Wynik wyszukiwania
Zapytanie: NISHIGUCHI K
Liczba odnalezionych rekordów: 2



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/2
Nr opisu: 0000127652
Tytuł oryginału: Enhancement of channel electric field in AlGaN/GaN multi-nanochannel high electron mobility transistors
Autorzy: M. Matys, K. Nishiguchi, Bogusława Adamowicz, J. Kuzmik, T. Hashizume.
Źródło: -J. Appl. Phys. 2018 vol. 124 iss. 22, art. no. 224502 s. 1-8, bibliogr. 32 poz.
Impact Factor: 2.176
Punktacja MNiSW: 35.000
p-ISSN: 0021-8979
e-ISSN: 1089-7550
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.
Dostęp on-line:


2/2
Nr opisu: 0000120835
Tytuł oryginału: Disorder induced gap states as a cause of threshold voltage instabilities in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors
Autorzy: M. Matys, S. Kaneki, K. Nishiguchi, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
Źródło: -J. Appl. Phys. 2017 vol. 122 iss. 22, art. no. 224504 s. 1-8, bibliogr. 31 poz.
Impact Factor: 2.176
Punktacja MNiSW: 35.000
p-ISSN: 0021-8979
e-ISSN: 1089-7550
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.
Dostęp on-line:


stosując format:
Nowe wyszukiwanie