Wynik wyszukiwania
Zapytanie: MIS STRUCTURE
Liczba odnalezionych rekordów: 5



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/5
Nr opisu: 0000089615
Tytuł oryginału: Analysis of MIS equivalent electrical circuit of Au/Pd/Ti-SiO2-GaAs structure based on DLTS measurements
Autorzy: Stanisław** Kochowski, Łukasz Drewniak, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz.
¬ródło: -Mater. Sci. Pol. 2013 vol. 31 no. 3, s. 446-453, bibliogr. 30 poz.
Impact Factor: 0.327
Punktacja MNiSW: 15.000
p-ISSN: 2083-1331
e-ISSN: 2083-134X
DOI:
Słowa kluczowe polskie: struktura MIS ; głęboki poziom ; stany międzypowierzchni ; spektroskopia admitancyjna ; DLTS
Słowa kluczowe angielskie: MIS structure ; deep level ; interface states ; admittance spectroscopy ; DLTS
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


2/5
Nr opisu: 0000088327
Tytuł oryginału: Two-dimensional modeling of surface photovoltage in metal/insulator/n-GaN structure with cylindrical symmetry
Autorzy: Maciej* Matys, P. PowroĽnik, D. Kupka, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: -Opt. Appl. 2013 vol. 43 no. 1, s. 47-52, bibliogr. 7 poz.
Impact Factor: 0.643
Punktacja MNiSW: 15.000
p-ISSN: 0078-5466
e-ISSN: 1899-7015
DOI:
Słowa kluczowe polskie: fotonapięcie powierzchniowe ; azotek galu ; metal/izolator/GaN ; struktura MIS ; detektor ultrafioletu
Słowa kluczowe angielskie: surface photovoltage ; gallium nitride ; metal/insulator/GaN ; MIS structure ; UV detector
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3422
Dostęp on-line:


3/5
Nr opisu: 0000084466
Tytuł oryginału: Determination of the deep donor-like interface state density distribution in metal/Al2O3/n-GaN structures from the photocapacitance-light intensity measurement
Autorzy: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
¬ródło: -Appl. Phys. Lett. 2012 vol. 101 iss. 23, s. 231608-1 - 231608-4, bibliogr. 18 poz.
Impact Factor: 3.794
Punktacja MNiSW: 40.000
p-ISSN: 0003-6951
e-ISSN: 1077-3118
DOI:
Słowa kluczowe polskie: zwi±zki aluminium ; zwi±zki galu ; półprzewodnik grupy III-V ; struktura MIS ; fotopojemno¶ć ; pasmo walencyjne ; półprzewodnik szerokoprzerwowy
Słowa kluczowe angielskie: aluminium compounds ; gallium compounds ; III-V semiconductor ; MIS structure ; photocapacitance ; valence band ; wide bandgap semiconductor
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


4/5
Nr opisu: 0000071269
Tytuł oryginału: The influence of interface states and bulk carrier lifetime on the minority carrier behavior in an illuminated metal/insulator/GaN structure
Autorzy: Marcin** Miczek, P. Bidziński, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
¬ródło: -Solid State Commun. 2011 vol. 151 iss. 11, s. 830-833, bibliogr. 37 poz.
Impact Factor: 1.649
p-ISSN: 0038-1098
e-ISSN: 1879-2766
Słowa kluczowe polskie: azotek galu ; struktura MIS ; fotodetektor typu "solar blind"
Słowa kluczowe angielskie: gallium nitride ; MIS structure ; "solar blind" photodetector
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


5/5
Nr opisu: 0000081093
Tytuł oryginału: Analiza numeryczna zjawisk fotoelektronowych w detektorach promieniowania UV typu MIS na bazie n-GaN.
Autorzy: Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
¬ródło: W: IV Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2010, Poznań, 28.06-02.07 2010. Program i streszczenia. Wydział Fizyki Technicznej Politechniki Poznańskiej [et al.].. Poznań : [b.w.], 2010, s. 235, bibliogr. 4 poz.
Słowa kluczowe polskie: GaN ; struktura MIS ; COMSOL
Słowa kluczowe angielskie: GaN ; MIS structure ; COMSOL
Typ publikacji: K
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie