Wynik wyszukiwania
Zapytanie: CHEMICAL IN-DEPTH PROFILING
Liczba odnalezionych rekordów: 1



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/1
Nr opisu: 0000080343
Tytuł oryginału: Surface photovoltage and Auger electron spectromicroscopy studies of HfO2/SiO2/4H-SiC and HfO2/Al2O3/4H-SiC structures
Autorzy: Alina Domanowska, Marcin** Miczek, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, J. Żywicki, A. Taube, K. Korwin-Mikke, S. Gierałtowska, M. Sochacki.
Źródło: -Appl. Surf. Sci. 2012 vol. 258 iss. 21, s. 8354-8359, bibliogr. 43 poz.
Impact Factor: 2.112
Punktacja MNiSW: 30.000
p-ISSN: 0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie: węglik krzemu ; pasywacja powierzchni ; fotonapięcie powierzchniowe ; spektroskopia elektronów Augera
Słowa kluczowe angielskie: silicon carbide ; surface passivation ; surface photovoltage ; Auger electron spectroscopy ; chemical in-depth profiling ; interface charge
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.
Dostęp on-line:


stosując format:
Nowe wyszukiwanie