Wynik wyszukiwania
Zapytanie: MISFET
Liczba odnalezionych rekordów: 2



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/2
Nr opisu: 0000063355
Tytuł oryginału: Surface passivation of III-V semiconductors for future CMOS devices - past research, present status and key issues for future
Autorzy: H. Hasegawa, M. Akazawa, Alina Domanowska, Bogusława Adamowicz.
Źródło: -Appl. Surf. Sci. 2010 vol. 256 iss. 19, s. 5698-5707, bibliogr. 65 poz.
Impact Factor: 1.795
p-ISSN: 0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie: półprzewodnik grupy III-V ; pasywacja powierzchni ; MISFET ; dielektryk o wysokiej przenikalności elektrycznej ; arsenek galu ; GaAs ; fotoluminescencja
Słowa kluczowe angielskie: III-V semiconductor ; surface passivation ; MISFET ; high-k dielectric ; gallium arsenide ; GaAs ; photoluminescence
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.
Dostęp on-line:


2/2
Nr opisu: 0000047684
Tytuł oryginału: Surface state density distribution at vacuum-annealed InP(1 0 0) surface as derived from the rigorous analysis of photoluminescence efficiency
Autorzy: Paweł* Tomkiewicz, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, H. Hasegawa, Jacek Szuber.
Źródło: -Appl. Surf. Sci. 2008 vol. 254 iss. 24, s. 8046-8049, bibliogr. 28 poz.
Impact Factor: 1.576
p-ISSN: 0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie: InP ; wyżarzanie ; pasywacja ; oczyszczanie ; powierzchnia rozdziału faz ; poziom Fermiego ; fotoluminescencja ; MISFET
Słowa kluczowe angielskie: InP ; annealing ; passivation ; cleaning ; interface ; Fermi level ; photoluminescence ; MISFET
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.
Dostęp on-line:


stosując format:
Nowe wyszukiwanie