Wynik wyszukiwania
Zapytanie: V INTERNATIONAL WORKSHOP ON SEMICONDUCTOR SURFACE PASSIVATION
Liczba odnalezionych rekordów: 4



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/4
Nr opisu: 0000047757
Tytuł oryginału: Analysis of the mechanism of cleaning process of GaAs(100) surface by atomic hydrogen.
Autorzy: Paweł* Tomkiewicz, Maciej Krzywiecki, A. Winkler, T. Chasse, Jacek Szuber.
¬ródło: W: V International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP' 2007, Zakopane, Poland, September 16-19, 2007. Programme, abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2007, s. 63, bibliogr. 7 poz.
Organizator: ECoE CESIS. NANOMET. Department of Electron Technology. Silesian University of Technology. Gliwice
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. Cz.01 122839


2/4
Nr opisu: 0000047880
Tytuł oryginału: Space charge layer properties of wet sulfide treated GaAs sample.
Autorzy: Paweł* Tomkiewicz, Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, J. Mizsei, H. Hasegawa, Jacek Szuber.
¬ródło: W: V International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP' 2007, Zakopane, Poland, September 16-19, 2007. Programme, abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2007, s. 64, bibliogr. 5 poz.
Organizator: ECoE CESIS. NANOMET. Department of Electron Technology. Silesian University of Technology. Gliwice
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. Cz.01 122839


3/4
Nr opisu: 0000073113
Tytuł oryginału: Surface layer on ferroelectric nanowires of antimony sulfoiodide.
Autorzy: Marian** Nowak, Piotr Szperlich, Anna Starczewska, Janusz Szala, D. Stróż, R. Wrzalik.
¬ródło: W: V International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP' 2007, Zakopane, Poland, September 16-19, 2007. Programme, abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2007, s. 56, bibliogr. 1 poz.
Organizator: ECoE CESIS. NANOMET. Department of Electron Technology. Silesian University of Technology. Gliwice
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. Cz.01 122839


4/4
Nr opisu: 0000047881
Tytuł oryginału: Surface state density distribution of INP(100) surface as derived from rigorous analysis of PL efficiency.
Autorzy: Paweł* Tomkiewicz, Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa, Jacek Szuber.
¬ródło: W: V International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP' 2007, Zakopane, Poland, September 16-19, 2007. Programme, abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2007, s. 65, bibliogr. 6 poz.
Organizator: ECoE CESIS. NANOMET. Department of Electron Technology. Silesian University of Technology. Gliwice
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. Cz.01 122839


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie