Wynik wyszukiwania
Zapytanie: HORI Y
Liczba odnalezionych rekordów: 3



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/3
Nr opisu: 0000095200
Tytuł oryginału: Direct measurement of donor-like interface state density and energy distribution at insulator/AlGaN interface in metal/Al2O3/AlGaN/GaN by photocapacitance method
Autorzy: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, Y. Hori, T. Hashizume.
Źródło: -Appl. Phys. Lett. 2013 vol. 103 iss. 23, s. 021603-1 - 021603-4, bibliogr. 20 poz.
Impact Factor: 3.515
Punktacja MNiSW: 40.000
p-ISSN: 0003-6951
e-ISSN: 1077-3118
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.
Dostęp on-line:


2/3
Nr opisu: 0000093841
Tytuł oryginału: Wyznaczanie energetycznego rozkładu gęstości powierzchniowych na granicy fazowej Al2O3/GaN i Al2O3/AlGaN.
Autorzy: Maciej* Matys, Rafał* Ucka, Bogusława Adamowicz, Y. Hori, T. Hashizume.
Źródło: W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 194 + tekst na CD-ROM
ISBN: 978-83-934712-6-3
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Liczba arkuszy wydawniczych: 1
Słowa kluczowe polskie: Al2O3 ; GaN ; AlGaN ; pasywacja ; fotopojemność ; stan powierzchniowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie: Al2O3 ; GaN ; AlGaN ; passivation ; photocapacitance ; surface condition ; metal-insulator-semiconductor structure
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.


3/3
Nr opisu: 0000071702
Tytuł oryginału: Capacitance-voltage characteristics of Al2O3/AlGaN/GaN structures and state density distribution at Al2O3/AlGaN interface
Autorzy: C. Mizue, Y. Hori, Marcin** Miczek, T. Hashizume.
Źródło: -Jpn. J. Appl. Phys. 2011 vol. 50 iss. 2, art. no. 021001, bibliogr. 33 poz.
Impact Factor: 1.024
p-ISSN: 1347-4065
e-ISSN: 0021-4922
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.


stosując format:
Nowe wyszukiwanie