Wynik wyszukiwania
Zapytanie: WESZKA J
Liczba odnalezionych rekordów: 9



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/9
Nr opisu: 0000120324
Tytuł oryginału: Wielowarstwowe barwnikowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób jego wytwarzania.
Twórcy: J. Weszka, Tomasz Tański, A. Błaszczyk, Magdalena Szindler, Marek Szindler, Aleksandra Drygała, Paweł Jarka.
¬ródło: Patent. Polska, nr 225 540. Int. Cl. H01L 31/00, H01L 31/042, H01L 31/0236, H01L 31/0288, H01L 31/101. Politechnika ¦l±ska, Polska
Zgłosz. nr 410 428 z 08.12.2014. Opubl. 28.04.2017, 4 s.
Słowa kluczowe polskie: ogniwo fotowoltaiczne ; ogniwo wielowarstwowe barwnikowe ; fotosynteza
Słowa kluczowe angielskie: photovoltaic cell ; multi-layer dye cell ; photosynthesis
Typ publikacji: OP
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. N/Pt
Dostęp on-line:


2/9
Nr opisu: 0000049771
Tytuł oryginału: Influence of LCVD technological parameters on properties of polyazomethine thin films.
Autorzy: Barbara* Hajduk, J. Weszka, J. Jurusik.
¬ródło: W: Programme and Proceedings of the Worldwide Congress on Materials and Manufacturing Engineering and Technology. COMMENT'09, Gliwice - Gdańsk, 14th-17th June 2009. Ed. by L. A. Dobrzański. Gliwice : International Organising Committee of the Scientific Conferences World Press, 2009, s. 64
Organizator: World Academy of Materials and Manufacturing Engineering, Metallic Materials Section of the Materials Science Committee of the Polish Academy of Sciences, Association of Computational Materials Science and Surface Engineering
Uwagi: Toż na CD-ROM
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l.


3/9
Nr opisu: 0000014466
Tytuł oryginału: Measurements of amorphous silicon transmission in the 1-3 kev range by epma (WDS) instrumentation.
Autorzy: Michał** Żelechower, J. Grecka, J. Weszka.
¬ródło: W: Electron probe microanalysis today. Practical aspect. EMAS'2004. 6th Regional workshop, Bled, Slovenia, 8-11.05.2004. [B.m.] : [b.w.], [2004], s. 156
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


4/9
Nr opisu: 0000011218
Tytuł oryginału: The corrected value of the Y L alpha mass absorption coefficient in silicon
Autorzy: Michał** Żelechower, J. Gracka, J. Weszka, Mirosława Kępińska.
¬ródło: -Microchim. Acta 2004 vol. 145 iss. 1/4, s. 271-273
Impact Factor: 0.851
p-ISSN: 0026-3672
e-ISSN: 1436-5073
Słowa kluczowe polskie: EPMA ; krzem ; itr ; współczynnik absorpcji masowej
Słowa kluczowe angielskie: EPMA ; silicon ; yttrium ; mass absorption coefficient
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


5/9
Nr opisu: 0000007214
Tytuł oryginału: Resonance Raman scattering in In0.45Se0.55 amorphous films
Autorzy: J. Weszka, P. Daniel, A. Burian, A. Burian, Michał** Żelechower.
¬ródło: -Solid State Commun. 2001 vol. 118 iss. 2, s. 97-102
Impact Factor: 1.381
p-ISSN: 0038-1098
e-ISSN: 1879-2766
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


6/9
Nr opisu: 0000007212
Tytuł oryginału: Temperature dependence of Raman scattering in amorphous films of In1-xSex alloys
Autorzy: J. Weszka, P. Daniel, A. Burian, A. Burian, Michał** Żelechower.
¬ródło: -Solid State Commun. 2001 vol. 119 iss. 8/9, s. 533-537
Impact Factor: 1.381
p-ISSN: 0038-1098
e-ISSN: 1879-2766
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


7/9
Nr opisu: 0000026019
Tytuł oryginału: Some optical properties of amorphous In-Se thin films.
Autorzy: A. Michalewicz, B. Jarz±bek, Jan* Cisowski, J. Jurasik, A. Burian, J. Weszka.
¬ródło: W: Surface and thin film structures 1997. Proceedings of the 5th seminar, Ustroń, Poland, September 23-26, 1997. Ed. by J. Szuber. Warszawa : Institute of Electron Technology, 1998, s. 411-416, bibliogr. 15 poz.
Seria: (Electron Technology ; vol. 31, no. 3/4 0070-9816)
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.2959


8/9
Nr opisu: 0000013692
Tytuł oryginału: Technologia i własno¶ci optyczne cienkich warstw amorficznych In2Se3.
Autorzy: A. Jędruchów, B. Jarz±bek, Jan* Cisowski, J. Jurusik, A. Burian, J. Weszka.
¬ródło: W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. VI Seminarium naukowe, Katowice, 22 maja 1998. [B.m.] : [b.w.], [1998], s. 281-284, bibliogr. 10 poz.
Organizator: Wydział Inżynierii Materiałowej, Metalurgii i Transportu Politechniki ¦l±skiej. Stowarzyszenie Absolwentów Wydziału
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. Cz.01 112688


9/9
Nr opisu: 0000028068
Tytuł oryginału: Inhomogeneity of amorphous Zn-P thin films from optical measurements.
Autorzy: B. Jarzabek, J. Weszka, J. Jurusik, Jan* Cisowski.
¬ródło: W: Surface and thin film structures 1996. Proceedings of the 4th seminar, Kazimierz Dolny, Poland, September 18-21, 1996. Ed. M. Jałochowski. Warszawa : Institute of Electron Technology, 1997, s. 193-195, bibliogr. 10 poz.
Seria: (Electron Technology ; vol. 30, no. 2 0070-9816)
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.2959


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie