Wynik wyszukiwania
Zapytanie: ZAHN D
Liczba odnalezionych rekordów: 3



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/3
Nr opisu: 0000056791
Tytuł oryginału: Surface electronic properties of sulfur-treated GaAs determined by surface photovoltage measurement and its computer simulation
Autorzy: Paweł* Tomkiewicz, Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, J. Mizsei, D. Zahn, H. Hasegawa, Jacek Szuber.
Źródło: -Surf. Sci. 2009 vol. 603 iss. 3, s. 498-502, bibliogr. 39 poz.
Impact Factor: 1.798
p-ISSN: 0039-6028
e-ISSN: 1879-2758
Słowa kluczowe polskie: Gats ; pasywacja ; chlorek siarki ; powierzchnia rozdziału faz ; poziom Fermiego ; fotonapięcie powierzchniowe ; potencjał styku ; sonda Kelvina
Słowa kluczowe angielskie: Gats ; passivation ; sulphur chloride ; interface ; Fermi level ; surface photovoltage ; contact potential ; Kelvin probe
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.
Dostęp on-line:


2/3
Nr opisu: 0000025451
Tytuł oryginału: Charge transient spectroscopy measurements of GaAs metal-insulator-semiconductor structures
Autorzy: Stanisław** Kochowski, Michał* Szydłowski, I. Thurzo, D. Zahn.
Źródło: -Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 iss. 21, s. 2631-2635, bibliogr. 32 poz.
Uwagi: Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005
Impact Factor: 1.436
p-ISSN: 0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie: arsenek galu ; struktura metal-izolator-półprzewodnik ; spektroskopia produktów przejściowych ; właściwości elektryczne ; miernictwo elektryczne
Słowa kluczowe angielskie: gallium arsenide ; metal-insulator-semiconductor structure ; charge transient spectroscopy ; electrical properties ; electrical measurement
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.
Dostęp on-line:


3/3
Nr opisu: 0000021188
Tytuł oryginału: Micro-Raman spectroscopy of disordered and ordered sulfur phases on a passivated GaAs surface
Autorzy: Tomasz Błachowicz, G. Salvan, D. Zahn, Jacek Szuber.
Źródło: -Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 nr 21, s. 7642-7646, bibliogr. 18 poz.
Uwagi: Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005
Impact Factor: 1.436
p-ISSN: 0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie: arsenek galu ; pasywacja siarki ; spektroskopia Ramana ; morfologia powierzchni ; (NH4)2Sx ; S2Cl2
Słowa kluczowe angielskie: gallium arsenide ; sulfur passivation ; Raman spectroscopy ; surface morphology ; (NH4)2Sx ; S2Cl2
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.
Dostęp on-line:


stosując format:
Nowe wyszukiwanie