Wynik wyszukiwania
Zapytanie: NITSCH K
Liczba odnalezionych rekordów: 12



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/12
Nr opisu: 0000089615
Tytuł oryginału: Analysis of MIS equivalent electrical circuit of Au/Pd/Ti-SiO2-GaAs structure based on DLTS measurements
Autorzy: Stanisław** Kochowski, Łukasz Drewniak, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz.
¬ródło: -Mater. Sci. Pol. 2013 vol. 31 no. 3, s. 446-453, bibliogr. 30 poz.
Impact Factor: 0.327
Punktacja MNiSW: 15.000
p-ISSN: 2083-1331
e-ISSN: 2083-134X
DOI:
Słowa kluczowe polskie: struktura MIS ; głęboki poziom ; stany międzypowierzchni ; spektroskopia admitancyjna ; DLTS
Słowa kluczowe angielskie: MIS structure ; deep level ; interface states ; admittance spectroscopy ; DLTS
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


2/12
Nr opisu: 0000089617
Tytuł oryginału: The analysis of filling pulse parameters influence on ICTS data of GaAs MIS structures.
Autorzy: Łukasz Drewniak, Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz.
¬ródło: W: Electron Technology Conference 2013, Ryn, Poland, 16-20 April 2013. Eds: Paweł Szczepański, Ryszard Kisiel, Ryszard S. Romaniuk. Bellingham : SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2013, art. 890209 s. 1-8, bibliogr. 16 poz.
ISBN: 978-0-8194-9521-1
Organizator: Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw University of Technology (Poland)
Seria: (Proceedings of SPIE ; vol. 8902 0277-786X)
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,5
Bazy indeksuj±ce publikację: Web of Science; Scopus
DOI:
Słowa kluczowe polskie: struktura GaAs MIS ; ICTS ; stany międzypowierzchni
Słowa kluczowe angielskie: GaAs MIS structure ; ICTS ; interface states
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


3/12
Nr opisu: 0000046252
Tytuł oryginału: Characterization of insulator-semiconductor interface phenomena in MIS structures by impedance spectroscopy.
Autorzy: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz, Michał* Szydłowski.
¬ródło: W: Technologia elektronowa. ELTE '2007. IX Konferencja, Kraków, 4-7.09.2007. Materiały konferencyjne. Red. T. Stapiński [i in.]. [Kraków] : [Wydaw. Wydziału Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki. Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica], 2008, s. 47-50, bibliogr. 11 poz.
Organizator: Katedra Elektroniki. Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki. AGH w Krakowie [i in.]
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


4/12
Nr opisu: 0000076033
Tytuł oryginału: Characterization of insulator-semiconductor interface phenomena in MIS structure by impedance spectroscopy.
Autorzy: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz, Michał* Szydłowski.
¬ródło: W: IX Electron Technology Conference. ELTE 2007, Kraków, 4-7.09.2007. Book of abstracts. Eds: K. Zakrzewska [et al.]. Kraków : Przedsiębiorstwo Wielobranżowe STABIL, 2007, s. 76
Organizator: Department of Electronics. Faculty of Electrical Engineering, Automatics, Computer Science and Electronics. AGH [et al.]
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


5/12
Nr opisu: 0000046253
Tytuł oryginału: An analysis of GaAs MIS structure properties by use of an equivalent circuit parameters.
Autorzy: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, Michał* Szydłowski.
¬ródło: W: Technologia elektronowa. ELTE '2004. VIII Konferencja naukowa, Stare Jabłonki, 19-22.04.2004. Materiały konferencyjne. ŁódĽ : CMYK Studio Poligrafii i Reklamy, 2004, s. 357-360, bibliogr. 5 poz.
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


6/12
Nr opisu: 0000011168
Tytuł oryginału: Characterization of the interface and the bulk phenomena in metal-SiO2-(n) GaAs structure by analysis of the equivalent circuit parameters at different temperatures
Autorzy: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
¬ródło: -Thin Solid Films 2004 vol. 467 iss. 1/2, s. 190-196, bibliogr. 42 poz.
Impact Factor: 1.647
p-ISSN: 0040-6090
e-ISSN: 1879-2731
DOI:
Słowa kluczowe polskie: element stałofazowy ; wła¶ciwo¶ci elektryczne ; miernictwo elektryczne ; arsenek galu
Słowa kluczowe angielskie: constant phase element ; electrical properties ; electrical measurement ; gallium arsenide ; metal-insulator-semiconductor structure
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


7/12
Nr opisu: 0000011325
Tytuł oryginału: Studies of GaAs metal-insulator-semiconductor strucutres by the admittance spectroscopy method
Autorzy: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, M. Szydlowski.
¬ródło: -Appl. Surf. Sci. 2004 vol. 235 iss. 3, s. 389-394, bibliogr. 28 poz.
Impact Factor: 1.497
p-ISSN: 0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie: element stałofazowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik ; wła¶ciwo¶ci elektryczne ; pomiary elektryczne ; arsenek galu
Słowa kluczowe angielskie: constant phase element ; metal-insulator-semiconductor structure ; electrical properties ; electrical measurements ; gallium arsenide
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


8/12
Nr opisu: 0000008347
Tytuł oryginału: Two constant phase element behaviour of the admittance characteristics of GaAs metal-insulator-semiconductor structure with deep traps
Autorzy: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
¬ródło: -Thin Solid Films 2003 vol. 444 iss. 1/2, s. 208-214, bibliogr. 34 poz.
Impact Factor: 1.598
p-ISSN: 0040-6090
e-ISSN: 1879-2731
Słowa kluczowe polskie: element stałofazowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik ; wła¶ciwo¶ci elektryczne ; arsenek galu
Słowa kluczowe angielskie: constant phase element ; metal-insulator-semiconductor structure ; electrical properties ; gallium arsenide
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


9/12
Nr opisu: 0000000077
Tytuł oryginału: Description of the frequency behaviour of metal-SiO2-GaAs structure characteristics by electrical equivalent circuit with constant phase element
Autorzy: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch.
¬ródło: -Thin Solid Films 2002 vol. 415 iss. 1/2, s. 133-137, bibliogr. 23 poz.
Impact Factor: 1.443
p-ISSN: 0040-6090
e-ISSN: 1879-2731
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


10/12
Nr opisu: 0000000141
Tytuł oryginału: Elektryczny model zastępczy struktury metal-SiO2-GaAs.
Autorzy: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz.
¬ródło: W: Technologia elektronowa. VII Konferencja naukowa. ELTE '2000, Polanica Zdrój, 18-22 wrze¶nia 2000. Materiały konferencyjne. Wrocław : Instytut Techniki Mikrosystemów Politechniki Wrocławskiej, 2000, s. 426-429, bibliogr. 8 poz.
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


11/12
Nr opisu: 0000007633
Tytuł oryginału: Electrical properties of SiO2-(n) GaAs interface on the basis of measurements of MIS structure capacitance and conductance
Autorzy: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz.
¬ródło: -Thin Solid Films 1999 vol. 348 no. 1, s. 180-187, bibliogr. 29 poz.
Impact Factor: 1.101
p-ISSN: 0040-6090
e-ISSN: 1879-2731
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


12/12
Nr opisu: 0000003067
Tytuł oryginału: Analiza częstotliwo¶ciowych charakterystyk pojemno¶ci i konduktancji struktur metal-SiO2-GaAs.
Autorzy: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, A. Górecka-Drzazga.
¬ródło: W: Technologia elektronowa. VI Konferencja naukowa. ELTE '97, Krynica, 6.05-9.05.1997. T. 1. Instytut Elektroniki Akademii Górniczo-Hutniczej w Krakowie. Kraków : Akademia Górniczo-Hutnicza, 1997, s. 556-560, bibliogr. 6 poz.
Typ publikacji: K
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie