Wynik wyszukiwania
Zapytanie: INP
Liczba odnalezionych rekordów: 4



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/4
Nr opisu: 0000047661
Tytuł oryginału: A novel III-V semiconductor material for NO2 detection and monitoring
Autorzy: K. Wierzbowska, L. Bideux, Bogusława Adamowicz, A. Pauly.
¬ródło: -Sens. Actuators, A Phys. 2008 vol. 142 iss. 1, s. 237-241, bibliogr. 9 poz.
p-ISSN: 0924-4247
e-ISSN: 1873-3069
DOI:
Słowa kluczowe polskie: NO2 ; dwutlenek azotu ; InP ; fosforek indu ; XPS ; rentgenowska spektroskopia fotoelektronów ; spektroskopia elektronów Augera
Słowa kluczowe angielskie: NO2 ; nitrogen dioxide ; InP ; indium phosphide ; XPS ; X-ray photoelectron spectroscopy ; Auger electron spectroscopy
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


2/4
Nr opisu: 0000047684
Tytuł oryginału: Surface state density distribution at vacuum-annealed InP(1 0 0) surface as derived from the rigorous analysis of photoluminescence efficiency
Autorzy: Paweł* Tomkiewicz, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, H. Hasegawa, Jacek Szuber.
¬ródło: -Appl. Surf. Sci. 2008 vol. 254 iss. 24, s. 8046-8049, bibliogr. 28 poz.
Impact Factor: 1.576
p-ISSN: 0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie: InP ; wyżarzanie ; pasywacja ; oczyszczanie ; powierzchnia rozdziału faz ; poziom Fermiego ; fotoluminescencja ; MISFET
Słowa kluczowe angielskie: InP ; annealing ; passivation ; cleaning ; interface ; Fermi level ; photoluminescence ; MISFET
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


3/4
Nr opisu: 0000025312
Tytuł oryginału: Room temperature photoluminescence studies of nitrided InP(100) surfaces
Autorzy: Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, M. Petit, B. Gruzza, C. Robert-Goumet, T. Piwnowski, M. Bugajski, H. Hasegawa.
¬ródło: -Mater. Sci. Eng., C Mater. Biol. Appl. 2006 vol. 26 nr 2/3, s. 378-382, bibliogr. 28 poz.
Impact Factor: 1.325
p-ISSN: 0928-4931
e-ISSN: 1873-0191
DOI:
Słowa kluczowe polskie: InP ; powierzchnia ; pasywacja ; azotowanie ; stan powierzchniowy ; fotoluminescencja ; model zjawisk nierównowagowych
Słowa kluczowe angielskie: InP ; surface ; passivation ; nitridation ; surface states ; photoluminescence ; model of non-equilibrium phenomena
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


4/4
Nr opisu: 0000123735
Tytuł oryginału: Rigorous analysis of the electronic properties of InP interfaces for gas sensing
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, C. Brun, B. Gruzza, H. Hasegawa.
¬ródło: -Thin Solid Films 2003 vol. 436 iss. 1, s. 101-106, bibliogr. 24 poz.
Uwagi: Referat wygłoszony na: 3rd International Seminar on Semiconductor Gas Sensors. SGS'2002, Ustroń, Poland, 19-22 September 2002
Impact Factor: 1.598
p-ISSN: 0040-6090
e-ISSN: 1879-2731
DOI:
Słowa kluczowe polskie: InP ; interfejs ; wła¶ciwo¶ci elektroniczne ; stan powierzchniowy ; poziom Fermiego ; wykrywanie gazu
Słowa kluczowe angielskie: InP ; interface ; electronic properties ; surface states ; Fermi level ; gas sensing
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie