Wynik wyszukiwania
Zapytanie: GALLIUM NITRIDE
Liczba odnalezionych rekordów: 11



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/11
Nr opisu: 0000131194
Tytuł oryginału: Evaluation of SiC and GaN FETs in Zero-Voltage Switching Interleaved Boost Converters
Tytuł w wersji polskiej: Ewaluacja stosowania tranzystorów polowych SiC i GaN w wielofazowych przekształtnikach typu boost ZVS
Autorzy: Piotr Zimoch.
¬ródło: -Prz. Elektrot. 2019 R. 95 nr 9, s. 186-192, bibliogr. 23 poz.
Punktacja MNiSW: 20.000
p-ISSN: 0033-2097
e-ISSN: 2449-9544
DOI:
Słowa kluczowe polskie: wielofazowy przekształtnik typu boost ; węglik krzemu ; azotek galu ; przeł±czenie miękkie
Słowa kluczowe angielskie: interleaved boost converter ; silicon carbide ; gallium nitride ; zero voltage switching
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.677
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_PUBLISHED open-access-licence: OTHER open-access-release-time: AT_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


2/11
Nr opisu: 0000127121
Tytuł oryginału: On the interpretation of cathodoluminescence intensity maps of wide band gap nanowires
Autorzy: M. Matys, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: -Nanotechnology 2018 vol. 30 iss. 3, s. 1-8, bibliogr. 30 poz.
Impact Factor: 3.399
Punktacja MNiSW: 35.000
p-ISSN: 0957-4484
e-ISSN: 1361-6528
DOI:
Słowa kluczowe polskie: szerokopasmowe materiały szczelinowe ; azotek galu ; metoda elementów skończonych
Słowa kluczowe angielskie: wide band gap materials ; gallium nitride ; finite element method
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


3/11
Nr opisu: 0000107443
Tytuł oryginału: Wła¶ciwo¶ci tranzystorów MOSFET na bazie SiC i GaN.
Autorzy: Krzysztof Przybyła.
¬ródło: W: Energoelektronika w nauce i dydaktyce. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika ¦l±ska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki ¦l±skiej, 2016, s. 129-134, bibliogr. 16 poz.
ISBN: 978-83-911058-2-5
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,3
Słowa kluczowe polskie: tranzystor MOSFET ; węglik krzemu ; azotek galu ; SiC ; GaN
Słowa kluczowe angielskie: MOSFET transistor ; silicon carbide ; gallium nitride ; SiC ; GaN
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


4/11
Nr opisu: 0000088327
Tytuł oryginału: Two-dimensional modeling of surface photovoltage in metal/insulator/n-GaN structure with cylindrical symmetry
Autorzy: Maciej* Matys, P. PowroĽnik, D. Kupka, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: -Opt. Appl. 2013 vol. 43 no. 1, s. 47-52, bibliogr. 7 poz.
Impact Factor: 0.643
Punktacja MNiSW: 15.000
p-ISSN: 0078-5466
e-ISSN: 1899-7015
DOI:
Słowa kluczowe polskie: fotonapięcie powierzchniowe ; azotek galu ; metal/izolator/GaN ; struktura MIS ; detektor ultrafioletu
Słowa kluczowe angielskie: surface photovoltage ; gallium nitride ; metal/insulator/GaN ; MIS structure ; UV detector
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3422
Dostęp on-line:


5/11
Nr opisu: 0000082736
Tytuł oryginału: Charakteryzacja wła¶ciwo¶ci chemicznych, optycznych i elektronowych pasywowanych in-situ powierzchni n-GaN.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Alina Domanowska, Piotr* Ko¶cielniak, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Marcin** Miczek, Michał* Sitarz, Jacek Szuber, Z. Żytkiewicz, M. Sobańska, K. Kłosek, A. Taube.
¬ródło: W: Jedenasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 11-14.06.2012]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2012, s. 152
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Słowa kluczowe polskie: azotek galu ; pasywacja ; stan powierzchniowy ; skład chemiczny
Słowa kluczowe angielskie: gallium nitride ; passivation ; surface condition ; chemical composition
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


6/11
Nr opisu: 0000084471
Tytuł oryginału: Analiza wpływu stanów powierzchniowych na fotoluminescencję z azotku galu.
Autorzy: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: W: V Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2011, Gdańsk, 3-7 lipca 2011. Streszczenia wyst±pień. Pod red. Jarosława Rybickiego i Wojciecha Sadowskiego. Gdańsk : TASK Publishing, 2011, s. 158-159, bibliogr. 3 poz.
Organizator: Katedra Fizyki Ciała Stałego. Wydział FTiMS. Politechnika Gdańska [et al.]
Słowa kluczowe polskie: fotoluminescencja ; stan powierzchniowy ; azotek galu
Słowa kluczowe angielskie: photoluminescence ; surface condition ; gallium nitride
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. Cz.O1 139923
Dostęp on-line:


7/11
Nr opisu: 0000082601
Tytuł oryginału: Modelowanie wpływu stanów powierzchniowych na zjawiska rekombinacyjne w GaN.
Autorzy: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: W: Dziesi±ta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011, s. 167
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Słowa kluczowe polskie: azotek galu ; fotoluminescencja ; rekombinacja powierzchniowa ; metoda elementów skończonych ; defekt radiacyjny
Słowa kluczowe angielskie: gallium nitride ; photoluminescence ; surface recombination ; finite element method ; radiation defect
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


8/11
Nr opisu: 0000071269
Tytuł oryginału: The influence of interface states and bulk carrier lifetime on the minority carrier behavior in an illuminated metal/insulator/GaN structure
Autorzy: Marcin** Miczek, P. Bidziński, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
¬ródło: -Solid State Commun. 2011 vol. 151 iss. 11, s. 830-833, bibliogr. 37 poz.
Impact Factor: 1.649
p-ISSN: 0038-1098
e-ISSN: 1879-2766
Słowa kluczowe polskie: azotek galu ; struktura MIS ; fotodetektor typu "solar blind"
Słowa kluczowe angielskie: gallium nitride ; MIS structure ; "solar blind" photodetector
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


9/11
Nr opisu: 0000039315
Tytuł oryginału: Capacitance-voltage and Auger chemical profile studies on AIGaN/GaN structures passivated by SiO2/Si3N4 and SiNx/Si3N4 bilayers
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, T. Hashizume, Andrzej** Klimasek, P. Bobek, J. Żywicki.
¬ródło: -Opt. Appl. 2007 vol. 37 no. 4, s. 327-334, bibliogr. 25 poz.
Impact Factor: 0.284
p-ISSN: 0078-5466
e-ISSN: 1899-7015
Słowa kluczowe polskie: azotek galu ; HEMT ; bramka izolowana ; pasywacja ; C-V ; spektroskopia elektronów Augera
Słowa kluczowe angielskie: gallium nitride ; HEMT ; insulated gate ; passivation ; C-V ; Auger electron spectroscopy ; chemical in-depth profiles
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3422
Dostęp on-line:


10/11
Nr opisu: 0000018246
Tytuł oryginału: Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces
Autorzy: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume, H. Hasegawa.
¬ródło: -Opt. Appl. 2005 vol. 35 no. 3, s. 355-361, bibliogr. 28 poz.
Impact Factor: 0.459
p-ISSN: 0078-5466
e-ISSN: 1899-7015
Słowa kluczowe polskie: arsenek galu ; azotek galu ; stan powierzchniowy ; fotoluminescencja ; fotonapięcie powierzchniowe
Słowa kluczowe angielskie: gallium arsenide ; gallium nitride ; surface states ; photoluminescence ; surface photovoltage
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3422
Dostęp on-line:


11/11
Nr opisu: 0000123637
Tytuł oryginału: Thermal conductivity of AlN and AlN-GaN thin films deposited on Si and GaAs substrates
Autorzy: Jerzy Bodzenta, Bogusław* Burak, A. Jagoda, B. Stańczyk.
¬ródło: -Diamond Relat. Mater. 2005 vol. 14 iss. 3-7, s. 1169-1174, bibliogr. 11 poz.
Uwagi: Referat wygłoszony na: 15th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides, and Silicon Carbide. Diamond 2004, Riva del Garda, Italy, September 12-17, 2004.
Impact Factor: 1.988
p-ISSN: 0925-9635
e-ISSN: 1879-0062
Słowa kluczowe polskie: azotek glinu ; azotek galu ; powłoka
Słowa kluczowe angielskie: aluminium nitride ; gallium nitride ; coating
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie