Wynik wyszukiwania
Zapytanie: SIC
Liczba odnalezionych rekordów: 15



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/15
Nr opisu: 0000122075
Tytuł oryginału: Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC
Tytuł w wersji angielskiej: Comparison of 300 kHz Class d-ZVS inverters for induction heating with MOSFET transistors based on Si and SiC
Autorzy: Marcin Kasprzak, Krzysztof Przybyła.
¬ródło: -Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 3, s. 60-64, bibliogr. 14 poz.
Punktacja MNiSW: 14.000
p-ISSN: 0033-2097
e-ISSN: 2449-9544
DOI:
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy D-ZVS ; SiC ; MOSFET ; poł±czenie równoległe
Słowa kluczowe angielskie: class D-ZVS inverter ; SiC ; MOSFET ; parallel connection
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.677
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_PUBLISHED open-access-licence: OTHER open-access-release-time: AT_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


2/15
Nr opisu: 0000121201
Tytuł oryginału: Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC
Tytuł w wersji angielskiej: Verification of power losses in the gate circuit in selected MOSFET transistors based on Si and SiC
Autorzy: Krzysztof Przybyła.
¬ródło: -Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 1, s. 129-132, bibliogr. 12 poz.
Punktacja MNiSW: 14.000
p-ISSN: 0033-2097
e-ISSN: 2449-9544
DOI:
Słowa kluczowe polskie: straty mocy ; MOSFET ; obwód bramkowy ; SiC
Słowa kluczowe angielskie: power losses ; MOSFET ; circuit gate ; SiC
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.677
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_PUBLISHED open-access-licence: OTHER open-access-release-time: AT_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


3/15
Nr opisu: 0000122111
Tytuł oryginału: Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawno¶ć energetyczn± falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz
Tytuł w wersji angielskiej: Influence of transistor's case on efficiency of Class DE inverter from 13,56 MHz band
Autorzy: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
¬ródło: -Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 3, s. 87-90, bibliogr. 14 poz.
Punktacja MNiSW: 14.000
p-ISSN: 0033-2097
e-ISSN: 2449-9544
DOI:
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy DE ; wysoka częstotliwo¶ć ; SiC ; MOSFET ; drajwer
Słowa kluczowe angielskie: class DE inverter ; high frequency ; SiC ; MOSFET ; driver
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.677
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_PUBLISHED open-access-licence: OTHER open-access-release-time: AT_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


4/15
Nr opisu: 0000123825
Tytuł oryginału: Zwilżanie ceramiki SiC cyn±, stopem SN-Ti oraz cynkiem.
Autorzy: Aleksandra Kotarska, Bernard Wyględacz, Andrzej Gruszczyk.
¬ródło: W: Nowoczesne zastosowania technologii spawalniczych. Sympozjum Katedr i Zakładów Spawalnictwa, Brenna, 12-13 czerwca 2018 r. Praca zbiorowa. Pod red. Jacka Górki. Gliwice : Komisja Odlewnictwa PAN. Oddział Katowice, 2018, s. 113-122, bibliogr. 10 poz.
ISBN: 978-83-63605-31-5
Organizator: Koło Naukowe Spawalników "SWC", Polskie Towarzystwo Spawalnicze, Katedra Spawalnictwa. Politechnika ¦l±ska
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,5
Słowa kluczowe polskie: ceramika ; SiC ; zwilżanie
Słowa kluczowe angielskie: ceramics ; SiC ; wetting
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l.


5/15
Nr opisu: 0000126392
Tytuł oryginału: Zwilżanie ceramiki SiC cyn±, stopem Sn-Ti oraz cynkiem
Autorzy: Aleksandra Kotarska, Bernard Wyględacz, Andrzej Gruszczyk.
¬ródło: -Spajanie Mater. Konstr. 2018 nr 3, s. 26-29, bibliogr. 10 poz.
p-ISSN: 1899-5497
Słowa kluczowe polskie: materiały kompozytowe ; ceramika ; SiC ; zwilżanie
Słowa kluczowe angielskie: composite materials ; ceramics ; SiC ; wetting
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l.


6/15
Nr opisu: 0000122132
Tytuł oryginału: Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC.
Tytuł w wersji angielskiej: Comparison of 300 kHz Class D-ZVS inverters for induction heating with MOSFET transistors based on Si and SiC
Autorzy: Marcin Kasprzak, Krzysztof Przybyła.
¬ródło: W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym. SENE 2017. XIII Krajowa konferencja naukowa, ŁódĽ, 22-24 listopada 2017. [Dokument elektroniczny]. ŁódĽ : [b.w.], 2017, pamięć USB (PenDrive) s. 1-5, bibliogr. 14 poz.
ISBN: 978-83-7283-840-7
Organizator: Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,5
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy D-ZVS ; SiC ; MOSFET ; poł±czenie równoległe
Słowa kluczowe angielskie: class D-ZVS inverter ; SiC ; MOSFET ; parallel placement
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


7/15
Nr opisu: 0000127072
Tytuł oryginału: Selection of 5 kW Converter Leg for Power Electronic System
Autorzy: Marcin Zygmanowski, Jarosław Michalak, Michał Jeleń, Grzegorz Jarek.
¬ródło: -Meas. Autom. Monit. 2017 vol. 63 nr 8, s.282-287, bibliogr.
Punktacja MNiSW: 11.000
p-ISSN: 2450-2855
Słowa kluczowe polskie: IGBT ; węglik krzemu ; SiC ; MOSFET ; microgrid
Słowa kluczowe angielskie: IGBT ; silicon carbide ; SiC ; MOSFET ; inverter ; microgrid
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_PUBLISHED open-access-licence: CC-BY open-access-release-time: AT_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


8/15
Nr opisu: 0000122223
Tytuł oryginału: Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawno¶ć energetyczn± falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz.
Tytuł w wersji angielskiej: Influence of transistor's case on efficiency of Class DE inverter from 13.56 MHz band
Autorzy: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
¬ródło: W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym. SENE 2017. XIII Krajowa konferencja naukowa, ŁódĽ, 22-24 listopada 2017. [Dokument elektroniczny]. ŁódĽ : [b.w.], 2017, pamięć USB (PenDrive) s. 1-4, bibliogr. 14 poz.
ISBN: 978-83-7283-840-7
Organizator: Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,5
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy DE ; wysoka częstotliwo¶ć ; SiC ; MOSFET ; drajwer
Słowa kluczowe angielskie: class DE inverter ; high frequency ; SiC ; MOSFET ; driver
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


9/15
Nr opisu: 0000107445
Tytuł oryginału: Falownik rezonansowy klasy D 300 kHz/20 kW z tranzystorami SiC MOSFET.
Autorzy: Marcin Kasprzak, Zbigniew Kaczmarczyk, Piotr Legutko, Krzysztof Przybyła.
¬ródło: W: Energoelektronika w nauce i dydaktyce. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika ¦l±ska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki ¦l±skiej, 2016, s. 141-144, bibliogr. 8 poz.
ISBN: 978-83-911058-2-5
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,2
Słowa kluczowe polskie: falownik rezonansowy ; tranzystor MOSFET ; SiC
Słowa kluczowe angielskie: resonant inverter ; MOSFET transistor ; SiC
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


10/15
Nr opisu: 0000110406
Tytuł oryginału: Porównanie strat mocy w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET Si i SiC o zbliżonej klasie pr±dowo-napięciowej.
Tytuł w wersji angielskiej: Camprison of power losses in gate circuit of selected Si and SiC MOSFET tranzistors in similar current-voltage class
Autorzy: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
¬ródło: W: II Seminarium Młodych Naukowców Wydziału Elektrycznego Politechniki ¦l±skiej. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki ¦l±skiej, 2016, s. 94-96, bibliogr. 3 poz.
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,2
Słowa kluczowe polskie: straty mocy ; tranzystor MOSFET ; SiC ; Si ; obwód bramkowy
Słowa kluczowe angielskie: power losses ; MOSFET transistor ; SiC ; Si ; circuit gate
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


11/15
Nr opisu: 0000122770
Tytuł oryginału: Possible application of SiC and GaN MOSFET transistors in class de inverter
Tytuł w wersji polskiej: Możliwo¶ci zastosowania tranzystorów MOSFET na bazie SiC oraz GaN w falowniku klasy DE
Autorzy: Krzysztof Przybyła.
¬ródło: -Pr. Nauk. P¦l., Elektr. 2016 R. 62 z. 3/4, s. 23-33, bibliogr. 25 poz.
Punktacja MNiSW: 6.000
p-ISSN: 1897-8827
Słowa kluczowe polskie: MOSFET ; SiC ; GaN ; falownik klasy DE
Słowa kluczowe angielskie: MOSFET ; SiC ; GaN ; class DE inverter
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3348
Dostęp on-line:


12/15
Nr opisu: 0000110902
Tytuł oryginału: Selection of 5 kW converter leg for power electronic system for residential buildings.
Tytuł w wersji polskiej: Dobór gałęzi przekształtnika 5 kW interfejsu energoelektronicznego w budynkach mieszkalnych
Autorzy: Marcin Zygmanowski, Jarosław Michalak, Michał Jeleń, Grzegorz Jarek, Jan** Popczyk.
¬ródło: W: 2016 18th European Conference on Power Electronics and Applications. EPE'16 ECCE Europe, [Karlsruhe, Germany, 5-9 September 2016]. Piscataway : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2016, s. 1-10, bibliogr. 9 poz.
ISBN: 978-1-5090-1410-1978-9-0758-1524-5
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,5
Bazy indeksuj±ce publikację: IEEE Xplore; INSPEC; Scopus; Web of Science
DOI:
Słowa kluczowe polskie: projektowanie ; węglik krzemu ; SiC ; MOSFET ; microgrid
Słowa kluczowe angielskie: design ; IGBT ; silicon carbide ; SiC ; MOSFET ; microgrid
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


13/15
Nr opisu: 0000107443
Tytuł oryginału: Wła¶ciwo¶ci tranzystorów MOSFET na bazie SiC i GaN.
Autorzy: Krzysztof Przybyła.
¬ródło: W: Energoelektronika w nauce i dydaktyce. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika ¦l±ska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki ¦l±skiej, 2016, s. 129-134, bibliogr. 16 poz.
ISBN: 978-83-911058-2-5
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,3
Słowa kluczowe polskie: tranzystor MOSFET ; węglik krzemu ; azotek galu ; SiC ; GaN
Słowa kluczowe angielskie: MOSFET transistor ; silicon carbide ; gallium nitride ; SiC ; GaN
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


14/15
Nr opisu: 0000014718
Tytuł oryginału: Cutting properties of the Al2O3+SiC(w) based tool ceramic reinforced with the PVD and CVD wear resistant coatings
Autorzy: M. Sokovic, Jarosław Mikuła, Leszek** Dobrzański, J. Kopac, L. Kosec, P. Panjan, Janusz Madejski, A. Piech.
¬ródło: -J. Mater. Process. Technol. 2005 vol. 164/165, s. 924-929, bibliogr. 24 poz.
Uwagi: Zawiera materiały z: 8th International Scientific Conference on Advances in Materials & Processing Technologies &13th International Scientific Conference on Achievements in Mechanical & Materials Engineering in the framework of Worldwide Congress on Materials and Manufacturing Engineering and Technology, Gliwice-Wisła, Poland, 16-19 May 2005
Impact Factor: 0.592
p-ISSN: 0924-0136
e-ISSN: 1873-4774
DOI:
Słowa kluczowe polskie: ceramika tlenkowa ; Al2O3 ; SiC ; powłoka gradientowa ; powłoka wielowarstwowa ; powłoka wieloskładnikowa ; PVD ; CVD ; TEM ; SEM
Słowa kluczowe angielskie: oxide ceramics ; Al2O3 ; SiC ; gradient coating ; multilayer coating ; multicomponent coating ; PVD ; CVD ; TEM ; SEM
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. Cz.01 113306
Dostęp on-line:


15/15
Nr opisu: 0000013029
Tytuł oryginału: Cutting properties of the Al2O3+SiC(w) based tool ceramic reinforced with the PVD and CVD wear-resistant coatings.
Autorzy: M. Soković, Jarosław Mikuła, Leszek** Dobrzański, J. Kopac, L. Kosec, P. Panjan, Janusz Madejski, A. Piech.
¬ródło: W: Achievements in mechanical and materials engineering. Proceedings of the 13th international scientific conference, Gliwice-Wisła, Poland, May 16-19, 2005. Ed. L. A. Dobrzański. Gliwice : Organising Committee of the International Scientific Conferences Institute of Engineering Materials and Biomaterials of the Silesian University of Technology, 2005, s. 605-610, bibliogr. 9 poz.
ISBN: 83-89728-11-7
Organizator: Committee of Materials Science of the Polish Academy of Sciences. Katowice [i in.]
Słowa kluczowe polskie: ceramika tlenkowa ; Al2O3 ; SiC ; powłoka wielowarstwowa ; powłoka wieloskładnikowa ; powłoka gradientowa ; zużycie
Słowa kluczowe angielskie: oxide ceramics ; Al2O3 ; SiC ; multilayer coating ; multicomponent coating ; gradient coating ; wear
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. 112639


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie