Wynik wyszukiwania
Zapytanie: CONSTANT PHASE ELEMENT
Liczba odnalezionych rekordów: 4



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/4
Nr opisu: 0000046254
Tytuł oryginału: Analysis of electrical equivalent circuit of metal-insulator-semiconductor structure based on admittance measurements
Autorzy: Stanisław** Kochowski, Michał* Szydłowski, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz.
Źródło: -Mater. Sci. Pol. 2008 vol. 26 no. 1, s. 63-69, bibliogr. 13 poz.
Impact Factor: 0.368
p-ISSN: 2083-1331
e-ISSN: 2083-134X
Słowa kluczowe polskie: spektroskopia impedancyjna ; struktura typu metal-izolator-półprzewodnik ; element stałofazowy ; własności elektryczne ; krzem
Słowa kluczowe angielskie: impedance spectroscopy ; metal-insulator-semiconductor structure ; constant phase element ; electrical properties ; silicon
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.
Lokalizacja Źródła: PŚl. sygn. P.4054
Dostęp on-line:


2/4
Nr opisu: 0000011168
Tytuł oryginału: Characterization of the interface and the bulk phenomena in metal-SiO2-(n) GaAs structure by analysis of the equivalent circuit parameters at different temperatures
Autorzy: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
Źródło: -Thin Solid Films 2004 vol. 467 iss. 1/2, s. 190-196, bibliogr. 42 poz.
Impact Factor: 1.647
p-ISSN: 0040-6090
e-ISSN: 1879-2731
DOI:
Słowa kluczowe polskie: element stałofazowy ; właściwości elektryczne ; miernictwo elektryczne ; arsenek galu
Słowa kluczowe angielskie: constant phase element ; electrical properties ; electrical measurement ; gallium arsenide ; metal-insulator-semiconductor structure
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.
Dostęp on-line:


3/4
Nr opisu: 0000011325
Tytuł oryginału: Studies of GaAs metal-insulator-semiconductor strucutres by the admittance spectroscopy method
Autorzy: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, M. Szydlowski.
Źródło: -Appl. Surf. Sci. 2004 vol. 235 iss. 3, s. 389-394, bibliogr. 28 poz.
Impact Factor: 1.497
p-ISSN: 0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie: element stałofazowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik ; właściwości elektryczne ; pomiary elektryczne ; arsenek galu
Słowa kluczowe angielskie: constant phase element ; metal-insulator-semiconductor structure ; electrical properties ; electrical measurements ; gallium arsenide
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.
Dostęp on-line:


4/4
Nr opisu: 0000008347
Tytuł oryginału: Two constant phase element behaviour of the admittance characteristics of GaAs metal-insulator-semiconductor structure with deep traps
Autorzy: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
Źródło: -Thin Solid Films 2003 vol. 444 iss. 1/2, s. 208-214, bibliogr. 34 poz.
Impact Factor: 1.598
p-ISSN: 0040-6090
e-ISSN: 1879-2731
Słowa kluczowe polskie: element stałofazowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik ; właściwości elektryczne ; arsenek galu
Słowa kluczowe angielskie: constant phase element ; metal-insulator-semiconductor structure ; electrical properties ; gallium arsenide
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.
Dostęp on-line:


stosując format:
Nowe wyszukiwanie