Wynik wyszukiwania
Zapytanie: MIZUE C
Liczba odnalezionych rekordów: 7



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/7
Nr opisu: 0000083702
Tytuł oryginału: Impact of interface states and bulk carrier lifetime on photocapacitance of metal/insulator/GaN structure.
Autorzy: Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
¬ródło: W: Extended abstracts of the 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo, 2010. Tokyo : Publication Office Business Center for Academic Society Japan, 2010, s. 1231-1232
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


2/7
Nr opisu: 0000071702
Tytuł oryginału: Capacitance-voltage characteristics of Al2O3/AlGaN/GaN structures and state density distribution at Al2O3/AlGaN interface
Autorzy: C. Mizue, Y. Hori, Marcin** Miczek, T. Hashizume.
¬ródło: -Jpn. J. Appl. Phys. 2011 vol. 50 iss. 2, art. no. 021001, bibliogr. 33 poz.
Impact Factor: 1.024
p-ISSN: 1347-4065
e-ISSN: 0021-4922
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


3/7
Nr opisu: 0000071687
Tytuł oryginału: Impact of interface states and bulk carrier lifetime on photocapacitance of metal/insulator/GaN structure for ultraviolet light detection
Autorzy: Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
¬ródło: -Jpn. J. Appl. Phys. 2011 vol. 50, art. no. 04DF08, bibliogr. 23 poz.
Impact Factor: 1.024
p-ISSN: 1347-4065
e-ISSN: 0021-4922
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


4/7
Nr opisu: 0000071269
Tytuł oryginału: The influence of interface states and bulk carrier lifetime on the minority carrier behavior in an illuminated metal/insulator/GaN structure
Autorzy: Marcin** Miczek, P. Bidziński, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
¬ródło: -Solid State Commun. 2011 vol. 151 iss. 11, s. 830-833, bibliogr. 37 poz.
Impact Factor: 1.649
p-ISSN: 0038-1098
e-ISSN: 1879-2766
Słowa kluczowe polskie: azotek galu ; struktura MIS ; fotodetektor typu "solar blind"
Słowa kluczowe angielskie: gallium nitride ; MIS structure ; "solar blind" photodetector
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


5/7
Nr opisu: 0000057117
Tytuł oryginału: Simulations of capacitance-voltage-temperature behavior of metal/insulator/AlGaN and metal/insulator/AlGaN/GaN structures
Autorzy: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
¬ródło: -Jpn. J. Appl. Phys. 2009 vol. 48 iss. 4, art. no. 04C092
Impact Factor: 1.138
p-ISSN: 1347-4065
e-ISSN: 0021-4922
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


6/7
Nr opisu: 0000056784
Tytuł oryginału: UV-induced variation of interface potential in AlOx/n-GaN structure
Autorzy: C. Mizue, Marcin** Miczek, J. Kotani, T. Hashizume.
¬ródło: -Jpn. J. Appl. Phys. 2009 vol. 48 iss. 2, art. no. 020201
Impact Factor: 1.138
p-ISSN: 1347-4065
e-ISSN: 0021-4922
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


7/7
Nr opisu: 0000048349
Tytuł oryginału: Effects of interface states and temperature on the C-V behavior of metal/insulator/AIGaN/GaN heterostructure capacitors
Autorzy: Marcin** Miczek, C. Mizue, T. Hashizume, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: -J. Appl. Phys. 2008 vol. 103 iss. 10, art. no. 104510 s. 1-11, bibliogr. 55 poz.
Impact Factor: 2.201
p-ISSN: 0021-8979
e-ISSN: 1089-7550
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie