Wynik wyszukiwania
Zapytanie: PASZKIEWICZ R
Liczba odnalezionych rekordów: 27



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/27
Nr opisu: 0000116344
Tytuł oryginału: Sonochemical growth of nanomaterials in carbon nanotube
Autorzy: Marcin Jesionek, Marian** Nowak, Krystian Mistewicz, Mirosława Kępińska, D. Stróż, I. Bednarczyk, R. Paszkiewicz.
¬ródło: -Ultrasonics 2018 vol. 83, s. 179-187, bibliogr. 45 poz.
Impact Factor: 2.377
Punktacja MNiSW: 35.000
p-ISSN: 0041-624X
e-ISSN: 1874-9968
DOI:
Słowa kluczowe polskie: nanorurki węglowe ; siarczan antymonu ; SbSI ; selenodiad antymonu ; SbSeI ; sonochemia ; hermetyzacja ; ł±czenie ultradĽwiękowe
Słowa kluczowe angielskie: carbon nanotubes ; antimony sulfoiodide ; SbSI ; antimony selenoiodide ; SbSeI ; sonochemistry ; encapsulation ; ultrasonic joining
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


2/27
Nr opisu: 0000114160
Tytuł oryginału: SbSI nanosensors: from gel to single nanowire devices
Autorzy: Krystian Mistewicz, Marian** Nowak, R. Paszkiewicz, A. Guiseppi-Elie.
¬ródło: -Nanoscale Res. Lett. 2017, s. 1-8, bibliogr. 39 poz.
Impact Factor: 3.125
Punktacja MNiSW: 35.000
p-ISSN: 1556-276X
DOI:
Słowa kluczowe polskie: nanodruty ; czujnik gazu ; jodosiarczek antymonu ; wilgotno¶ć ; ditlenek węgla
Słowa kluczowe angielskie: nanowires ; gas sensor ; antimony sulfoiodide ; humidity ; carbon dioxide
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_AUTHOR open-access-licence: CC-BY open-access-release-time: AT_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


3/27
Nr opisu: 0000108885
Tytuł oryginału: SbSI nanosensors: from gel to single nanowire devices.
Autorzy: Krystian Mistewicz, Marian** Nowak, R. Wrzalik, R. Paszkiewicz, Tomasz Rzychoń, A. Guiseppi-Elie.
¬ródło: W: Energy Materials Nanotechnology. EMN Croatia Meeting 2016, May 4-7, 2016, Dubrovnik, Croatia. Program & abstract. [B.m.] : [b.w.], 2016, s. 95-96, bibliogr. 6 poz.
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


4/27
Nr opisu: 0000106575
Tytuł oryginału: SbSI nanowires for ferroelectric generators operating under shock pressure
Autorzy: Krystian Mistewicz, Marian** Nowak, D. Stróż, R. Paszkiewicz.
¬ródło: -Mater. Lett. 2016 vol. 180, s. 15-18, bibliogr. 24 poz.
Impact Factor: 2.572
Punktacja MNiSW: 35.000
p-ISSN: 0167-577X
e-ISSN: 1873-4979
DOI:
Słowa kluczowe polskie: jodosiarczek antymonu ; SbSI ; nanodruty ferroelektryczne ; uderzenie ci¶nienia ; nanogenerator ; nanourz±dzenie
Słowa kluczowe angielskie: antimony sulfoiodide ; SbSI ; ferroelectric nanowires ; shock pressure ; nanogenerator ; nanodevice
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


5/27
Nr opisu: 0000107707
Tytuł oryginału: Sonochemical growth of nanomaterials in carbon nanotube.
Autorzy: Marcin Jesionek, Marian** Nowak, Krystian Mistewicz, D. Stróż, Iwona Bednarczyk, A. Guiseppi-Elie, R. Paszkiewicz.
¬ródło: W: ULTRASONICS 2016. II International Conference on Ultrasonic-based Applications: from analysis to synthesis, 6th - 8th June 2016, Caparica, Portugal. Proceedings Book. Caparica : ProteoMass, 2016, s. 181-182
ISBN: 978-989-99361-9-5
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,1
Słowa kluczowe polskie: nanorurki węglowe ; jodosiarczek antymonu ; sonochemia ; hermetyzacja ; półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie: carbon nanotubes ; antimony sulfoiodide ; sonochemistry ; encapsulation ; semiconductor
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


6/27
Nr opisu: 0000097509
Tytuł oryginału: Fabrication of nanodevices using ultrasonic nanowelding.
Autorzy: Krystian Mistewicz, Marcin Jesionek, Marian** Nowak, Piotr Szperlich, Janusz Szala, R. Paszkiewicz, R. Wrzalik.
¬ródło: W: 43rd "Jaszowiec 2014" International School & Conference on the Physics of Semiconductors, Wisła, Poland, June 7th - 12th, 2014. Warsaw : [b.w.], 2014, s. 143, bibliogr. 2 poz.
Organizator: Institute of Physics. Polish Academy of Sciences [et al.]
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


7/27
Nr opisu: 0000096414
Tytuł oryginału: SbSI single nanowires as humidity sensors
Autorzy: Krystian Mistewicz, Marian** Nowak, Piotr Szperlich, Marcin Jesionek, R. Paszkiewicz.
¬ródło: -Acta Phys. Pol. A 2014 vol. 126 no. 5, s. 1113-1114, bibliogr. 8 poz.
Uwagi: Referat wygłoszony na: 43rd International School and Conference on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2014", Wisła, Poland, June 22-27, 2014
Impact Factor: 0.530
Punktacja MNiSW: 15.000
p-ISSN: 0587-4246
e-ISSN: 1898-794X
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Informacje o dostępie open-access: open-access-licence: OTHER
Dostęp on-line:


8/27
Nr opisu: 0000097510
Tytuł oryginału: SbSI single nanowires as humidity sensors.
Autorzy: Krystian Mistewicz, Marian** Nowak, Piotr Szperlich, Marcin Jesionek, R. Paszkiewicz.
¬ródło: W: 43rd "Jaszowiec 2014" International School & Conference on the Physics of Semiconductors, Wisła, Poland, June 7th - 12th, 2014. Warsaw : [b.w.], 2014, s. 221, bibliogr. 2 poz.
Organizator: Institute of Physics. Polish Academy of Sciences [et al.]
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


9/27
Nr opisu: 0000089615
Tytuł oryginału: Analysis of MIS equivalent electrical circuit of Au/Pd/Ti-SiO2-GaAs structure based on DLTS measurements
Autorzy: Stanisław** Kochowski, Łukasz Drewniak, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz.
¬ródło: -Mater. Sci. Pol. 2013 vol. 31 no. 3, s. 446-453, bibliogr. 30 poz.
Impact Factor: 0.327
Punktacja MNiSW: 15.000
p-ISSN: 2083-1331
e-ISSN: 2083-134X
DOI:
Słowa kluczowe polskie: struktura MIS ; głęboki poziom ; stany międzypowierzchni ; spektroskopia admitancyjna ; DLTS
Słowa kluczowe angielskie: MIS structure ; deep level ; interface states ; admittance spectroscopy ; DLTS
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


10/27
Nr opisu: 0000087555
Tytuł oryginału: Comparison of SbSI nanophotodetectors fabricated from individual nanowires and gel.
Autorzy: Krystian Mistewicz, Marian** Nowak, Piotr Szperlich, R. Wrzalik, Marcin Jesionek, Janusz Szala, R. Paszkiewicz.
¬ródło: W: OPTO Meeting for Young Researchers and 8th International SPIE Student Chapters Meeting, Torun, Poland, 3-6 July 2013. Book of abstracts. Ed. S. Maliszewska. Torun : University Press Nicolaus Copernicus University, 2013, s. 48-49, bibliogr. 3 poz.
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


11/27
Nr opisu: 0000087595
Tytuł oryginału: Investigations of photoelectric properties of nanosensors made from SbSI gel and single nanowires.
Autorzy: Krystian Mistewicz, Marian** Nowak, Piotr Szperlich, R. Wrzalik, Marcin Jesionek, Janusz Szala, R. Paszkiewicz.
¬ródło: W: International OSA network of students. IONS-14, Torun, July 3-6, 2013. Book of abstracts. Eds: S. Maliszewska, K. Maliszewski. Toruń : University Press Nicolaus Copernicus University, 2013, s. 36-37, bibliogr. 3 poz.
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


12/27
Nr opisu: 0000087562
Tytuł oryginału: Quantum effects in conductivity and photoconductivity of a single SbSI nanowires.
Autorzy: Krystian Mistewicz, Marian** Nowak, R. Wrzalik, Marcin Jesionek, Piotr Szperlich, R. Paszkiewicz, A. Guiseppi-Elie.
¬ródło: W: 42nd International School & Conference on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2013", Wisła, Poland, June 22nd - 27th, 2013. Institute of Physics. Polish Academy of Sciences [et al.]. Warsaw : [b.w.], 2013, s. 238, bibliogr. 2 poz.
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


13/27
Nr opisu: 0000092716
Tytuł oryginału: Quantum effects in electrical conductivity and photoconductivity of single SbSI nanowire
Autorzy: Krystian Mistewicz, Marian** Nowak, R. Wrzalik, Marcin Jesionek, Piotr Szperlich, R. Paszkiewicz, A. Guiseppi-Elie.
¬ródło: -Acta Phys. Pol. A 2013 vol. 124 no. 5, s. 827-829, bibliogr. 6 poz.
Uwagi: Referat wygłoszony na: 42th Jaszowiec International School and Conference on the Physics of Semiconductors, Wisła 2013
Impact Factor: 0.604
Punktacja MNiSW: 15.000
p-ISSN: 0587-4246
e-ISSN: 1898-794X
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Informacje o dostępie open-access: open-access-licence: OTHER
Dostęp on-line:


14/27
Nr opisu: 0000089617
Tytuł oryginału: The analysis of filling pulse parameters influence on ICTS data of GaAs MIS structures.
Autorzy: Łukasz Drewniak, Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz.
¬ródło: W: Electron Technology Conference 2013, Ryn, Poland, 16-20 April 2013. Eds: Paweł Szczepański, Ryszard Kisiel, Ryszard S. Romaniuk. Bellingham : SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2013, art. 890209 s. 1-8, bibliogr. 16 poz.
ISBN: 978-0-8194-9521-1
Organizator: Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw University of Technology (Poland)
Seria: (Proceedings of SPIE ; vol. 8902 0277-786X)
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,5
Bazy indeksuj±ce publikację: Web of Science; Scopus
DOI:
Słowa kluczowe polskie: struktura GaAs MIS ; ICTS ; stany międzypowierzchni
Słowa kluczowe angielskie: GaAs MIS structure ; ICTS ; interface states
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


15/27
Nr opisu: 0000076653
Tytuł oryginału: Photoelectric properties of single SbSI nanowires.
Autorzy: Krystian Mistewicz, Marian** Nowak, Piotr Szperlich, Janusz Szala, R. Paszkiewicz.
¬ródło: W: OPTO meeting for young reserchers and 7th international SPIE student's chapter meeting, Gliwice, 17-20th May 2012. Book of abstracts. Ed. Sabina Drewniak, Przemysław Struk. [B.m.] : [b.w.], 2012, s. 27, bibliogr. 4 poz.
Słowa kluczowe polskie: jodosiarczek antymonu ; nanodruty ; zgrzewanie ultradĽwiękowe ; sonochemia
Słowa kluczowe angielskie: antimony sulfoiodide ; nanowires ; ultrasonic welding ; sonochemistry
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


16/27
Nr opisu: 0000046254
Tytuł oryginału: Analysis of electrical equivalent circuit of metal-insulator-semiconductor structure based on admittance measurements
Autorzy: Stanisław** Kochowski, Michał* Szydłowski, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz.
¬ródło: -Mater. Sci. Pol. 2008 vol. 26 no. 1, s. 63-69, bibliogr. 13 poz.
Impact Factor: 0.368
p-ISSN: 2083-1331
e-ISSN: 2083-134X
Słowa kluczowe polskie: spektroskopia impedancyjna ; struktura typu metal-izolator-półprzewodnik ; element stałofazowy ; własno¶ci elektryczne ; krzem
Słowa kluczowe angielskie: impedance spectroscopy ; metal-insulator-semiconductor structure ; constant phase element ; electrical properties ; silicon
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.4054
Dostęp on-line:


17/27
Nr opisu: 0000046252
Tytuł oryginału: Characterization of insulator-semiconductor interface phenomena in MIS structures by impedance spectroscopy.
Autorzy: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz, Michał* Szydłowski.
¬ródło: W: Technologia elektronowa. ELTE '2007. IX Konferencja, Kraków, 4-7.09.2007. Materiały konferencyjne. Red. T. Stapiński [i in.]. [Kraków] : [Wydaw. Wydziału Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki. Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica], 2008, s. 47-50, bibliogr. 11 poz.
Organizator: Katedra Elektroniki. Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki. AGH w Krakowie [i in.]
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


18/27
Nr opisu: 0000076033
Tytuł oryginału: Characterization of insulator-semiconductor interface phenomena in MIS structure by impedance spectroscopy.
Autorzy: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz, Michał* Szydłowski.
¬ródło: W: IX Electron Technology Conference. ELTE 2007, Kraków, 4-7.09.2007. Book of abstracts. Eds: K. Zakrzewska [et al.]. Kraków : Przedsiębiorstwo Wielobranżowe STABIL, 2007, s. 76
Organizator: Department of Electronics. Faculty of Electrical Engineering, Automatics, Computer Science and Electronics. AGH [et al.]
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


19/27
Nr opisu: 0000046253
Tytuł oryginału: An analysis of GaAs MIS structure properties by use of an equivalent circuit parameters.
Autorzy: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, Michał* Szydłowski.
¬ródło: W: Technologia elektronowa. ELTE '2004. VIII Konferencja naukowa, Stare Jabłonki, 19-22.04.2004. Materiały konferencyjne. ŁódĽ : CMYK Studio Poligrafii i Reklamy, 2004, s. 357-360, bibliogr. 5 poz.
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


20/27
Nr opisu: 0000011168
Tytuł oryginału: Characterization of the interface and the bulk phenomena in metal-SiO2-(n) GaAs structure by analysis of the equivalent circuit parameters at different temperatures
Autorzy: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
¬ródło: -Thin Solid Films 2004 vol. 467 iss. 1/2, s. 190-196, bibliogr. 42 poz.
Impact Factor: 1.647
p-ISSN: 0040-6090
e-ISSN: 1879-2731
DOI:
Słowa kluczowe polskie: element stałofazowy ; wła¶ciwo¶ci elektryczne ; miernictwo elektryczne ; arsenek galu
Słowa kluczowe angielskie: constant phase element ; electrical properties ; electrical measurement ; gallium arsenide ; metal-insulator-semiconductor structure
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


21/27
Nr opisu: 0000011325
Tytuł oryginału: Studies of GaAs metal-insulator-semiconductor strucutres by the admittance spectroscopy method
Autorzy: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, M. Szydlowski.
¬ródło: -Appl. Surf. Sci. 2004 vol. 235 iss. 3, s. 389-394, bibliogr. 28 poz.
Impact Factor: 1.497
p-ISSN: 0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie: element stałofazowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik ; wła¶ciwo¶ci elektryczne ; pomiary elektryczne ; arsenek galu
Słowa kluczowe angielskie: constant phase element ; metal-insulator-semiconductor structure ; electrical properties ; electrical measurements ; gallium arsenide
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


22/27
Nr opisu: 0000018841
Tytuł oryginału: Contribution of interface states and bulk traps to GaAs MIS admittance.
Autorzy: Stanisław** Kochowski, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
¬ródło: W: Compound semiconductors 2002. Proceedings of the Twenty-ninth International Symposium on Compound Semiconductors, Lusanne, Switzerland, 7-10 October 2002. Eds: Marc Ilegems, Gunter Weimann, Joachim Wagner. Bristol : Institute of Physics Publishing, 2003, s. 37-40
Seria: (Institute of Physics Conference Series ; no. 174)
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


23/27
Nr opisu: 0000008347
Tytuł oryginału: Two constant phase element behaviour of the admittance characteristics of GaAs metal-insulator-semiconductor structure with deep traps
Autorzy: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
¬ródło: -Thin Solid Films 2003 vol. 444 iss. 1/2, s. 208-214, bibliogr. 34 poz.
Impact Factor: 1.598
p-ISSN: 0040-6090
e-ISSN: 1879-2731
Słowa kluczowe polskie: element stałofazowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik ; wła¶ciwo¶ci elektryczne ; arsenek galu
Słowa kluczowe angielskie: constant phase element ; metal-insulator-semiconductor structure ; electrical properties ; gallium arsenide
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


24/27
Nr opisu: 0000000140
Tytuł oryginału: Badanie własno¶ci elektrycznych struktur metal-SiO2-GaAs.
Autorzy: Stanisław** Kochowski, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
¬ródło: W: Technologia elektronowa. VII Konferencja naukowa. ELTE '2000, Polanica Zdrój, 18-22 wrze¶nia 2000. Materiały konferencyjne. Wrocław : Instytut Techniki Mikrosystemów Politechniki Wrocławskiej, 2000, s. 394-397, bibliogr. 8 poz.
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


25/27
Nr opisu: 0000000078
Tytuł oryginału: Some effects of (NH4)2Sx treatment of n-GaAs surface on electrical characteristics of metal-SiO2-GaAs structures
Autorzy: Stanisław** Kochowski, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
¬ródło: -Vacuum 2000 vol. 57 iss. 2, s. 157-162, bibliogr. 22 poz.
Impact Factor: 0.520
p-ISSN: 0042-207X
e-ISSN: 1879-2715
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


26/27
Nr opisu: 0000007633
Tytuł oryginału: Electrical properties of SiO2-(n) GaAs interface on the basis of measurements of MIS structure capacitance and conductance
Autorzy: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz.
¬ródło: -Thin Solid Films 1999 vol. 348 no. 1, s. 180-187, bibliogr. 29 poz.
Impact Factor: 1.101
p-ISSN: 0040-6090
e-ISSN: 1879-2731
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


27/27
Nr opisu: 0000003067
Tytuł oryginału: Analiza częstotliwo¶ciowych charakterystyk pojemno¶ci i konduktancji struktur metal-SiO2-GaAs.
Autorzy: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, A. Górecka-Drzazga.
¬ródło: W: Technologia elektronowa. VI Konferencja naukowa. ELTE '97, Krynica, 6.05-9.05.1997. T. 1. Instytut Elektroniki Akademii Górniczo-Hutniczej w Krakowie. Kraków : Akademia Górniczo-Hutnicza, 1997, s. 556-560, bibliogr. 6 poz.
Typ publikacji: K
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie