Wynik wyszukiwania
Zapytanie: METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FET
Liczba odnalezionych rekordów: 3



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/3
Nr opisu: 0000081232
Tytuł oryginału: Tranzystor polowy MOS o bramce swobodnej zł±czowej.
Twórcy: Lesław** Topór-Kamiński, Piotr Holajn.
¬ródło: Patent. Polska, nr 205 008. Int. Cl. H01L 29/772. Politechnika ¦l±ska, Polska
Zgłosz nr 361 122 z 07.07.2003. Opubl. 31.03.2010, 4 s.
Słowa kluczowe polskie: tranzystor polowy MOS ; bramka swobodna
Słowa kluczowe angielskie: metal-oxide-semiconductor FET ; free gate
Typ publikacji: OP
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. N/Pt
Dostęp on-line:


2/3
Nr opisu: 0000081228
Tytuł oryginału: Tranzystor polowy MOS o bramce swobodnej ze sprzężeniem wewnętrznym.
Twórcy: Lesław** Topór-Kamiński.
¬ródło: Patent. Polska, nr 203 843. Int. Cl. H01L 29/772. Politechnika ¦l±ska, Polska
Zgłosz. nr 353 815 z 10.05.2002. Opubl. 30.11.2009, 4 s.
Słowa kluczowe polskie: tranzystor polowy MOS ; bramka swobodna
Słowa kluczowe angielskie: metal-oxide-semiconductor FET ; free gate
Typ publikacji: OP
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. N/Pt
Dostęp on-line:


3/3
Nr opisu: 0000024296
Tytuł oryginału: Mówi±ce przyrz±dy
Autorzy: Piotr Kłosowski, Jacek Izydorczyk.
¬ródło: -Prz. Telekom. 1998 R. 71 nr 3, s. 185-187, bibliogr. 6 poz.
p-ISSN: 0033-2399
Słowa kluczowe polskie: prawo Moore'a ; tranzystor polowy MOS ; technologia CMOS
Słowa kluczowe angielskie: Moore's law ; metal-oxide-semiconductor FET ; CMOS technology
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.704


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie