Wynik wyszukiwania
Zapytanie: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Liczba odnalezionych rekordów: 1



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/1
Nr opisu: 0000084490
Tytuł oryginału: Badania struktury, morfologii powierzchni oraz właściwości sensorowych cienkich warstw SnO2.
Autorzy: Weronika Izydorczyk, M. Pisarek, Agnieszka Żak.
Źródło: W: Czujniki optoelektroniczne i elektroniczne. COE 2010. XI Konferencja naukowa, Nałęczów, 20-23 czerwca 2010. Streszczenia. [Dokument elektroniczny]. [B.m.] : [b.w.], 2010, dysk optyczny (CD-ROM) s. 9, bibliogr. 2 poz.
Organizator: Polskie Towarzystwo Techniki Sensorowej [i in.]
Słowa kluczowe polskie: półprzewodnik tlenkowy ; SnO2 ; gaz ; adsorpcja
Słowa kluczowe angielskie: metal-oxide semiconductor ; SnO2 ; gas ; adsorption
Typ publikacji: K
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.


stosując format:
Nowe wyszukiwanie