Wynik wyszukiwania
Zapytanie: III-V SEMICONDUCTOR
Liczba odnalezionych rekordów: 2



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/2
Nr opisu: 0000084466
Tytuł oryginału: Determination of the deep donor-like interface state density distribution in metal/Al2O3/n-GaN structures from the photocapacitance-light intensity measurement
Autorzy: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
Źródło: -Appl. Phys. Lett. 2012 vol. 101 iss. 23, s. 231608-1 - 231608-4, bibliogr. 18 poz.
Impact Factor: 3.794
Punktacja MNiSW: 40.000
p-ISSN: 0003-6951
e-ISSN: 1077-3118
DOI:
Słowa kluczowe polskie: związki aluminium ; związki galu ; półprzewodnik grupy III-V ; struktura MIS ; fotopojemność ; pasmo walencyjne ; półprzewodnik szerokoprzerwowy
Słowa kluczowe angielskie: aluminium compounds ; gallium compounds ; III-V semiconductor ; MIS structure ; photocapacitance ; valence band ; wide bandgap semiconductor
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.
Dostęp on-line:


2/2
Nr opisu: 0000063355
Tytuł oryginału: Surface passivation of III-V semiconductors for future CMOS devices - past research, present status and key issues for future
Autorzy: H. Hasegawa, M. Akazawa, Alina Domanowska, Bogusława Adamowicz.
Źródło: -Appl. Surf. Sci. 2010 vol. 256 iss. 19, s. 5698-5707, bibliogr. 65 poz.
Impact Factor: 1.795
p-ISSN: 0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie: półprzewodnik grupy III-V ; pasywacja powierzchni ; MISFET ; dielektryk o wysokiej przenikalności elektrycznej ; arsenek galu ; GaAs ; fotoluminescencja
Słowa kluczowe angielskie: III-V semiconductor ; surface passivation ; MISFET ; high-k dielectric ; gallium arsenide ; GaAs ; photoluminescence
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.
Dostęp on-line:


stosując format:
Nowe wyszukiwanie