Wynik wyszukiwania
Zapytanie: SZMIDT J
Liczba odnalezionych rekordów: 8



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/8
Nr opisu: 0000094441
Tytuł oryginału: Application of scanning microscopy to study correlation between thermal properties and morphology of BaTiO3 thin films
Autorzy: Anna KaĽmierczak-Bałata, Jerzy Bodzenta, Maciej Krzywiecki, Justyna Juszczyk, J. Szmidt, P. Firlek.
¬ródło: -Thin Solid Films 2013 vol. 545, s. 217-221, bibliogr. 26 poz.
Impact Factor: 1.867
Punktacja MNiSW: 30.000
p-ISSN: 0040-6090
e-ISSN: 1879-2731
DOI:
Słowa kluczowe polskie: mikroskopia sił atomowych ; tytanian baru ; warstwa cienka ; skaningowa mikroskopia termiczna ; wła¶ciwo¶ci termiczne
Słowa kluczowe angielskie: atomic force microscopy ; barium titanate ; thin film ; scanning thermal microscopy ; thermal properties
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


2/8
Nr opisu: 0000113757
Tytuł oryginału: Influence of nitrogen implantation on electrical properties of Al/SiO2/4H-SiC MOS structure.
Autorzy: K. Król, M. Sochacki, M. Turek, J. Zuk, M. Przewlocki, T. Gutt, P. Borowicz, M. Guziewicz, Jacek Szuber, Monika Kwoka, Piotr* Ko¶cielniak, J. Szmidt.
¬ródło: W: Silicon carbide and related materials 2012. Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation. Ed. by Alexander A. Lebedev, Sergey Yu. Davydov, Pavel A. Ivanov and Mikhail E. Levinshtein. Durnten-Zurich : Trans Tech Publications, 2013, s. 733-736, bibliogr. 6 poz.
ISBN: 978-3-03785-624-6978-3-03785-624-6
Seria: (Materials Science Forum ; vol. 740/742 0255-5476)
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,4
Bazy indeksuj±ce publikację: Scopus; Web of Science
DOI:
Słowa kluczowe polskie: implantacja jonów ; węglik krzemu ; utlenianie termiczne
Słowa kluczowe angielskie: ion implantation ; silicon carbide ; thermal oxidation ; ion implantation damage
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


3/8
Nr opisu: 0000082758
Tytuł oryginału: Redukcja stanów pułapkowych w strukturze MOS 4H-SiC(0001) pod wpływem implantacji azotu - wpływ profilu implantacji.
Autorzy: K. Król, M. Sochacki, W. Strupiński, M. Turek, J. Żuk, P. Borowicz, H. Przewłocki, Monika Kwoka, Piotr* Ko¶cielniak, Jacek Szuber, J. Szmidt.
¬ródło: W: Technologia elektronowa. ELTE '2013. XI Konferencja naukowa, Ryn, 10-20 kwietnia 2013. [Dokument elektroniczny]. Warszawa : Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej, 2013, dysk optyczny (CD-ROM) s. 155-156, bibliogr. 3 poz.
ISBN: 978-83-64102-00-4
Organizator: Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,1
Słowa kluczowe polskie: stan pułapkowy ; implantacja jonów ; struktura MOS
Słowa kluczowe angielskie: trapping state ; ion implantation ; MOS structure
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


4/8
Nr opisu: 0000083622
Tytuł oryginału: Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych (INTechFun).
Autorzy: A. Piotrowska, P. Mihalovits, E. Kamińska, M. Borysiewicz, M. Guziewicz, M. Ekielski, M. Juchniewicz, K. Korwin-Mikke, A. Taube, R. Kruszka, I. Pasternak, Z. Adamus, K. Gołaszewska, A. Barcz, A. Czerwiński, T. Gutt, H. Przewłocki, G. Zaremba, P. Bogusławski, O. Volnianska, Z. Żytkiewicz, E. Dynowska, M. Sawicki, W. Nakwaski, A. Brozi, Tadeusz Pustelny, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, J. Szmidt, M. Sochacki, M. Borecki.
¬ródło: W: Dziesi±ta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011, s. 129-130
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Słowa kluczowe polskie: nanoelektronika ; fotonika ; spintronika ; półprzewodnik szerokoprzerwowy ; tlenek cienkowarstwowy
Słowa kluczowe angielskie: nanoelectronics ; photonics ; spintronics ; wide bandgap semiconductor ; thin-film oxide
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


5/8
Nr opisu: 0000082623
Tytuł oryginału: Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych (InTechFun).
Autorzy: A. Piotrowska, P. Mihalovits, E. Kamińska, M. Borysiewicz, M. Guziewicz, M. Ekielski, M. Juchniewicz, K. Korwin-Mikke, A. Taube, R. Kruszka, I. Pasternak, Z. Adamus, K. Gołaszewska, A. Barcz, A. Czerwiński, M. Wzorek, T. Gutt, H. Przewłocki, G. Zaremba, P. Bogusławski, O. Volnianska, Z. Żytkiewicz, E. Dynowska, M. Sawicki, W. Nakwaski, A. Brozi, Tadeusz Pustelny, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, J. Szmidt, M. Sochacki, M. Borecki.
¬ródło: W: Dziewi±ta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 30.05-02.06.2010]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2010, s. 29-30
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Słowa kluczowe polskie: nanoelektronika ; fotonika ; spintronika ; technika laserowa ; półprzewodnik szerokoprzerwowy ; tlenek cienkowarstwowy
Słowa kluczowe angielskie: nanoelectronics ; photonics ; spintronics ; laser technique ; wide bandgap semiconductor ; thin-film oxide
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


6/8
Nr opisu: 0000000178
Tytuł oryginału: Thermal properties of CN thin films measured by photothermal methods
Autorzy: Jerzy Bodzenta, B. Burak, Jacek* Mazur, J. Szmidt.
¬ródło: -J. Wide Bandgap Mater. 2001 vol. 8 no. 3/4, s. 233-239, bibliogr. 5 poz.
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


7/8
Nr opisu: 0000043556
Tytuł oryginału: Diamond-like carbon coatings for biomedical applications
Autorzy: E. Mitura, S. Mitura, P. Niedzielski, Z. Ha¶, R. Wołowiec, A. Jakubowski, J. Szmidt, A. Sokołowska, P. Louda, Jan** Marciniak, B. Koczy.
¬ródło: -Diamond Relat. Mater. 1994 vol. 3 iss. 4-6, s. 896-898, bibliogr. 8 poz.
p-ISSN: 0925-9635
e-ISSN: 1879-0062
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


8/8
Nr opisu: 0000003049
Tytuł oryginału: Technologia wytwarzania amorficznego diamentu - materiału dla zastosowań w medycynie.
Autorzy: S. Mitura, E. Mitura, P. Niedzielski, Jan** Marciniak, J. Szmidt, M. Cłapa, Zbigniew Paszenda, A. Jakubowski.
¬ródło: W: Technologia elektronowa. V Konferencja naukowa. ELTE '94, Szczyrk, 20.04-23.04.1994. T. 1. Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej. Warszawa : Oficyna Wydaw. Politechniki Warszawskiej, 1994, s. 248-251, bibliogr. 22 poz.
Typ publikacji: K
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie