Wynik wyszukiwania
Zapytanie: HASHIZUME T
Liczba odnalezionych rekordów: 24



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/24
Nr opisu: 0000127652
Tytuł oryginału: Enhancement of channel electric field in AlGaN/GaN multi-nanochannel high electron mobility transistors
Autorzy: M. Matys, K. Nishiguchi, Bogusława Adamowicz, J. Kuzmik, T. Hashizume.
¬ródło: -J. Appl. Phys. 2018 vol. 124 iss. 22, art. no. 224502 s. 1-8, bibliogr. 32 poz.
Impact Factor: 2.328
Punktacja MNiSW: 35.000
p-ISSN: 0021-8979
e-ISSN: 1089-7550
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


2/24
Nr opisu: 0000120835
Tytuł oryginału: Disorder induced gap states as a cause of threshold voltage instabilities in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors
Autorzy: M. Matys, S. Kaneki, K. Nishiguchi, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
¬ródło: -J. Appl. Phys. 2017 vol. 122 iss. 22, art. no. 224504 s. 1-8, bibliogr. 31 poz.
Impact Factor: 2.176
Punktacja MNiSW: 35.000
p-ISSN: 0021-8979
e-ISSN: 1089-7550
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


3/24
Nr opisu: 0000116389
Tytuł oryginału: Influence of oxygen-plasma treatment on AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with HfO2 by atomic layer deposition: leakage current and density of states reduction
Autorzy: R. Stoklas, D. Gregusova, M. Blaho, K. Frohlich, J. Novak, Maciej* Matys, Z. Yatabe, P. Kordos, T. Hashizume.
¬ródło: -Semicond. Sci. Technol. 2017 vol. 32 iss. 4, art. no. 045018, bibliogr. 29 poz.
Impact Factor: 2.280
Punktacja MNiSW: 30.000
p-ISSN: 0268-1242
e-ISSN: 1361-6641
DOI:
Słowa kluczowe polskie: AlGaN/GaN ; stany międzypowierzchni ; dielektryk HfO2 ; XPS ; ALD
Słowa kluczowe angielskie: AlGaN/GaN ; interface states ; HfO2 dielectric ; XPS ; ALD ; oxygen-plasma treatment
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


4/24
Nr opisu: 0000112646
Tytuł oryginału: On the origin of interface states at oxide/III-nitride heterojunction interfaces
Autorzy: M. Matys, B. Adamowicz, Alina Domanowska, Anna Michalewicz, R. Stoklas, M. Akazawa, Z. Yatabe, T. Hashizume.
¬ródło: -J. Appl. Phys. 2016 vol. 120 iss. 22, art. no. 225305 s. 1-12, bibliogr. 42 poz.
Impact Factor: 2.068
Punktacja MNiSW: 35.000
p-ISSN: 0021-8979
e-ISSN: 1089-7550
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


5/24
Nr opisu: 0000095200
Tytuł oryginału: Direct measurement of donor-like interface state density and energy distribution at insulator/AlGaN interface in metal/Al2O3/AlGaN/GaN by photocapacitance method
Autorzy: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, Y. Hori, T. Hashizume.
¬ródło: -Appl. Phys. Lett. 2013 vol. 103 iss. 23, s. 021603-1 - 021603-4, bibliogr. 20 poz.
Impact Factor: 3.515
Punktacja MNiSW: 40.000
p-ISSN: 0003-6951
e-ISSN: 1077-3118
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


6/24
Nr opisu: 0000093841
Tytuł oryginału: Wyznaczanie energetycznego rozkładu gęsto¶ci powierzchniowych na granicy fazowej Al2O3/GaN i Al2O3/AlGaN.
Autorzy: Maciej* Matys, Rafał* Ucka, Bogusława Adamowicz, Y. Hori, T. Hashizume.
¬ródło: W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 194 + tekst na CD-ROM
ISBN: 978-83-934712-6-3
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Liczba arkuszy wydawniczych: 1
Słowa kluczowe polskie: Al2O3 ; GaN ; AlGaN ; pasywacja ; fotopojemno¶ć ; stan powierzchniowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie: Al2O3 ; GaN ; AlGaN ; passivation ; photocapacitance ; surface condition ; metal-insulator-semiconductor structure
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


7/24
Nr opisu: 0000085582
Tytuł oryginału: A novel method for the determination of the full energetic distribution of interface state density in metal/insulator/GaN structures from capacitance-voltage and photocapacitance-light intensity measurements.
Autorzy: Maciej* Matys, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
¬ródło: W: 31st International Conference on the Physics of Semiconductors. ICPS 2012, Zurich, Switzerland, July 29th to August 3rd 2012 [online]. [B.m.] : [b.w.], 2012, (plik html) s. 1, bibliogr. 5 poz.
Uwagi: Dostępny w Internecie: http://sciconf.org/icps2012/ip/topic/2/session/29/paper/5?layout=screen [dostęp 15 czerwca 2013]
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


8/24
Nr opisu: 0000084466
Tytuł oryginału: Determination of the deep donor-like interface state density distribution in metal/Al2O3/n-GaN structures from the photocapacitance-light intensity measurement
Autorzy: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
¬ródło: -Appl. Phys. Lett. 2012 vol. 101 iss. 23, s. 231608-1 - 231608-4, bibliogr. 18 poz.
Impact Factor: 3.794
Punktacja MNiSW: 40.000
p-ISSN: 0003-6951
e-ISSN: 1077-3118
DOI:
Słowa kluczowe polskie: zwi±zki aluminium ; zwi±zki galu ; półprzewodnik grupy III-V ; struktura MIS ; fotopojemno¶ć ; pasmo walencyjne ; półprzewodnik szerokoprzerwowy
Słowa kluczowe angielskie: aluminium compounds ; gallium compounds ; III-V semiconductor ; MIS structure ; photocapacitance ; valence band ; wide bandgap semiconductor
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


9/24
Nr opisu: 0000083702
Tytuł oryginału: Impact of interface states and bulk carrier lifetime on photocapacitance of metal/insulator/GaN structure.
Autorzy: Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
¬ródło: W: Extended abstracts of the 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo, 2010. Tokyo : Publication Office Business Center for Academic Society Japan, 2010, s. 1231-1232
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


10/24
Nr opisu: 0000071702
Tytuł oryginału: Capacitance-voltage characteristics of Al2O3/AlGaN/GaN structures and state density distribution at Al2O3/AlGaN interface
Autorzy: C. Mizue, Y. Hori, Marcin** Miczek, T. Hashizume.
¬ródło: -Jpn. J. Appl. Phys. 2011 vol. 50 iss. 2, art. no. 021001, bibliogr. 33 poz.
Impact Factor: 1.024
p-ISSN: 1347-4065
e-ISSN: 0021-4922
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


11/24
Nr opisu: 0000071687
Tytuł oryginału: Impact of interface states and bulk carrier lifetime on photocapacitance of metal/insulator/GaN structure for ultraviolet light detection
Autorzy: Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
¬ródło: -Jpn. J. Appl. Phys. 2011 vol. 50, art. no. 04DF08, bibliogr. 23 poz.
Impact Factor: 1.024
p-ISSN: 1347-4065
e-ISSN: 0021-4922
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


12/24
Nr opisu: 0000123619
Tytuł oryginału: The impact of bulk defects, surface states, and excitons on yellow and ultraviolet photoluminescence in GaN
Autorzy: Maciej* Matys, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, Z. Żytkiewicz, E. Kamińska, A. Piotrowska, T. Hashizume.
¬ródło: -Acta Phys. Pol. A 2011 vol. 120 no. 6A, s. A-73-A-75, bibliogr. 16 poz.
Uwagi: Referat wygłoszony na: Proceedings of the E-MRS Fall Meeting. Symposium H: Novel materials for electronics, optoelectronics, photovoltaics and energy saving applications, Warsaw, Poland, September 19-23, 2011
Impact Factor: 0.444
Punktacja MNiSW: 15.000
p-ISSN: 0587-4246
e-ISSN: 1898-794X
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.2936
Dostęp on-line:


13/24
Nr opisu: 0000071269
Tytuł oryginału: The influence of interface states and bulk carrier lifetime on the minority carrier behavior in an illuminated metal/insulator/GaN structure
Autorzy: Marcin** Miczek, P. Bidziński, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
¬ródło: -Solid State Commun. 2011 vol. 151 iss. 11, s. 830-833, bibliogr. 37 poz.
Impact Factor: 1.649
p-ISSN: 0038-1098
e-ISSN: 1879-2766
Słowa kluczowe polskie: azotek galu ; struktura MIS ; fotodetektor typu "solar blind"
Słowa kluczowe angielskie: gallium nitride ; MIS structure ; "solar blind" photodetector
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


14/24
Nr opisu: 0000081093
Tytuł oryginału: Analiza numeryczna zjawisk fotoelektronowych w detektorach promieniowania UV typu MIS na bazie n-GaN.
Autorzy: Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
¬ródło: W: IV Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2010, Poznań, 28.06-02.07 2010. Program i streszczenia. Wydział Fizyki Technicznej Politechniki Poznańskiej [et al.].. Poznań : [b.w.], 2010, s. 235, bibliogr. 4 poz.
Słowa kluczowe polskie: GaN ; struktura MIS ; COMSOL
Słowa kluczowe angielskie: GaN ; MIS structure ; COMSOL
Typ publikacji: K
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


15/24
Nr opisu: 0000063105
Tytuł oryginału: Modeling of metal/insulator/GaN ultraviolet photodetector by finite element method.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, Piotr* Bidziński, T. Hashizume.
¬ródło: W: 18th International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications. MIKON-2010, Vilnius, Lithuania, June 14-16, 2010. Conference proceedings. Picataway : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2010, s. 1-3, bibliogr. 7 poz.
Słowa kluczowe polskie: GaN ; metal/izolator/półprzewodnik ; fotodekoder UV ; modelowanie komputerowe ; metoda elementów skończonych ; COMSOL
Słowa kluczowe angielskie: GaN ; MIS ; UV photodecoder ; computer modelling ; finite element method ; COMSOL
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


16/24
Nr opisu: 0000057117
Tytuł oryginału: Simulations of capacitance-voltage-temperature behavior of metal/insulator/AlGaN and metal/insulator/AlGaN/GaN structures
Autorzy: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
¬ródło: -Jpn. J. Appl. Phys. 2009 vol. 48 iss. 4, art. no. 04C092
Impact Factor: 1.138
p-ISSN: 1347-4065
e-ISSN: 0021-4922
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


17/24
Nr opisu: 0000056784
Tytuł oryginału: UV-induced variation of interface potential in AlOx/n-GaN structure
Autorzy: C. Mizue, Marcin** Miczek, J. Kotani, T. Hashizume.
¬ródło: -Jpn. J. Appl. Phys. 2009 vol. 48 iss. 2, art. no. 020201
Impact Factor: 1.138
p-ISSN: 1347-4065
e-ISSN: 0021-4922
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


18/24
Nr opisu: 0000073357
Tytuł oryginału: Własno¶ci optyczne, chemiczne, elektronowe i morfologiczne struktur AlGaN/GaN.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, D. Pundyk, Mirosława Kępińska, Piotr* Bobek, Andrzej** Klimasek, T. Hashizume.
¬ródło: W: III Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2009, Warszawa, 22-26 czerwca 2009 r. Streszczenia. Red. J. Kaniewski. Warszawa : Instytut Technologii Elektronowej, 2009, s. 62, bibliogr. 2 poz.
Organizator: Instytut Technologii Elektronowej [et al.]
Słowa kluczowe polskie: heterozł±cze ; własno¶ci optyczne ; własno¶ci chemiczne ; własno¶ci elektronowe ; AlGaN/GaN
Słowa kluczowe angielskie: heterojunction ; optical properties ; chemical properties ; electron properties ; AlGaN/GaN
Typ publikacji: K
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


19/24
Nr opisu: 0000048349
Tytuł oryginału: Effects of interface states and temperature on the C-V behavior of metal/insulator/AIGaN/GaN heterostructure capacitors
Autorzy: Marcin** Miczek, C. Mizue, T. Hashizume, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: -J. Appl. Phys. 2008 vol. 103 iss. 10, art. no. 104510 s. 1-11, bibliogr. 55 poz.
Impact Factor: 2.201
p-ISSN: 0021-8979
e-ISSN: 1089-7550
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


20/24
Nr opisu: 0000050894
Tytuł oryginału: Temperature-dependent interface-state response in an Al2O3/n-GaN structure
Autorzy: K. Ooyama, H. Kato, Marcin** Miczek, T. Hashizume.
¬ródło: -Jpn. J. Appl. Phys. 2008 vol. 47 iss. 7, s. 5426-5428
Impact Factor: 1.309
p-ISSN: 1347-4065
e-ISSN: 0021-4922
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


21/24
Nr opisu: 0000039315
Tytuł oryginału: Capacitance-voltage and Auger chemical profile studies on AIGaN/GaN structures passivated by SiO2/Si3N4 and SiNx/Si3N4 bilayers
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, T. Hashizume, Andrzej** Klimasek, P. Bobek, J. Żywicki.
¬ródło: -Opt. Appl. 2007 vol. 37 no. 4, s. 327-334, bibliogr. 25 poz.
Impact Factor: 0.284
p-ISSN: 0078-5466
e-ISSN: 1899-7015
Słowa kluczowe polskie: azotek galu ; HEMT ; bramka izolowana ; pasywacja ; C-V ; spektroskopia elektronów Augera
Słowa kluczowe angielskie: gallium nitride ; HEMT ; insulated gate ; passivation ; C-V ; Auger electron spectroscopy ; chemical in-depth profiles
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3422
Dostęp on-line:


22/24
Nr opisu: 0000030524
Tytuł oryginału: C-V characterization of GaN-based MIS structures at high temperatures
Autorzy: H. Kato, Marcin** Miczek, T. Hashizume.
¬ródło: -IEICE Tech. Rep. 2006 vol. 105 no. 521, ED2005-201, MW2005-155, s. 13-16
p-ISSN: 0913-5685
Typ publikacji: RN
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


23/24
Nr opisu: 0000029174
Tytuł oryginału: Dynamics and control of recombination process at semiconductor surfaces, interfaces and nano-structures
Autorzy: H. Hasegawa, T. Sato, S. Kasai, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
¬ródło: -Sol. Energy 2006 vol. 80 iss. 6, s. 629-644, bibliogr.
Impact Factor: 1.431
p-ISSN: 0038-092X
DOI:
Słowa kluczowe polskie: stan powierzchniowy ; rekombinacja powierzchniowa ; spektroskopia tunelowa ; nanostruktura
Słowa kluczowe angielskie: surface states ; surface recombination ; tunnelling spectroscopy ; nanostructure ; Fermi level pinning ; capacitance voltage method
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


24/24
Nr opisu: 0000018246
Tytuł oryginału: Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces
Autorzy: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume, H. Hasegawa.
¬ródło: -Opt. Appl. 2005 vol. 35 no. 3, s. 355-361, bibliogr. 28 poz.
Impact Factor: 0.459
p-ISSN: 0078-5466
e-ISSN: 1899-7015
Słowa kluczowe polskie: arsenek galu ; azotek galu ; stan powierzchniowy ; fotoluminescencja ; fotonapięcie powierzchniowe
Słowa kluczowe angielskie: gallium arsenide ; gallium nitride ; surface states ; photoluminescence ; surface photovoltage
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3422
Dostęp on-line:


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie