Wynik wyszukiwania
Zapytanie: PRZYBYŁA KRZYSZTOF
Liczba odnalezionych rekordów: 11



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/11
Nr opisu: 0000122075
Tytuł oryginału: Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC
Tytuł w wersji angielskiej: Comparison of 300 kHz Class d-ZVS inverters for induction heating with MOSFET transistors based on Si and SiC
Autorzy: Marcin Kasprzak, Krzysztof Przybyła.
¬ródło: -Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 3, s. 60-64, bibliogr. 14 poz.
Punktacja MNiSW: 14.000
p-ISSN: 0033-2097
e-ISSN: 2449-9544
DOI:
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy D-ZVS ; SiC ; MOSFET ; poł±czenie równoległe
Słowa kluczowe angielskie: class D-ZVS inverter ; SiC ; MOSFET ; parallel connection
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.677
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_PUBLISHED open-access-licence: OTHER open-access-release-time: AT_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


2/11
Nr opisu: 0000121201
Tytuł oryginału: Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC
Tytuł w wersji angielskiej: Verification of power losses in the gate circuit in selected MOSFET transistors based on Si and SiC
Autorzy: Krzysztof Przybyła.
¬ródło: -Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 1, s. 129-132, bibliogr. 12 poz.
Punktacja MNiSW: 14.000
p-ISSN: 0033-2097
e-ISSN: 2449-9544
DOI:
Słowa kluczowe polskie: straty mocy ; MOSFET ; obwód bramkowy ; SiC
Słowa kluczowe angielskie: power losses ; MOSFET ; circuit gate ; SiC
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.677
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_PUBLISHED open-access-licence: OTHER open-access-release-time: AT_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


3/11
Nr opisu: 0000122111
Tytuł oryginału: Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawno¶ć energetyczn± falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz
Tytuł w wersji angielskiej: Influence of transistor's case on efficiency of Class DE inverter from 13,56 MHz band
Autorzy: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
¬ródło: -Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 3, s. 87-90, bibliogr. 14 poz.
Punktacja MNiSW: 14.000
p-ISSN: 0033-2097
e-ISSN: 2449-9544
DOI:
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy DE ; wysoka częstotliwo¶ć ; SiC ; MOSFET ; drajwer
Słowa kluczowe angielskie: class DE inverter ; high frequency ; SiC ; MOSFET ; driver
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.677
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_PUBLISHED open-access-licence: OTHER open-access-release-time: AT_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


4/11
Nr opisu: 0000115891
Tytuł oryginału: Cyfrowy sterownik CPLD falownika klasy DE
Tytuł w wersji angielskiej: Digital CPLD controller of class DE inverter
Autorzy: Krzysztof Przybyła.
¬ródło: -Prz. Elektrot. 2017 R. 93 nr 5, s. 21-24, bibliogr. 9 poz.
Punktacja MNiSW: 14.000
p-ISSN: 0033-2097
e-ISSN: 2449-9544
DOI:
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy DE ; sterownik ; CPLD ; IPDM
Słowa kluczowe angielskie: class DE inverter ; controller ; CPLD ; IPDM
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.677
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_PUBLISHED open-access-licence: OTHER open-access-release-time: AT_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


5/11
Nr opisu: 0000122132
Tytuł oryginału: Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC.
Tytuł w wersji angielskiej: Comparison of 300 kHz Class D-ZVS inverters for induction heating with MOSFET transistors based on Si and SiC
Autorzy: Marcin Kasprzak, Krzysztof Przybyła.
¬ródło: W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym. SENE 2017. XIII Krajowa konferencja naukowa, ŁódĽ, 22-24 listopada 2017. [Dokument elektroniczny]. ŁódĽ : [b.w.], 2017, pamięć USB (PenDrive) s. 1-5, bibliogr. 14 poz.
ISBN: 978-83-7283-840-7
Organizator: Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,5
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy D-ZVS ; SiC ; MOSFET ; poł±czenie równoległe
Słowa kluczowe angielskie: class D-ZVS inverter ; SiC ; MOSFET ; parallel placement
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


6/11
Nr opisu: 0000118207
Tytuł oryginału: Przekształcanie wysokoczęstotliwo¶ciowe w tematyce prac doktorskich realizowanych w KENER.
Autorzy: Marcin Kasprzak, Zbigniew Kaczmarczyk, Krystian Frania, Kamil Kierepka, Piotr Legutko, Krzysztof Przybyła, Piotr Zimoch, Michał Zellner.
¬ródło: W: Energoelektronika w nauce i dydaktyce. XVI Sympozjum, Poznań, 11-13 maja 2017. [Dokument elektroniczny]. Red. Krzysztof Zawirski, Michał GwóĽdĽ. Poznań : Wydaw. Politechniki Poznańskiej, 2017, pamięć USB (PenDrive) s. 1-10, bibliogr. 14 poz.
ISBN: 978-83-911058-2-5
Organizator: Politechnika Poznańska
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,5
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


7/11
Nr opisu: 0000122223
Tytuł oryginału: Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawno¶ć energetyczn± falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz.
Tytuł w wersji angielskiej: Influence of transistor's case on efficiency of Class DE inverter from 13.56 MHz band
Autorzy: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
¬ródło: W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym. SENE 2017. XIII Krajowa konferencja naukowa, ŁódĽ, 22-24 listopada 2017. [Dokument elektroniczny]. ŁódĽ : [b.w.], 2017, pamięć USB (PenDrive) s. 1-4, bibliogr. 14 poz.
ISBN: 978-83-7283-840-7
Organizator: Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,5
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy DE ; wysoka częstotliwo¶ć ; SiC ; MOSFET ; drajwer
Słowa kluczowe angielskie: class DE inverter ; high frequency ; SiC ; MOSFET ; driver
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


8/11
Nr opisu: 0000107445
Tytuł oryginału: Falownik rezonansowy klasy D 300 kHz/20 kW z tranzystorami SiC MOSFET.
Autorzy: Marcin Kasprzak, Zbigniew Kaczmarczyk, Piotr Legutko, Krzysztof Przybyła.
¬ródło: W: Energoelektronika w nauce i dydaktyce. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika ¦l±ska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki ¦l±skiej, 2016, s. 141-144, bibliogr. 8 poz.
ISBN: 978-83-911058-2-5
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,2
Słowa kluczowe polskie: falownik rezonansowy ; tranzystor MOSFET ; SiC
Słowa kluczowe angielskie: resonant inverter ; MOSFET transistor ; SiC
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


9/11
Nr opisu: 0000110406
Tytuł oryginału: Porównanie strat mocy w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET Si i SiC o zbliżonej klasie pr±dowo-napięciowej.
Tytuł w wersji angielskiej: Camprison of power losses in gate circuit of selected Si and SiC MOSFET tranzistors in similar current-voltage class
Autorzy: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
¬ródło: W: II Seminarium Młodych Naukowców Wydziału Elektrycznego Politechniki ¦l±skiej. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki ¦l±skiej, 2016, s. 94-96, bibliogr. 3 poz.
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,2
Słowa kluczowe polskie: straty mocy ; tranzystor MOSFET ; SiC ; Si ; obwód bramkowy
Słowa kluczowe angielskie: power losses ; MOSFET transistor ; SiC ; Si ; circuit gate
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


10/11
Nr opisu: 0000122770
Tytuł oryginału: Possible application of SiC and GaN MOSFET transistors in class de inverter
Tytuł w wersji polskiej: Możliwo¶ci zastosowania tranzystorów MOSFET na bazie SiC oraz GaN w falowniku klasy DE
Autorzy: Krzysztof Przybyła.
¬ródło: -Pr. Nauk. P¦l., Elektr. 2016 R. 62 z. 3/4, s. 23-33, bibliogr. 25 poz.
Punktacja MNiSW: 6.000
p-ISSN: 1897-8827
Słowa kluczowe polskie: MOSFET ; SiC ; GaN ; falownik klasy DE
Słowa kluczowe angielskie: MOSFET ; SiC ; GaN ; class DE inverter
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3348
Dostęp on-line:


11/11
Nr opisu: 0000107443
Tytuł oryginału: Wła¶ciwo¶ci tranzystorów MOSFET na bazie SiC i GaN.
Autorzy: Krzysztof Przybyła.
¬ródło: W: Energoelektronika w nauce i dydaktyce. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika ¦l±ska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki ¦l±skiej, 2016, s. 129-134, bibliogr. 16 poz.
ISBN: 978-83-911058-2-5
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,3
Słowa kluczowe polskie: tranzystor MOSFET ; węglik krzemu ; azotek galu ; SiC ; GaN
Słowa kluczowe angielskie: MOSFET transistor ; silicon carbide ; gallium nitride ; SiC ; GaN
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie