Wynik wyszukiwania
Zapytanie: MATYS M
Liczba odnalezionych rekordów: 4



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/4
Nr opisu: 0000127652
Tytuł oryginału: Enhancement of channel electric field in AlGaN/GaN multi-nanochannel high electron mobility transistors
Autorzy: M. Matys, K. Nishiguchi, Bogusława Adamowicz, J. Kuzmik, T. Hashizume.
¬ródło: -J. Appl. Phys. 2018 vol. 124 iss. 22, art. no. 224502 s. 1-8, bibliogr. 32 poz.
Impact Factor: 2.328
Punktacja MNiSW: 35.000
p-ISSN: 0021-8979
e-ISSN: 1089-7550
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


2/4
Nr opisu: 0000127121
Tytuł oryginału: On the interpretation of cathodoluminescence intensity maps of wide band gap nanowires
Autorzy: M. Matys, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: -Nanotechnology 2018 vol. 30 iss. 3, s. 1-8, bibliogr. 30 poz.
Impact Factor: 3.399
Punktacja MNiSW: 35.000
p-ISSN: 0957-4484
e-ISSN: 1361-6528
DOI:
Słowa kluczowe polskie: szerokopasmowe materiały szczelinowe ; azotek galu ; metoda elementów skończonych
Słowa kluczowe angielskie: wide band gap materials ; gallium nitride ; finite element method
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


3/4
Nr opisu: 0000120835
Tytuł oryginału: Disorder induced gap states as a cause of threshold voltage instabilities in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors
Autorzy: M. Matys, S. Kaneki, K. Nishiguchi, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
¬ródło: -J. Appl. Phys. 2017 vol. 122 iss. 22, art. no. 224504 s. 1-8, bibliogr. 31 poz.
Impact Factor: 2.176
Punktacja MNiSW: 35.000
p-ISSN: 0021-8979
e-ISSN: 1089-7550
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


4/4
Nr opisu: 0000112646
Tytuł oryginału: On the origin of interface states at oxide/III-nitride heterojunction interfaces
Autorzy: M. Matys, B. Adamowicz, Alina Domanowska, Anna Michalewicz, R. Stoklas, M. Akazawa, Z. Yatabe, T. Hashizume.
¬ródło: -J. Appl. Phys. 2016 vol. 120 iss. 22, art. no. 225305 s. 1-12, bibliogr. 42 poz.
Impact Factor: 2.068
Punktacja MNiSW: 35.000
p-ISSN: 0021-8979
e-ISSN: 1089-7550
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie