr Szperlich, Janusz Szala, Tomasz Rzychoń, D. Stróż.
¬ródło: -Ultrason. Sonochem. 2009 vol. 16 iss. 6, s. 800-804, bibliogr. 26 poz.
Impact Factor: 2.993
p-ISSN: 1350-4177
e-ISSN: 1873-2828
DOI:
Słowa kluczowe polskie: nanorurki węglowe ; jodosiarczek antymonu ; sonochemia ; hermetyzacja ; półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie: carbon nanotubes ; antimony sulfoiodide ; sonochemistry ; encapsulation ; semiconductor
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


32/39
Nr opisu: 0000056910
Tytuł oryginału: XPS analysis of sonochemically prepared SbSl ethanogel
Autorzy: Marian** Nowak, E. Talik, Piotr Szperlich, D. Stróż.
¬ródło: -Appl. Surf. Sci. 2009 vol. 255 iss. 17, s. 7689-7694, bibliogr. 48 poz.
Impact Factor: 1.616
p-ISSN: 0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie: rentgenowska spektroskopia fotoelektronów ; nanoprzewody ; półprzewodnik ; sonochemia
Słowa kluczowe angielskie: X-ray photoelectron spectroscopy ; nanowires ; semiconductor ; sonochemistry
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


33/39
Nr opisu: 0000047644
Tytuł oryginału: Circularly polarized light stimulation of spin transport in zinc-blende semiconductors
Autorzy: M. Miah, Iwan* Kityk, E. Gray.
¬ródło: -Opt. Commun. 2008 vol. 281 iss. 21, s. 5355-5359, bibliogr. 33 poz.
Impact Factor: 1.552
p-ISSN: 0030-4018
e-ISSN: 1873-0310
Słowa kluczowe polskie: transport spinowy ; pr±d spinowy ; zjawisko Halla ; pseudopotential ; półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie: spin transport ; spin current ; Hall effect ; pseudopotential ; semiconductor
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


34/39
Nr opisu: 0000043100
Tytuł oryginału: Kształtowanie warstw dyfuzyjnych przy wykorzystaniu domieszek wolnodyfunduj±cych
Autorzy: Edyta Wróbel, Wojciech Filipowski, Krzysztof Waczyński.
¬ródło: -Elektronika 2008 R. 49 nr 11, s. 70-72, bibliogr. 3 poz.
p-ISSN: 0033-2089
Słowa kluczowe polskie: półprzewodnik ; domieszkowanie ; rezystancja powierzchniowa ; arsen ; szkliwo domieszkowe
Słowa kluczowe angielskie: semiconductor ; doping ; sheet resistance ; arsenic ; silica glasses
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.2411
Dostęp on-line:


35/39
Nr opisu: 0000025311
Tytuł oryginału: Elektroniczne przyrz±dy półprzewodnikowe. Zasady działania diod i tranzystorów - rozwi±zywanie zadań.
Autorzy: Krzysztof Waczyński, Edyta Wróbel.
Adres wydawniczy: Gliwice : Wydaw. Politechniki ¦l±skiej, 2007
Opis fizyczny: , 251 s., bibliogr. 22 poz.
Uwagi: Skrypt nr 2396
Słowa kluczowe polskie: półprzewodnik ; no¶nik ładunku ; dioda półprzewodnikowa ; tranzystor bipolarny ; tranzystor polowy MOS ; konduktywno¶ć elektryczna
Słowa kluczowe angielskie: semiconductor ; charge carrier ; semiconductor diode ; bipolar transistor ; field-effect transistor MOS ; electrical conductivity
Typ publikacji: P
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l.


36/39
Nr opisu: 0000023907
Tytuł oryginału: Dyfuzyjne odbicie ¶wiatła od półprzewodników. Rozprawa doktorska.
Autorzy: Beata* Kauch.
Miejsce i rok obrony: Gliwice, 2006
Opis fizyczny: , 94 k., bibliogr. 74 poz.
Uczelnia i wydział: Politechnika ¦l±ska. Wydział Matematyczno-Fizyczny.
Promotor: prof. dr hab. inż. Marian** Nowak
Słowa kluczowe polskie: półprzewodnik ; odbicie dyfuzyjne ; rozpraszanie ¶wiatła ; mikroskopia elektronowa
Słowa kluczowe angielskie: semiconductor ; diffuse reflection ; light scattering ; electron microscopy
Typ publikacji: D
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. Cz.Ab. R-4202
Dostęp BCP¦:


37/39
Nr opisu: 0000022957
Tytuł oryginału: Technologie mikroelektroniczne. Metody wytwarzania materiałów i struktur półprzewodnikowych.
Autorzy: Krzysztof Waczyński, Edyta Wróbel.
Adres wydawniczy: Gliwice : Wydaw. Politechniki ¦l±skiej, 2006
Opis fizyczny: , 283 s., bibliogr.
Słowa kluczowe polskie: mikroelektronika ; półprzewodnik ; płytka krzemowa ; monokryształ
Słowa kluczowe angielskie: microelectronics ; semiconductor ; silicon wafer ; monocrystal
Typ publikacji: P
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l.


38/39
Nr opisu: 0000025543
Tytuł oryginału: XPS study of surface chemistry of epiready GaAs(1 0 0) surface after (NH4)2Sx passivation
Autorzy: Sebastian* Arabasz, E. Bergignat, G. Hollinger, Jacek Szuber.
¬ródło: -Vacuum 2006 vol. 80 iss. 8, s. 888-893, bibliogr. 36 poz.
Impact Factor: 0.834
p-ISSN: 0042-207X
e-ISSN: 1879-2715
DOI:
Słowa kluczowe polskie: GaAs ; siarkowanie ; pasywacja ; XPS ; półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie: GaAs ; sulfidation ; passivation ; XPS ; semiconductor
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


39/39
Nr opisu: 0000011270
Tytuł oryginału: Odbicie dyfuzyjne a przerwa energetyczna w półprzewodnikach.
Tytuł w wersji angielskiej: Diffuse reflectance and energy gap in semiconductors
Autorzy: B. Kauch, Marian** Nowak.
¬ródło: W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. Materiały XII seminarium naukowego, Katowice, 7 maja 2004. [Katowice] : [Wydział Inżynierii Materiałowej i Metalurgii Politechniki ¦l±skiej], [2004], s. 225-228, bibliogr. 12 poz.
Organizator: Wydział Inżynierii Materiałowej i Metalurgii Politechniki ¦l±skiej
Słowa kluczowe polskie: półprzewodnik ; odbicie dyfuzyjne ; przerwa energetyczna
Słowa kluczowe angielskie: semiconductor ; diffuse reflection ; energy band gap
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. Cz.01 111886


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie