| Nr opisu: | 0000093840 |
| Tytuł oryginału: | Analiza chemiczna AES pasywacyjnych warstw na powierzchni GaN, AlGaN i SiC. |
| Autorzy: | Alina Domanowska, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, M. Sochacki, Z. Żytkiewicz, M. Sobańska, K. Kłosek, A. Taube, R. Kruszka, J. Żywicki. |
| Źródło: | W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 193 + tekst na CD-ROM |
| ISBN: | 978-83-934712-6-3 |
| Organizator: | Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej |
| Uwagi: | Pełny tekst na CD-ROM |
| Liczba arkuszy wydawniczych: | 1 |
| Słowa kluczowe polskie: | Al2O3 ; SixNy ; SiO2 ; pasywacja ; analiza chemiczna ; spektroskopia elektronów Augera ; struktura metal-izolator-półprzewodnik |
| Słowa kluczowe angielskie: | Al2O3 ; SixNy ; SiO2 ; passivation ; chemical analysis ; Auger electron spectroscopy ; metal-insulator-semiconductor structure |
| Typ publikacji: | RK |
| Język publikacji: | POL |
| Zasieg terytorialny: | K |
| Afiliacja: | praca afiliowana w PŚl. |
| Nr opisu: | 0000093844 |
| Tytuł oryginału: | Wykorzystanie nanodrutów GaN na podłożach Si w strukturach sensorów chemicznych. |
| Autorzy: | K. Kłosek, M. Sobańska, Z. Żytkiewicz, A. Wierzbicka, A. Reszka, R. Kruszka, K. Gołaszewska, Maciej Setkiewicz, Tadeusz Pustelny. |
| Źródło: | W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 201-203 + tekst na CD-ROM |
| ISBN: | 978-83-934712-6-3 |
| Organizator: | Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej |
| Uwagi: | Pełny tekst na CD-ROM |
| Liczba arkuszy wydawniczych: | 0,51 |
| Słowa kluczowe polskie: | GaN ; sensor chemiczny ; nanodruty ; epitaksja z wiązek molekularnych |
| Słowa kluczowe angielskie: | GaN ; chemical sensor ; nanowires ; molecular beam epitaxy |
| Typ publikacji: | RK |
| Język publikacji: | POL |
| Zasieg terytorialny: | K |
| Afiliacja: | praca afiliowana w PŚl. |
| Nr opisu: | 0000082736 |
| Tytuł oryginału: | Charakteryzacja właściwości chemicznych, optycznych i elektronowych pasywowanych in-situ powierzchni n-GaN. |
| Autorzy: | Bogusława Adamowicz, Alina Domanowska, Piotr* Kościelniak, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Marcin** Miczek, Michał* Sitarz, Jacek Szuber, Z. Żytkiewicz, M. Sobańska, K. Kłosek, A. Taube. |
| Źródło: | W: Jedenasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 11-14.06.2012]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2012, s. 152 |
| Organizator: | Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej |
| Uwagi: | Pełny tekst na CD-ROM |
| Słowa kluczowe polskie: | azotek galu ; pasywacja ; stan powierzchniowy ; skład chemiczny |
| Słowa kluczowe angielskie: | gallium nitride ; passivation ; surface condition ; chemical composition |
| Typ publikacji: | RK |
| Język publikacji: | POL |
| Zasieg terytorialny: | K |
| Afiliacja: | praca afiliowana w PŚl. |